БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG 103AT-2 TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 103AT-11 S-562T 357
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      BSZ180P03NS3EGATMA1

      BSZ180P03NS3EGATMA1

      MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON

      Infineon Technologies

      		 3,590
      Запрос на предложение
      		BSZ180P03NS3EGATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9A (Ta), 39.5A (Tc) 6V, 10V 18mOhm @ 20A, 10V 3.1V @ 48µA 30 nC @ 10 V ±25V 2220 pF @ 15 V - 2.1W (Ta), 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSDSON-8
      SIRA14DP-T1-GE3

      SIRA14DP-T1-GE3

      MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8

      Vishay Siliconix

      		 704
      Запрос на предложение
      		SIRA14DP-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 58A (Tc) 4.5V, 10V 5.1mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 250µA 29 nC @ 10 V +20V, -16V 1450 pF @ 15 V - 3.6W (Ta), 31.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      AO4419

      AO4419

      MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 31,500
      Запрос на предложение
      		AO4419

      Техническая документация

             		- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.7A (Ta) 4.5V, 10V 20mOhm @ 9.7A, 10V 2.7V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 15 V - 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
      SISA14BDN-T1-GE3

      SISA14BDN-T1-GE3

      N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

      Vishay Siliconix

      		 13,005
      Запрос на предложение
      		SISA14BDN-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 21A (Ta), 72A (Tc) 4.5V, 10V 5.38mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 250µA 22 nC @ 10 V +20V, -16V 917 pF @ 15 V - 3.8W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
      PSMN9R5-30YLC,115

      PSMN9R5-30YLC,115

      MOSFET N-CH 30V 44A LFPAK56

      Nexperia USA Inc.

      		 9,306
      Запрос на предложение
      		PSMN9R5-30YLC,115

      Техническая документация

             		- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 44A (Tc) 4.5V, 10V 9.8mOhm @ 15A, 10V 1.95V @ 1mA 10.4 nC @ 10 V ±20V 681 pF @ 15 V - 34W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
      BUK9Y21-40E,115

      BUK9Y21-40E,115

      MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK56

      Nexperia USA Inc.

      		 6,924
      Запрос на предложение
      		BUK9Y21-40E,115

      Техническая документация

             		- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 33A (Tc) 5V 17mOhm @ 10A, 10V 2.1V @ 1mA 7 nC @ 5 V ±10V 824 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
      RTQ035N03HZGTR

      RTQ035N03HZGTR

      MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6

      Rohm Semiconductor

      		 6,000
      Запрос на предложение
      		RTQ035N03HZGTR

      Техническая документация

             		- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.5A (Ta) 2.5V, 4.5V 54mOhm @ 3.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 6.4 nC @ 4.5 V ±12V 285 pF @ 10 V - 950mW (Ta) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TSMT6 (SC-95)
      FDMS7680

      FDMS7680

      MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN

      onsemi

      		 5,073
      Запрос на предложение
      		FDMS7680

      Техническая документация

             		PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta), 28A (Tc) 4.5V, 10V 6.9mOhm @ 14A, 10V 3V @ 250µA 28 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
      RQ3E180BNTB

      RQ3E180BNTB

      MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT

      Rohm Semiconductor

      		 5,051
      Запрос на предложение
      		RQ3E180BNTB

      Техническая документация

             		- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 39A (Tc) 4.5V, 10V 3.9mOhm @ 18A, 10V 2.5V @ 1mA 37 nC @ 4.5 V ±20V 3500 pF @ 15 V - 2W (Ta), 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
      STL6N2VH5

      STL6N2VH5

      MOSFET N-CH 20V POWERFLAT

      STMicroelectronics

      		 2,834
      Запрос на предложение
      		STL6N2VH5

      Техническая документация

             		STripFET™ V 6-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6A (Tj) 2.5V, 4.5V 30mOhm @ 3A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 6 nC @ 4.5 V ±8V 550 pF @ 16 V - 2.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (2x2)
      DMPH4029LFGQ-7

