БомКей Электроникс!

    FET, массивы MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    MSCSM170HM45CT3AG

    MSCSM170HM45CT3AG

    MOSFET 4N-CH 1700V 64A

    Microchip Technology

    3,731
    MSCSM170HM45CT3AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Full Bridge) - 1700V (1.7kV) 64A (Tc) 45mOhm @ 30A, 20V 3.2V @ 2.5mA 178nC @ 20V 3300pF @ 1000V 319W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM170DUM11T3AG

    MSCSM170DUM11T3AG

    MOSFET 2N-CH 1700V 240A SP3F

    Microchip Technology

    1,694
    MSCSM170DUM11T3AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1700V (1.7kV) 240A (Tc) 11.3mOhm @ 120A, 20V 3.2V @ 10mA 712nC @ 20V 13200pF @ 1000V 1140W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP3F
    BSM120D12P2C005

    BSM120D12P2C005

    MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

    Rohm Semiconductor

    1,339
    BSM120D12P2C005

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 120A (Tc) - 2.7V @ 22mA - 14000pF @ 10V 780W -40°C ~ 150°C (TJ) - - - Module
    MSCSM120TAM31CT3AG

    MSCSM120TAM31CT3AG

    MOSFET 6N-CH 1200V 89A SP3F

    Microchip Technology

    1,776
    MSCSM120TAM31CT3AG

    Техническая документация

    - Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 1200V (1.2kV) 89A (Tc) 31mOhm @ 40A, 20V 2.8V @ 1mA 232nC @ 20V 3020pF @ 1000V 395W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP3F
    MSCSM120DUM08T3AG

    MSCSM120DUM08T3AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 337A SP3F

    Microchip Technology

    4,689
    MSCSM120DUM08T3AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1200V (1.2kV) 337A (Tc) 7.8mOhm @ 80A, 20V 2.8V @ 4mA 928nC @ 20V 12100pF @ 1000V 1409W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP3F
    MSCSM170TLM23C3AG

    MSCSM170TLM23C3AG

    MOSFET 4N-CH 1700V 124A SP3F

    Microchip Technology

    1,645
    MSCSM170TLM23C3AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 1700V (1.7kV) 124A (Tc) 22.5mOhm @ 60A, 20V 3.2V @ 5mA 356nC @ 20V 6600pF @ 1000V 602W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP3F
    MSCSM170TAM45CT3AG

    MSCSM170TAM45CT3AG

    MOSFET 6N-CH 1700V 64A

    Microchip Technology

    2,464
    MSCSM170TAM45CT3AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 1700V (1.7kV) 64A (Tc) 45mOhm @ 30A, 20V 3.2V @ 2.5mA 178nC @ 20V 3300pF @ 1000V 319W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM170AM15CT3AG

    MSCSM170AM15CT3AG

    MOSFET 2N-CH 1700V 181A

    Microchip Technology

    4,551
    MSCSM170AM15CT3AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1700V (1.7kV) 181A (Tc) 15mOhm @ 90A, 20V 3.2V @ 7.5mA 534nC @ 20V 9900pF @ 1000V 862W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM120AM08CT3AG

    MSCSM120AM08CT3AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 337A SP3F

    Microchip Technology

    3,369
    MSCSM120AM08CT3AG

    Техническая документация

    - Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 337A (Tc) 7.8mOhm @ 160A, 20V 2.8V @ 4mA 928nC @ 20V 12.08pF @ 1000V 1.409kW (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP3F
    FF2MR12W3M1HB11BPSA1

    FF2MR12W3M1HB11BPSA1

    MOSFET 4N-CH 1200V AG-EASY3B

    Infineon Technologies

    1,998
    FF2MR12W3M1HB11BPSA1

    Техническая документация

    EasyPACK™, CoolSiC™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Full Bridge) - 1200V (1.2kV) 400A (Tj) 2.27mOhm @ 400A, 18V 5.15V @ 224mA 1600nC @ 18V 48400pF @ 800V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount AG-EASY3B
    MSCSM70DUM025AG

    MSCSM70DUM025AG

    MOSFET 2N-CH 700V 689A

    Microchip Technology

    3,841
    MSCSM70DUM025AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 700V 689A (Tc) 3.2mOhm @ 240A, 20V 2.4V @ 24mA 1290nC @ 20V 27000pF @ 700V 1882W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    BSM180D12P2E002

    BSM180D12P2E002

    MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE

    Rohm Semiconductor

    4,888
    BSM180D12P2E002

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 204A (Tc) - 4V @ 35.2mA - 18000pF @ 10V 1360W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    MSCSM120DUM042AG

    MSCSM120DUM042AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 495A

    Microchip Technology

    2,067
    MSCSM120DUM042AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1200V (1.2kV) 495A (Tc) 5.2mOhm @ 240A, 20V 2.8V @ 6mA 1392nC @ 20V 18100pF @ 1000V 2031W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM170TAM23CTPAG

    MSCSM170TAM23CTPAG

    MOSFET 6N-CH 1700V 122A

    Microchip Technology

    1,116
    MSCSM170TAM23CTPAG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (Phase Leg) - 1700V (1.7kV) 122A (Tc) 22.5mOhm @ 60A, 20V 3.2V @ 5mA 356nC @ 20V 6600pF @ 1000V 588W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM120AM042CT6LIAG

    MSCSM120AM042CT6LIAG

    MOSFET 2N-CH 1200V 495A SP6C LI

    Microchip Technology

    2,540
    MSCSM120AM042CT6LIAG

    Техническая документация

    - Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 495A (Tc) 5.2mOhm @ 240A, 20V 2.8V @ 6mA 1392nC @ 20V 18100pF @ 1kV 2.031kW (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP6C LI
    MSCSM120AM042CD3AG

    MSCSM120AM042CD3AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 495A D3

    Microchip Technology

    2,513
    MSCSM120AM042CD3AG

    Техническая документация

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 495A (Tc) 5.2mOhm @ 240A, 20V 2.8V @ 6mA 1392nC @ 20V 18.1pF @ 1000V 2.031kW (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount D3
    MSCSM70TLM05CAG

    MSCSM70TLM05CAG

    MOSFET 4N-CH 700V 464A SP6C

    Microchip Technology

    4,303
    MSCSM70TLM05CAG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 700V 464A (Tc) 4.8mOhm @ 160A, 20V 2.4V @ 16mA 860nC @ 20V 18000pF @ 700V 1277W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP6C
    MSCSM170HM12CAG

    MSCSM170HM12CAG

    MOSFET 4N-CH 1700V 179A

    Microchip Technology

    3,182
    MSCSM170HM12CAG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Full Bridge) - 1700V (1.7kV) 179A (Tc) 15mOhm @ 90A, 20V 3.2V @ 7.5mA 534nC @ 20V 9900pF @ 1000V 843W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM170AM058CT6AG

    MSCSM170AM058CT6AG

    MOSFET 2N-CH 1700V 353A

    Microchip Technology

    4,218
    MSCSM170AM058CT6AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1700V (1.7kV) 353A (Tc) 7.5mOhm @ 180A, 20V 3.3V @ 15mA 1068nC @ 20V 19800pF @ 1000V 1.642kW (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM170TAM15CTPAG

    MSCSM170TAM15CTPAG

    MOSFET 6N-CH 1700V 179A

    Microchip Technology

    1,024
    MSCSM170TAM15CTPAG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (Phase Leg) - 1700V (1.7kV) 179A (Tc) 15mOhm @ 90A, 20V 3.2V @ 7.5mA 534nC @ 20V 9900pF @ 1000V 843W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    Total 5737 Record«Prev1... 131132133134135136137138...287Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.