БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRFL110TRPBF-BE3

    IRFL110TRPBF-BE3

    MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

    Vishay Siliconix

    3,289
    IRFL110TRPBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1.5A (Tc) 10V 540mOhm @ 900mA, 10V 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 2W (Ta), 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    IPN70R450P7SATMA1

    IPN70R450P7SATMA1

    MOSFET N-CH 700V 10A SOT223

    Infineon Technologies

    3,165
    IPN70R450P7SATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ P7 TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 10A (Tc) 10V 450mOhm @ 2.3A, 10V 3.5V @ 120µA 13.1 nC @ 10 V ±16V 424 pF @ 400 V - 7.1W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT223
    IPD25N06S240ATMA2

    IPD25N06S240ATMA2

    MOSFET N-CH 55V 29A TO252-31

    Infineon Technologies

    2,427
    IPD25N06S240ATMA2

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 29A (Tc) 10V 40mOhm @ 13A, 10V 4V @ 26µA 18 nC @ 10 V ±20V 513 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    SI7114ADN-T1-GE3

    SI7114ADN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

    Vishay Siliconix

    20,676
    SI7114ADN-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 7.5mOhm @ 18A, 10V 2.5V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V 1230 pF @ 15 V - 3.7W (Ta), 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
    RS1E280BNTB

    RS1E280BNTB

    MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

    Rohm Semiconductor

    19,987
    RS1E280BNTB

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 28A (Ta), 80A (Tc) 4.5V, 10V 2.3mOhm @ 28A, 10V 2.5V @ 1mA 94 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 15 V - 3W (Ta), 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    IPC70N04S5L4R2ATMA1

    IPC70N04S5L4R2ATMA1

    MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34

    Infineon Technologies

    14,280
    IPC70N04S5L4R2ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 4.2mOhm @ 35A, 10V 2V @ 17µA 30 nC @ 10 V ±16V 1600 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TDSON-8-34
    SQS142ENW-T1_GE3

    SQS142ENW-T1_GE3

    AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

    Vishay Siliconix

    5,998
    SQS142ENW-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8SLW Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 110A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 10A, 10V 3.3V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 1952 pF @ 25 V - 113W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK® 1212-8SLW
    SIR1309DP-T1-GE3

    SIR1309DP-T1-GE3

    P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

    Vishay Siliconix

    4,519
    SIR1309DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 19.1A (Ta), 65.7A (Tc) 4.5V, 10V 7.3mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 87 nC @ 10 V ±25V 3250 pF @ 15 V - 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SIHFRC20TR-GE3

    SIHFRC20TR-GE3

    MOSFET N-CHANNEL 600V

    Vishay Siliconix

    1,521
    SIHFRC20TR-GE3

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2A (Tc) 10V 4.4Ohm @ 1.2A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    IPA50R800CEXKSA2

    IPA50R800CEXKSA2

    MOSFET N-CH 500V 4.1A TO220

    Infineon Technologies

    287
    IPA50R800CEXKSA2

    Техническая документация

    CoolMOS™ CE TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4.1A (Tc) 13V 800mOhm @ 1.5A, 13V 3.5V @ 130µA 12.4 nC @ 10 V ±20V 280 pF @ 100 V - 26.4W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-FP
    CSD25480F3T

    CSD25480F3T

    MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR

    Texas Instruments

    16,604
    CSD25480F3T

    Техническая документация

    FemtoFET™ 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.7A (Ta) 1.8V, 8V 132mOhm @ 400mA, 8V 1.2V @ 250µA 0.91 nC @ 10 V -12V 155 pF @ 10 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-PICOSTAR
    CSD23280F3T

    CSD23280F3T

    MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR

    Texas Instruments

    12,029
    CSD23280F3T

    Техническая документация

    FemtoFET™ 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 1.8A (Ta) 1.5V, 4.5V 116mOhm @ 400mA, 4.5V 950mV @ 250µA 1.23 nC @ 4.5 V -6V 234 pF @ 6 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-PICOSTAR
    NTMFS4C05NT1G

    NTMFS4C05NT1G

    MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN

    onsemi

    8,400
    NTMFS4C05NT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11.9A (Ta) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±20V 1972 pF @ 15 V - 770mW (Ta), 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    FDMS0308AS

    FDMS0308AS

    MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN

    onsemi

    6,754
    FDMS0308AS

    Техническая документация

    PowerTrench®, SyncFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24A (Ta), 49A (Tc) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 24A, 10V 3V @ 1mA 47 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    MCG53N06A-TP

    MCG53N06A-TP

    N-CHANNEL MOSFET,DFN3333

    Micro Commercial Co

    6,656
    MCG53N06A-TP

    Техническая документация

    - 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 53A 4.5V, 10V 8.2mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 35 V - 45W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN3333
    CSD25483F4T

    CSD25483F4T

    MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR

    Texas Instruments

    2,790
    CSD25483F4T

    Техническая документация

    FemtoFET™ 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.6A (Ta) 1.8V, 4.5V 205mOhm @ 500mA, 8V 1.2V @ 250µA 0.96 nC @ 4.5 V -12V 198 pF @ 10 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-PICOSTAR
    SIS890ADN-T1-GE3

    SIS890ADN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK

    Vishay Siliconix

    4,707
    SIS890ADN-T1-GE3

    Техническая документация

    - PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 7.6A (Ta), 24.7A (Tc) - 25.5mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 1330 pF @ 50 V - 3.6W (Ta), 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
    PSMN4R2-30MLDX

    PSMN4R2-30MLDX

    MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33

    Nexperia USA Inc.

    3,448
    PSMN4R2-30MLDX

    Техническая документация

    - SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 4.3mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 29.3 nC @ 10 V ±20V 1795 pF @ 15 V Schottky Diode (Body) 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK33
    BUK9M9R1-40EX

    BUK9M9R1-40EX

    MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK33

    Nexperia USA Inc.

    3,194
    BUK9M9R1-40EX

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 64A (Tc) 5V 7.3mOhm @ 20A, 10V 2.1V @ 1mA 16.2 nC @ 5 V ±10V 2048 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK33
    STS1NK60Z

    STS1NK60Z

    MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO

    STMicroelectronics

    2,474
    STS1NK60Z

    Техническая документация

    SuperMESH™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 250mA (Tc) 10V 15Ohm @ 400mA, 10V 4.5V @ 50µA 6.9 nC @ 10 V ±30V 94 pF @ 25 V - 2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    Total 36322 Record«Prev1... 7891011121314...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.