БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    BS107PSTZ

    BS107PSTZ

    MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE

    Diodes Incorporated

    3,954
    BS107PSTZ

    Техническая документация

    - E-Line-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 120mA (Ta) 2.6V, 5V 30Ohm @ 100mA, 5V - - ±20V 85 pF @ 25 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
    TJ10S04M3L,LXHQ

    TJ10S04M3L,LXHQ

    MOSFET P-CH 40V 10A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    3,780
    TJ10S04M3L,LXHQ

    Техническая документация

    U-MOSVI TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 10A (Ta) 6V, 10V 44mOhm @ 5A, 10V 3V @ 1mA 19 nC @ 10 V +10V, -20V 930 pF @ 10 V - 27W (Tc) 175°C - - Surface Mount DPAK+
    PSMN038-100YLX

    PSMN038-100YLX

    MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    2,058
    PSMN038-100YLX

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 30A (Tc) 5V, 10V 37.5mOhm @ 5A, 10V 2.1V @ 1mA 39.2 nC @ 10 V ±20V 1905 pF @ 25 V - 94.9W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    TSM170N06PQ56 RLG

    TSM170N06PQ56 RLG

    MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN

    Taiwan Semiconductor Corporation

    58,106
    TSM170N06PQ56 RLG

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 44A (Tc) 4.5V, 10V 17mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 1556 pF @ 30 V - 73.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (5x6)
    CWDM3011P TR13 PBFREE

    CWDM3011P TR13 PBFREE

    MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

    Central Semiconductor Corp

    6,648
    CWDM3011P TR13 PBFREE

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 20mOhm @ 11A, 10V 3V @ 250µA 80 nC @ 10 V 20V 3100 pF @ 8 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    SQJA37EP-T1_BE3

    SQJA37EP-T1_BE3

    P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

    Vishay Siliconix

    6,000
    SQJA37EP-T1_BE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 9.2mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 4900 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
    RV5A040APTCR1

    RV5A040APTCR1

    MOSFET P-CH 12V 4A DFN1616-6

    Rohm Semiconductor

    5,995
    RV5A040APTCR1

    Техническая документация

    - 6-PowerWFDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 4A (Ta) 1.5V, 4.5V 62mOhm @ 4A, 4.5V 1V @ 1mA 16 nC @ 4.5 V -8V, 0V 2000 pF @ 6 V - 700mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN1616-8S
    SI4800BDY-T1-GE3

    SI4800BDY-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO

    Vishay Siliconix

    5,019
    SI4800BDY-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.5A (Ta) 4.5V, 10V 18.5mOhm @ 9A, 10V 1.8V @ 250µA 13 nC @ 5 V ±25V - - 1.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    CSD16410Q5A

    CSD16410Q5A

    MOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON

    Texas Instruments

    4,922
    CSD16410Q5A

    Техническая документация

    NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 16A (Ta), 59A (Tc) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 17A, 10V 2.3V @ 250µA 5 nC @ 4.5 V +16V, -12V 740 pF @ 12.5 V - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSONP (5x6)
    NVTFS5124PLWFTAG

    NVTFS5124PLWFTAG

    MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN

    onsemi

    4,155
    NVTFS5124PLWFTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2.4A (Ta) 4.5V, 10V 260mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 250µA 6 nC @ 10 V ±20V 250 pF @ 25 V - 3W (Ta), 18W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    STD1NK60-1

    STD1NK60-1

    MOSFET N-CH 600V 1A IPAK

    STMicroelectronics

    3,716
    STD1NK60-1

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1A (Tc) 10V 8.5Ohm @ 500mA, 10V 3.7V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±30V 156 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    DMTH45M5LPSWQ-13

    DMTH45M5LPSWQ-13

    MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

    Diodes Incorporated

    3,350
    DMTH45M5LPSWQ-13

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 86A (Tc) 4.5V, 10V 5.5mOhm @ 25A, 10V 2.3V @ 250µA 13.9 nC @ 10 V ±20V 978 pF @ 20 V - 3.5W (Ta), 72W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
    TK15S04N1L,LXHQ

    TK15S04N1L,LXHQ

    MOSFET N-CH 40V 15A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    1,922
    TK15S04N1L,LXHQ

    Техническая документация

    U-MOSVIII-H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 15A (Ta) 4.5V, 10V 17.8mOhm @ 7.5A, 10V 2.5V @ 100µA 10 nC @ 10 V ±20V 610 pF @ 10 V - 46W (Tc) 175°C - - Surface Mount DPAK+
    PJP45N06A_T0_00001

    PJP45N06A_T0_00001

    60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    1,851
    PJP45N06A_T0_00001

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 55A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 2256 pF @ 25 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    ISC026N03L5SATMA1

    ISC026N03L5SATMA1

    MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON

    Infineon Technologies

    21,409
    ISC026N03L5SATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 2.6mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-6
    DMP3011SSS-13

    DMP3011SSS-13

    MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2

    Diodes Incorporated

    6,001
    DMP3011SSS-13

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta), 32A (Tc) 4.5V, 10V 10mOhm @ 11.5A, 10V 3V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±25V 2380 pF @ 15 V - 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF510PBF-BE3

    IRF510PBF-BE3

    MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB

    Vishay Siliconix

    5,464
    IRF510PBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 5.6A (Tc) - 540mOhm @ 3.4A, 10V 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    NTMFS5C456NLT1G

    NTMFS5C456NLT1G

    MOSFET N-CH 40V 5DFN

    onsemi

    4,434
    NTMFS5C456NLT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 87A (Tc) 4.5V, 10V 3.7mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 25 V - 3.6W (Ta), 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    BUK7Y12-40EX

    BUK7Y12-40EX

    MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    4,371
    BUK7Y12-40EX

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 52A (Tc) 10V 12mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 15 nC @ 10 V ±20V 1039 pF @ 25 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    SIS447DN-T1-GE3

    SIS447DN-T1-GE3

    MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8

    Vishay Siliconix

    3,720
    SIS447DN-T1-GE3

    Техническая документация

    - PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 18A (Tc) 2.5V, 10V 7.1mOhm @ 20A, 10V 1.2V @ 250µA 181 nC @ 10 V ±12V 5590 pF @ 10 V - 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
    Total 36322 Record«Prev1... 678910111213...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.