БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы TPS54560DDA CR2032 TPS54560DDAR 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG LQW15AN18NG00D 357 103AT-11
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      IRF8734PBF

      IRF8734PBF

      MOSFET N-CH 30V 21A 8SO

      Infineon Technologies

      		 5,535
      Запрос на предложение
      		IRF8734PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 21A (Ta) 4.5V, 10V 3.5mOhm @ 21A, 10V 2.35V @ 50µA 30 nC @ 4.5 V ±20V 3175 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
      IRFS3004-7PPBF

      IRFS3004-7PPBF

      MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 5,815
      Запрос на предложение
      		IRFS3004-7PPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 1.25mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 9130 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
      IRFS3004PBF

      IRFS3004PBF

      MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 2,470
      Запрос на предложение
      		IRFS3004PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Ta) 10V 1.75mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 9200 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRFS4020PBF

      IRFS4020PBF

      MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 8,907
      Запрос на предложение
      		IRFS4020PBF

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18A (Tc) 10V 105mOhm @ 11A, 10V 4.9V @ 100µA 29 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 50 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRFS4115-7PPBF

      IRFS4115-7PPBF

      MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 3,123
      Запрос на предложение
      		IRFS4115-7PPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 105A (Tc) 10V 11.8mOhm @ 63A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 5320 pF @ 50 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
      IRFS4115PBF

      IRFS4115PBF

      MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 2,895
      Запрос на предложение
      		IRFS4115PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 195A (Tc) 10V 12.1mOhm @ 62A, 10V 5V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 5270 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRFS4127PBF

      IRFS4127PBF

      MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 3,105
      Запрос на предложение
      		IRFS4127PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 72A (Tc) 10V 22mOhm @ 44A, 10V 5V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 5380 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRFS4615PBF

      IRFS4615PBF

      MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 4,844
      Запрос на предложение
      		IRFS4615PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 33A (Tc) 10V 42mOhm @ 21A, 10V 5V @ 100µA 40 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 50 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRFS5615PBF

      IRFS5615PBF

      MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 4,903
      Запрос на предложение
      		IRFS5615PBF

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 33A (Tc) 10V 42mOhm @ 21A, 10V 5V @ 100µA 40 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 50 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRLR3636PBF

      IRLR3636PBF

      MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

      Infineon Technologies

      		 7,986
      Запрос на предложение
      		IRLR3636PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 6.8mOhm @ 50A, 10V 2.5V @ 100µA 49 nC @ 4.5 V ±16V 3779 pF @ 50 V - 143W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRLS3034-7PPBF

      IRLS3034-7PPBF

      MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 7,219
      Запрос на предложение
      		IRLS3034-7PPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 4.5V, 10V 1.4mOhm @ 200A, 10V 2.5V @ 250µA 180 nC @ 4.5 V ±20V 10990 pF @ 40 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
      IRLS3034PBF

      IRLS3034PBF

      MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 2,137
      Запрос на предложение
      		IRLS3034PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 195A, 10V 2.5V @ 250µA 162 nC @ 4.5 V ±20V 10315 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRLS3036PBF

      IRLS3036PBF

      MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 3,027
      Запрос на предложение
      		IRLS3036PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 195A (Tc) 4.5V, 10V 2.4mOhm @ 165A, 10V 2.5V @ 250µA 140 nC @ 4.5 V ±16V 11210 pF @ 50 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRLS4030-7PPBF

      IRLS4030-7PPBF

      MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 6,728
      Запрос на предложение
      		IRLS4030-7PPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 190A (Tc) 4.5V, 10V 3.9mOhm @ 110A, 10V 2.5V @ 250µA 140 nC @ 4.5 V ±16V 11490 pF @ 50 V - 370W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
      IRLS4030PBF

      IRLS4030PBF

      MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 6,558
      Запрос на предложение
      		IRLS4030PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 4.5V, 10V 4.3mOhm @ 110A, 10V 2.5V @ 250µA 130 nC @ 4.5 V ±16V 11360 pF @ 50 V - 370W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF1324LPBF

      IRF1324LPBF

      MOSFET N-CH 24V 195A TO262

      Infineon Technologies

      		 2,609
      Запрос на предложение
      		IRF1324LPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 195A (Tc) 10V 1.65mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 7590 pF @ 24 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
      IRF1324STRLPBF

      IRF1324STRLPBF

      MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 7,368
      Запрос на предложение
      		IRF1324STRLPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 195A (Tc) 10V 1.65mOhm @ 195A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 7590 pF @ 24 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRFB3307ZGPBF

      IRFB3307ZGPBF

      MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB

      Infineon Technologies

      		 3,015
      Запрос на предложение
      		IRFB3307ZGPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 5.8mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 110 nC @ 10 V ±20V 4750 pF @ 50 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      IRFB4110GPBF

      IRFB4110GPBF

      MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

      Infineon Technologies

      		 6,972
      Запрос на предложение
      		IRFB4110GPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 9620 pF @ 50 V - 370W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      IRFB4115GPBF

      IRFB4115GPBF

      MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB

      Infineon Technologies

      		 7,817
      Запрос на предложение
      		IRFB4115GPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 104A (Tc) 10V 11mOhm @ 62A, 10V 5V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 5270 pF @ 50 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      Total 36322 Record«Prev1... 15941595159615971598159916001601...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]