БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы TPS54560DDA CR2032 TPS54560DDAR 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG LQW15AN18NG00D 357 103AT-11
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      SIA810DJ-T1-GE3

      SIA810DJ-T1-GE3

      MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

      Vishay Siliconix

      		 2,412
      Запрос на предложение
      		SIA810DJ-T1-GE3

      Техническая документация

             		LITTLE FOOT® PowerPAK® SC-70-6 Dual Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.5A (Tc) 1.8V, 4.5V 53mOhm @ 3.7A, 4.5V 1V @ 250µA 11.5 nC @ 8 V ±8V 400 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
      SI5475DDC-T1-GE3

      SI5475DDC-T1-GE3

      MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

      Vishay Siliconix

      		 4,796
      Запрос на предложение
      		SI5475DDC-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 6A (Tc) 1.8V, 4.5V 32mOhm @ 5.4A, 4.5V 1V @ 250µA 50 nC @ 8 V ±8V 1600 pF @ 6 V - 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 1206-8 ChipFET™
      SI7123DN-T1-GE3

      SI7123DN-T1-GE3

      MOSFET P-CH 20V 10.2A PPAK1212-8

      Vishay Siliconix

      		 6,742
      Запрос на предложение
      		SI7123DN-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 10.2A (Ta) 1.8V, 4.5V 10.6mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 90 nC @ 4.5 V ±8V 3729 pF @ 10 V - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
      SI7160DP-T1-GE3

      SI7160DP-T1-GE3

      MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

      Vishay Siliconix

      		 9,322
      Запрос на предложение
      		SI7160DP-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 8.7mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±16V 2970 pF @ 15 V - 5W (Ta), 27.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      SI7170DP-T1-GE3

      SI7170DP-T1-GE3

      MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

      Vishay Siliconix

      		 8,387
      Запрос на предложение
      		SI7170DP-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 15A, 10V 2.6V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 4355 pF @ 15 V - 5W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      SI7405BDN-T1-GE3

      SI7405BDN-T1-GE3

      MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8

      Vishay Siliconix

      		 3,970
      Запрос на предложение
      		SI7405BDN-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 16A (Tc) 1.8V, 4.5V 13mOhm @ 13.5A, 4.5V 1V @ 250µA 115 nC @ 8 V ±8V 3500 pF @ 6 V - 3.6W (Ta), 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
      SI7748DP-T1-GE3

      SI7748DP-T1-GE3

      MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

      Vishay Siliconix

      		 8,688
      Запрос на предложение
      		SI7748DP-T1-GE3

      Техническая документация

             		SkyFET®, TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 4.8mOhm @ 15A, 10V 2.7V @ 1mA 92 nC @ 10 V ±20V 3770 pF @ 15 V - 4.8W (Ta), 56W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      SI7758DP-T1-GE3

      SI7758DP-T1-GE3

      MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

      Vishay Siliconix

      		 5,531
      Запрос на предложение
      		SI7758DP-T1-GE3

      Техническая документация

             		SkyFET®, TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 2.9mOhm @ 20A, 10V 2.7V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 7150 pF @ 15 V - 6.25W (Ta), 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      SI7784DP-T1-GE3

      SI7784DP-T1-GE3

      MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

      Vishay Siliconix

      		 7,590
      Запрос на предложение
      		SI7784DP-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 15 V - 5W (Ta), 27.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      SI7802DN-T1-GE3

      SI7802DN-T1-GE3

      MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK

      Vishay Siliconix

      		 3,359
      Запрос на предложение
      		SI7802DN-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 1.24A (Ta) 6V, 10V 435mOhm @ 1.95A, 10V 3.6V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V - - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
      SI7882DP-T1-GE3

      SI7882DP-T1-GE3

      MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

      Vishay Siliconix

      		 8,025
      Запрос на предложение
      		SI7882DP-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 13A (Ta) 2.5V, 4.5V 5.5mOhm @ 17A, 4.5V 1.4V @ 250µA 30 nC @ 4.5 V ±8V - - 1.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      SIA415DJ-T1-GE3

      SIA415DJ-T1-GE3

      MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

      Vishay Siliconix

      		 4,050
      Запрос на предложение
      		SIA415DJ-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® SC-70-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 12A (Tc) 2.5V, 4.5V 35mOhm @ 5.6A, 4.5V 1.5V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±12V 1250 pF @ 10 V - 3.5W (Ta), 19W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
      SIA430DJ-T1-GE3

      SIA430DJ-T1-GE3

      MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6

      Vishay Siliconix

      		 2,174
      Запрос на предложение
      		SIA430DJ-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® SC-70-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 12A (Tc) 4.5V, 10V 13.5mOhm @ 7A, 10V 3V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 800 pF @ 10 V - 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
      SIA813DJ-T1-GE3

      SIA813DJ-T1-GE3

      MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

      Vishay Siliconix

      		 4,720
      Запрос на предложение
      		SIA813DJ-T1-GE3

      Техническая документация

             		LITTLE FOOT® PowerPAK® SC-70-6 Dual Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.5A (Tc) 1.8V, 4.5V 94mOhm @ 2.8A, 4.5V 1V @ 250µA 13 nC @ 8 V ±8V 355 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
      SIA814DJ-T1-GE3

      SIA814DJ-T1-GE3

      MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6

      Vishay Siliconix

      		 7,078
      Запрос на предложение
      		SIA814DJ-T1-GE3

      Техническая документация

             		LITTLE FOOT® PowerPAK® SC-70-6 Dual Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.5A (Tc) 2.5V, 10V 61mOhm @ 3.3A, 10V 1.5V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±12V 340 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
      SIB414DK-T1-GE3

      SIB414DK-T1-GE3

      MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

      Vishay Siliconix

      		 3,229
      Запрос на предложение
      		SIB414DK-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® SC-75-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 9A (Tc) 1.2V, 4.5V 26mOhm @ 7.9A, 4.5V 1V @ 250µA 14.03 nC @ 5 V ±5V 732 pF @ 4 V - 2.4W (Ta), 13W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
      SIR890DP-T1-GE3

      SIR890DP-T1-GE3

      MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

      Vishay Siliconix

      		 8,915
      Запрос на предложение
      		SIR890DP-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 2.9mOhm @ 10A, 10V 2.6V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 2747 pF @ 10 V - 5W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      SI4866BDY-T1-GE3

      SI4866BDY-T1-GE3

      MOSFET N-CH 12V 21.5A 8SO

      Vishay Siliconix

      		 8,888
      Запрос на предложение
      		SI4866BDY-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 21.5A (Tc) 1.8V, 4.5V 5.3mOhm @ 12A, 4.5V 1V @ 250µA 80 nC @ 4.5 V ±8V 5020 pF @ 6 V - 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
      IRFS3006-7PPBF

      IRFS3006-7PPBF

      MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 7,695
      Запрос на предложение
      		IRFS3006-7PPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 240A (Tc) 10V 2.1mOhm @ 168A, 10V 4V @ 250µA 300 nC @ 10 V ±20V 8850 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
      IRFS3006PBF

      IRFS3006PBF

      MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 9,813
      Запрос на предложение
      		IRFS3006PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 195A (Tc) 10V 2.5mOhm @ 170A, 10V 4V @ 250µA 300 nC @ 10 V ±20V 8970 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      Total 36322 Record«Prev1... 15731574157515761577157815791580...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]