БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    FCPF380N60E-F152

    FCPF380N60E-F152

    MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3

    onsemi

    7,152
    FCPF380N60E-F152

    Техническая документация

    SuperFET® II TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10.2A (Tc) - 380mOhm @ 5A, 10V 3.5V @ 250µA 45 nC @ 10 V - 1770 pF @ 25 V - 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    FDPF4N60NZ

    FDPF4N60NZ

    MOSFET N-CH 600V 3.8A TO220F

    onsemi

    7,483
    FDPF4N60NZ

    Техническая документация

    UniFET-II™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.8A (Tc) 10V 2.5Ohm @ 1.9A, 10V 5V @ 250µA 10.8 nC @ 10 V ±25V 510 pF @ 25 V - 28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    FDB42AN15A0-F085

    FDB42AN15A0-F085

    MOSFET N-CH 150V 35A D2PAK

    onsemi

    5,957
    FDB42AN15A0-F085

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 35A (Tc) 10V 42mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V 2040 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    FDD120AN15A0-F085

    FDD120AN15A0-F085

    MOSFET N-CH 150V 14A DPAK

    onsemi

    5,338
    FDD120AN15A0-F085

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 14A (Tc) 10V 120mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 743 pF @ 25 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    2N6660JTX02

    2N6660JTX02

    MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

    Vishay Siliconix

    6,821
    2N6660JTX02

    Техническая документация

    - TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 990mA (Tc) 5V, 10V 3Ohm @ 1A, 10V 2V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 725mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-205AD (TO-39)
    2N6660JTXL02

    2N6660JTXL02

    MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

    Vishay Siliconix

    8,088
    2N6660JTXL02

    Техническая документация

    - TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 990mA (Tc) 5V, 10V 3Ohm @ 1A, 10V 2V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 725mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-205AD (TO-39)
    2N6660JTXV02

    2N6660JTXV02

    MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

    Vishay Siliconix

    9,980
    2N6660JTXV02

    Техническая документация

    - TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 990mA (Tc) 5V, 10V 3Ohm @ 1A, 10V 2V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 725mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-205AD (TO-39)
    2N6661JAN02

    2N6661JAN02

    MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

    Vishay Siliconix

    7,635
    2N6661JAN02

    Техническая документация

    - TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90 V 860mA (Tc) 5V, 10V 4Ohm @ 1A, 10V 2V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 725mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-39
    2N6661JTXL02

    2N6661JTXL02

    MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

    Vishay Siliconix

    6,235
    2N6661JTXL02

    Техническая документация

    - TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90 V 860mA (Tc) 5V, 10V 4Ohm @ 1A, 10V 2V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 725mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-39
    2N6661JTXV02

    2N6661JTXV02

    MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

    Vishay Siliconix

    6,269
    2N6661JTXV02

    Техническая документация

    - TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90 V 860mA (Tc) 5V, 10V 4Ohm @ 1A, 10V 2V @ 1mA - ±20V 50 pF @ 25 V - 725mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-39
    IRFD113

    IRFD113

    MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP

    Vishay Siliconix

    2,644
    IRFD113

    Техническая документация

    - 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 800mA (Tc) 10V 800mOhm @ 800mA, 10V 4V @ 250µA 7 nC @ 10 V ±20V 200 pF @ 25 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
    IRFD213

    IRFD213

    MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP

    Vishay Siliconix

    8,412
    IRFD213

    Техническая документация

    - 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 450mA (Ta) - 2Ohm @ 270mA, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V - 140 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
    IRFD9123

    IRFD9123

    MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP

    Vishay Siliconix

    8,128
    IRFD9123

    Техническая документация

    - 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1A (Ta) - 600mOhm @ 600mA, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V - 390 pF @ 25 V - - - - - Through Hole 4-HVMDIP
    IRFP27N60K

    IRFP27N60K

    MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3

    Vishay Siliconix

    5,406
    IRFP27N60K

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 27A (Tc) 10V 220mOhm @ 16A, 10V 5V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±30V 4660 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    SI4196DY-T1-GE3

    SI4196DY-T1-GE3

    MOSFET N-CH 20V 8A 8SO

    Vishay Siliconix

    8,644
    SI4196DY-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 8A (Tc) 1.8V, 4.5V 27mOhm @ 8A, 4.5V 1V @ 250µA 22 nC @ 8 V ±8V 830 pF @ 10 V - 2W (Ta), 4.6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    SI4752DY-T1-GE3

    SI4752DY-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 25A 8SO

    Vishay Siliconix

    9,002
    SI4752DY-T1-GE3

    Техническая документация

    SkyFET®, TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 25A (Tc) 4.5V, 10V 5.5mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 1mA 43 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 15 V Schottky Diode (Body) 3W (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    SI8469DB-T2-E1

    SI8469DB-T2-E1

    MOSFET P-CH 8V 4.6A 4MICROFOOT

    Vishay Siliconix

    9,082
    SI8469DB-T2-E1

    Техническая документация

    TrenchFET® 4-UFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 4.6A (Ta) 4.5V 64mOhm @ 1.5A, 4.5V 800mV @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±5V 900 pF @ 4 V - 780mW (Ta), 1.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-Microfoot
    SI8805EDB-T2-E1

    SI8805EDB-T2-E1

    MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT

    Vishay Siliconix

    8,402
    SI8805EDB-T2-E1

    Техническая документация

    TrenchFET® 4-XFBGA, CSPBGA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 2.2A (Ta) 1.2V, 4.5V 68mOhm @ 1.5A, 4.5V 700mV @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±5V - - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-Microfoot
    SI8809EDB-T2-E1

    SI8809EDB-T2-E1

    MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT

    Vishay Siliconix

    4,764
    SI8809EDB-T2-E1

    Техническая документация

    TrenchFET® 4-XFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.94 (Ta) 1.8V, 4.5V 90mOhm @ 1.5A, 4.5V 900mV @ 250µA 15 nC @ 8 V ±8V - - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-Microfoot
    SIB404DK-T1-GE3

    SIB404DK-T1-GE3

    MOSFET N-CH 12V 9A PPAK SC75-6

    Vishay Siliconix

    4,617
    SIB404DK-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SC-75-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 9A (Tc) 4.5V 19mOhm @ 3A, 4.5V 800mV @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±5V - - 2.5W (Ta), 13W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.