БомКей Электроникс!

    FET, массивы MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRF7328TRPBF

    IRF7328TRPBF

    MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO

    Infineon Technologies

    5,840
    IRF7328TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 8A 21mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 250µA 78nC @ 10V 2675pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    HT8KB6TB1

    HT8KB6TB1

    MOSFET 2N-CH 40V 8A 8HSMT

    Rohm Semiconductor

    6,890
    HT8KB6TB1

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 40V 8A (Ta), 15A (Tc) 17.2mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 1mA 10.6nC @ 10V 530pF @ 20V 2W (Ta), 14W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
    IQE220N15NM5SCATMA1

    IQE220N15NM5SCATMA1

    MOSFET 2N-CH 150V 8WHSON

    Infineon Technologies

    6,934
    IQE220N15NM5SCATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 150V - - - - - - - - - Surface Mount PG-WHSON-8-1
    FAM65CR51ADZ1

    FAM65CR51ADZ1

    MOSFET 2N-CH 650V 41A APMCD-B16

    onsemi

    3,999
    FAM65CR51ADZ1

    Техническая документация

    - 12-SSIP Exposed Pad, Formed Leads Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel - 650V 41A (Tc) 51mOhm @ 20A, 10V 5V @ 3.3mA 123nC @ 10V 4864pF @ 400V 189W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole APMCD-B16
    NVXK2TR80WDT

    NVXK2TR80WDT

    MOSFET 4N-CH 1200V 20A APM32

    onsemi

    5,193
    NVXK2TR80WDT

    Техническая документация

    - 32-PowerDIP Module (1.311", 33.30mm) Tube Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 20A (Tc) 116mOhm @ 20A, 20V 4.3V @ 5mA 56nC @ 20V 1154pF @ 800V 82W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole APM32
    NVXK2VR80WXT2

    NVXK2VR80WXT2

    MOSFET 6N-CH 1200V 31A APM32

    onsemi

    3,969
    NVXK2VR80WXT2

    Техническая документация

    - 32-PowerDIP Module (1.449", 36.80mm) Tube Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 31A (Tc) 116mOhm @ 20A, 20V 4.3V @ 5mA 56nC @ 20V 1154pF @ 800V 208W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole APM32
    NVXK2PR80WXT2

    NVXK2PR80WXT2

    MOSFET 4N-CH 1200V 31A APM32

    onsemi

    2,267
    NVXK2PR80WXT2

    Техническая документация

    - 32-PowerDIP Module (1.449", 36.80mm) Tube Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Full Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 31A (Tc) 116mOhm @ 20A, 20V 4.3V @ 5mA 56nC @ 20V 1154pF @ 800V 208W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole APM32
    M1P45M12W2-1LA

    M1P45M12W2-1LA

    MOSFET 6N-CH 1200V ACEPACK DMT

    STMicroelectronics

    5,427
    M1P45M12W2-1LA

    Техническая документация

    ECOPACK® 32-PowerDIP Module (1.264", 32.10mm) Tube Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (Phase Leg) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 30A (Tc) 60.5mOhm @ 20A, 18V 5V @ 1mA 100nC @ 18V 2086pF @ 800V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole ACEPACK DMT-32
    NVXK2VR80WDT2

    NVXK2VR80WDT2

    MOSFET 6N-CH 1200V 20A APM32

    onsemi

    2,337
    NVXK2VR80WDT2

    Техническая документация

    - 32-PowerDIP Module (1.449", 36.80mm) Tube Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 20A (Tc) 116mOhm @ 20A, 20V 4.3V @ 5mA 56nC @ 20V 1154pF @ 800V 82W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole APM32
    M1F80M12W2-1LA