      DMPH4029LFGQ-7

      MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333

      Diodes Incorporated

      		 741
      Запрос на предложение
      		DMPH4029LFGQ-7

      Техническая документация

             		- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 8A (Ta), 22A (Tc) 4.5V, 10V 29mOhm @ 3A, 10V 3V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 1626 pF @ 20 V - 1.2W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount POWERDI3333-8
      DMT6015LSS-13

      DMT6015LSS-13

      MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO

      Diodes Incorporated

      		 9,716
      Запрос на предложение
      		DMT6015LSS-13

      Техническая документация

             		- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 9.2A (Ta) 4.5V, 10V 16mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 18.9 nC @ 30 V ±16V 1103 pF @ 30 V - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
      DMN4034SSS-13

      DMN4034SSS-13

      MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO

      Diodes Incorporated

      		 9,022
      Запрос на предложение
      		DMN4034SSS-13

      Техническая документация

             		- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 5.4A (Ta) 4.5V, 10V 34mOhm @ 6A, 10V 3V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 453 pF @ 20 V - 1.56W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
      SI3473CDV-T1-GE3

      SI3473CDV-T1-GE3

      MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP

      Vishay Siliconix

      		 8,476
      Запрос на предложение
      		SI3473CDV-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 8A (Tc) 1.8V, 4.5V 22mOhm @ 8.1A, 4.5V 1V @ 250µA 65 nC @ 8 V ±8V 2010 pF @ 6 V - 2W (Ta), 4.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
      PSMN041-80YLX

      PSMN041-80YLX

      MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56

      Nexperia USA Inc.

      		 6,051
      Запрос на предложение
      		PSMN041-80YLX

      Техническая документация

             		- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 25A (Tc) 5V, 10V 41mOhm @ 5A, 10V 2.1V @ 1mA 21.9 nC @ 10 V ±20V 1108 pF @ 25 V - 64W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
      TSM1NB60CP ROG

      TSM1NB60CP ROG

      MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252

      Taiwan Semiconductor Corporation

      		 6,000
      Запрос на предложение
      		TSM1NB60CP ROG

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1A (Tc) 10V 10Ohm @ 500mA, 10V 4.5V @ 250µA 6.1 nC @ 10 V ±30V 138 pF @ 25 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
      RQ3E180GNTB

      RQ3E180GNTB

      MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT

      Rohm Semiconductor

      		 4,590
      Запрос на предложение
      		RQ3E180GNTB

      Техническая документация

             		- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 18A (Ta), 39A (Tc) 4.5V, 10V 4.3mOhm @ 18A, 10V 2.5V @ 1mA 22.4 nC @ 10 V ±20V 1520 pF @ 15 V - 2W (Ta), 20W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
      PJQ4441P-AU_R2_000A1

      PJQ4441P-AU_R2_000A1

      40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

      Panjit International Inc.

      		 4,280
      Запрос на предложение
      		PJQ4441P-AU_R2_000A1

      Техническая документация

             		- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 8.5A (Ta), 44A (Tc) 4.5V, 10V 17mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±20V 2030 pF @ 25 V - 2W (Ta), 59.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN3333-8
      FDC640P

      FDC640P

      MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6

      onsemi

      		 3,458
      Запрос на предложение
      		FDC640P

      Техническая документация

             		PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.5A (Ta) 2.5V, 4.5V 53mOhm @ 4.5A, 4.5V 1.5V @ 250µA 13 nC @ 4.5 V ±12V 890 pF @ 10 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
      ZVN2110ASTZ

      ZVN2110ASTZ

      MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE

      Diodes Incorporated

      		 2,420
      Запрос на предложение
      		ZVN2110ASTZ

      Техническая документация

             		- E-Line-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 320mA (Ta) 10V 4Ohm @ 1A, 10V 2.4V @ 1mA - ±20V 75 pF @ 25 V - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
      Total 36322 Record«Prev1234...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]