БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы TPS54560DDA CR2032 TPS54560DDAR 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG LQW15AN18NG00D 357 103AT-11
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      IRFS3107PBF

      IRFS3107PBF

      MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 7,981
      Запрос на предложение
      		IRFS3107PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 195A (Tc) 10V 3mOhm @ 140A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 9370 pF @ 50 V - 370W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRFS4010-7PPBF

      IRFS4010-7PPBF

      MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 8,464
      Запрос на предложение
      		IRFS4010-7PPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 190A (Tc) 10V 4mOhm @ 110A, 10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 9830 pF @ 50 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRFS4010PBF

      IRFS4010PBF

      MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 8,379
      Запрос на предложение
      		IRFS4010PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 106A, 10V 4V @ 250µA 215 nC @ 10 V ±20V 9575 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF7707GTRPBF

      IRF7707GTRPBF

      MOSFET P-CH 20V 7A 8TSSOP

      Infineon Technologies

      		 6,503
      Запрос на предложение
      		IRF7707GTRPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 7A (Ta) 2.5V, 4.5V 22mOhm @ 7A, 4.5V 1.2V @ 250µA 47 nC @ 4.5 V ±12V 2361 pF @ 15 V - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
      IRF6795MTR1PBF

      IRF6795MTR1PBF

      MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET

      Infineon Technologies

      		 5,379
      Запрос на предложение
      		IRF6795MTR1PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® DirectFET™ Isometric MX Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 32A (Ta), 160A (Tc) 4.5V, 10V 1.8mOhm @ 32A, 10V 2.35V @ 100µA 53 nC @ 4.5 V ±20V 4280 pF @ 13 V - 2.8W (Ta), 75W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MX
      IRF6633ATR1PBF

      IRF6633ATR1PBF

      MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

      Infineon Technologies

      		 5,388
      Запрос на предложение
      		IRF6633ATR1PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® DirectFET™ Isometric MU Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 16A (Ta), 69A (Tc) 4.5V, 10V 5.6mOhm @ 16A, 10V 2.2V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1410 pF @ 10 V - 2.3W (Ta), 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MU
      STW23NM60ND

      STW23NM60ND

      MOSFET N-CH 600V 19.5A TO247-3

      STMicroelectronics

      		 8,801
      Запрос на предложение
      		STW23NM60ND

      Техническая документация

             		FDmesh™ II TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 19.5A (Tc) 10V 180mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±25V 2050 pF @ 50 V - 150W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
      2SK2266(TE24R,Q)

      2SK2266(TE24R,Q)

      MOSFET N-CH 60V 45A TO220SM

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 9,841
      Запрос на предложение
      		2SK2266(TE24R,Q)

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 45A (Ta) 4V, 10V 30mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA 60 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 10 V - 65W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-220SM
      2SK2376(Q)

      2SK2376(Q)

      MOSFET N-CH 60V 45A TO220FL

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 4,802
      Запрос на предложение
      		2SK2376(Q)

      Техническая документация

             		- TO-220-3, Short Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 45A (Ta) 4V, 10V 17mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA 110 nC @ 10 V ±20V 3350 pF @ 10 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FL
      2SK3309(Q)

      2SK3309(Q)

      MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 8,487
      Запрос на предложение
      		2SK3309(Q)

      Техническая документация

             		- TO-220-3, Short Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 450 V 10A (Ta) 10V 650mOhm @ 5A, 10V 5V @ 1mA 23 nC @ 10 V ±30V 920 pF @ 10 V - 65W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FL
      2SK3309(TE24L,Q)

      2SK3309(TE24L,Q)

      MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 2,032
      Запрос на предложение
      		2SK3309(TE24L,Q)

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 450 V 10A (Ta) 10V 650mOhm @ 5A, 10V 5V @ 1mA 23 nC @ 10 V ±30V 920 pF @ 10 V - 65W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-220SM
      TK12A60U(Q,M)

      TK12A60U(Q,M)

      MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 6,700
      Запрос на предложение
      		TK12A60U(Q,M)

      Техническая документация

             		DTMOSII TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Ta) 10V 400mOhm @ 6A, 10V 5V @ 1mA 14 nC @ 10 V ±30V 720 pF @ 10 V - 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
      TK12J60U(F)

      TK12J60U(F)

      MOSFET N-CH 600V 12A TO3P

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 9,402
      Запрос на предложение
      		TK12J60U(F)

      Техническая документация

             		DTMOSII TO-3P-3, SC-65-3 Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Ta) 10V 400mOhm @ 6A, 10V 5V @ 1mA 14 nC @ 10 V ±30V 720 pF @ 10 V - 144W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
      TK15J60U(F)

      TK15J60U(F)

      MOSFET N-CH 600V 15A TO3P

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 8,910
      Запрос на предложение
      		TK15J60U(F)

      Техническая документация

             		DTMOSII TO-3P-3, SC-65-3 Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Ta) 10V 300mOhm @ 7.5A, 10V 5V @ 1mA 17 nC @ 10 V ±30V 950 pF @ 10 V - 170W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
      TK20J60U(F)

      TK20J60U(F)

      MOSFET N-CH 600V 20A TO3P

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 6,347
      Запрос на предложение
      		TK20J60U(F)

      Техническая документация

             		DTMOSII TO-3P-3, SC-65-3 Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Ta) 10V 190mOhm @ 10A, 10V 5V @ 1mA 27 nC @ 10 V ±30V 1470 pF @ 10 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
      TK55D10J1(Q)

      TK55D10J1(Q)

      MOSFET N-CH 100V 55A TO220

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 3,005
      Запрос на предложение
      		TK55D10J1(Q)

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 55A (Ta) 4.5V, 10V 10.5mOhm @ 27A, 10V 2.3V @ 1mA 110 nC @ 10 V ±20V 5700 pF @ 10 V - 140W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220(W)
      TK60D08J1(Q)

      TK60D08J1(Q)

      MOSFET N-CH 75V 60A TO220

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 9,983
      Запрос на предложение
      		TK60D08J1(Q)

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 60A (Ta) 4.5V, 10V 7.8mOhm @ 30A, 10V 2.3V @ 1mA 86 nC @ 10 V ±20V 5450 pF @ 10 V - 140W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220(W)
      TK70D06J1(Q)

      TK70D06J1(Q)

      MOSFET N-CH 60V 70A TO220

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 6,899
      Запрос на предложение
      		TK70D06J1(Q)

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 70A (Ta) 4.5V, 10V 6.4mOhm @ 35A, 10V 2.3V @ 1mA 87 nC @ 10 V ±20V 5450 pF @ 10 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220(W)
      TPC6006-H(TE85L,F)

      TPC6006-H(TE85L,F)

      MOSFET N-CH 40V 3.9A VS-6

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 2,549
      Запрос на предложение
      		TPC6006-H(TE85L,F)

      Техническая документация

             		U-MOSIII-H SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 3.9A (Ta) 4.5V, 10V 75mOhm @ 1.9A, 10V 2.3V @ 1mA 4.4 nC @ 10 V ±20V 251 pF @ 10 V - 700mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
      TPC6104(TE85L,F,M)

      TPC6104(TE85L,F,M)

      MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 6,047
      Запрос на предложение
      		TPC6104(TE85L,F,M)

      Техническая документация

             		U-MOSIII SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.5A (Ta) 1.8V, 4.5V 40mOhm @ 2.8A, 4.5V 1.2V @ 200µA 19 nC @ 5 V ±8V 1430 pF @ 10 V - 700mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
      Total 36322 Record«Prev1... 15741575157615771578157915801581...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]