    M1F80M12W2-1LA

    AUTOMOTIVE-GRADE ACEPACK DMT-32

    STMicroelectronics

    9,403
    M1F80M12W2-1LA

    Техническая документация

    * - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - -
    NXH040F120MNF1PG

    NXH040F120MNF1PG

    MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM

    onsemi

    6,006
    NXH040F120MNF1PG

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel - 1200V (1.2kV) 30A (Tc) 56mOhm @ 25A, 20V 4.3V @ 10mA 122.1nC @ 20V 1505pF @ 800V 74W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount 22-PIM (33.8x42.5)
    MSCSM120AM50T1AG

    MSCSM120AM50T1AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 55A

    Microchip Technology

    7,822
    MSCSM120AM50T1AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 55A (Tc) 50mOhm @ 40A, 20V 2.7V @ 1mA 137nC @ 20V 1990pF @ 1000V 245W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    NXH010P90MNF1PG

    NXH010P90MNF1PG

    MOSFET 2N-CH 900V 154A

    onsemi

    3,091
    NXH010P90MNF1PG

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 900V 154A (Tc) 14mOhm @ 100A, 15V 4.3V @ 40mA 546.4nC @ 15V 7007pF @ 450V 328W (Tj) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    NXH010P120MNF1PG

    NXH010P120MNF1PG

    MOSFET 2N-CH 1200V 114A

    onsemi

    5,990
    NXH010P120MNF1PG

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1200V (1.2kV) 114A (Tc) 14mOhm @ 100A, 20V 4.3V @ 40mA 454nC @ 20V 4707pF @ 800V 250W (Tj) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    NXH020P120MNF1PG

    NXH020P120MNF1PG

    MOSFET 2N-CH 1200V 51A

    onsemi

    2,676
    NXH020P120MNF1PG

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1200V (1.2kV) 51A (Tc) 30mOhm @ 50A, 20V 4.3V @ 20mA 213.5nC @ 20V 2420pF @ 800V 119W (Tj) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    NXH006P120M3F2PTHG

    NXH006P120M3F2PTHG

    MOSFET 2N-CH 1200V 191A 36PIM

    onsemi

    3,939
    NXH006P120M3F2PTHG

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 191A (Tc) 8mOhm @ 100A, 18V 4.4V @ 80mA 622nC @ 20V 11914pF @ 800V 556W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount 36-PIM (56.7x62.8)
    A2U8M12W3-FC

    A2U8M12W3-FC

    MOSFET 4N-CH 750V/1.2KV 180A

    STMicroelectronics

    9,411
    A2U8M12W3-FC

    Техническая документация

    ECOPACK® Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) Silicon Carbide (SiC) 750V, 1.2kV 180A, 140A 8mOhm @ 100A, 18V, 12.5mOhm @ 100A, 18V 4.2V @ 2mA, 4V @ 2mA 288nC @ 18V, 304nC @ 18V 7660pF @ 400V, 7370pF @ 800V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    CAB011A12GM3

    CAB011A12GM3

    MOSFET 2N-CH 1200V 141A MODULE

    Wolfspeed, Inc.

    5,026
    CAB011A12GM3

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 141A (Tj) 13.9mOhm @ 150A, 15V 3.9V @ 34mA 354nC @ 15V 11000pF @ 1000V 10mW -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    CAB008A12GM3T

    CAB008A12GM3T

    MOSFET 2N-CH 1200V 182A MODULE

    Wolfspeed, Inc.

    1,401
    CAB008A12GM3T

    Техническая документация

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 182A (Tj) 10.4mOhm @ 150A, 15V 3.6V @ 46mA 472nC @ 15V 13600pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    BSM300D12P4G101

    BSM300D12P4G101

    MOSFET 2N-CH 1200V 291A MODULE

    Rohm Semiconductor

    2,899
    BSM300D12P4G101

    Техническая документация

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel - 1200V (1.2kV) 291A (Tc) - 4.8V @ 145.6mA - 30000pF @ 10V 925W (Tc) 175°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    Total 5737 Record«Prev1... 149150151152153154155156...287Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.