БомКей Электроникс!

    FET, массивы MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    ALD310700APCL

    ALD310700APCL

    MOSFET 4P-CH 8V 16PDIP

    Advanced Linear Devices Inc.

    1,948
    ALD310700APCL

    Техническая документация

    EPAD®, Zero Threshold™ 16-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 4 P-Channel, Matched Pair - 8V - - 20mV @ 1µA - 2.5pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C - - Through Hole 16-PDIP
    ALD210800APCL

    ALD210800APCL

    MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16PDIP

    Advanced Linear Devices Inc.

    1,030
    ALD210800APCL

    Техническая документация

    EPAD®, Zero Threshold™ 16-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel, Matched Pair Logic Level Gate 10.6V 80mA 25Ohm 10mV @ 10µA - 15pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Through Hole 16-PDIP
    SH68N65DM6AG

    SH68N65DM6AG

    MOSFET 2N-CH 650V 64A 9ACEPACK

    STMicroelectronics

    4,850
    SH68N65DM6AG

    Техническая документация

    ECOPACK® 9-PowerSMD Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 650V 64A (Tc) 41mOhm @ 23A, 10V 4.75V @ 250µA 116nC @ 10V 5900pF @ 100V 379W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 9-ACEPACK SMIT
    FS55MR12W1M1HB11NPSA1

    FS55MR12W1M1HB11NPSA1

    MOSFET 6N-CH 1200V 15A AG-EASY1B

    Infineon Technologies

    3,744
    FS55MR12W1M1HB11NPSA1

    Техническая документация

    EasyPACK™, CoolSiC™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (Full Bridge) - 1200V (1.2kV) 15A (Tj) 79mOhm @ 15A, 18V 5.15V @ 6mA 45nC @ 18V 1350pF @ 800V - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount AG-EASY1B
    MSCSM70AM19T1AG

    MSCSM70AM19T1AG

    MOSFET 2N-CH 700V 124A

    Microchip Technology

    1,460
    MSCSM70AM19T1AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 700V 124A (Tc) 19mOhm @ 40A, 20V 2.4V @ 4mA 215nC @ 20V 4500pF @ 700V 365W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM120AM31CT1AG

    MSCSM120AM31CT1AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 89A SP1F

    Microchip Technology

    2,168
    MSCSM120AM31CT1AG

    Техническая документация

    - Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 89A (Tc) 31mOhm @ 40A, 20V 2.8V @ 1mA 232nC @ 20V 3020pF @ 1000V 395W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP1F
    MSCSM70TLM44C3AG

    MSCSM70TLM44C3AG

    MOSFET 4N-CH 700V 58A SP3F

    Microchip Technology

    3,994
    MSCSM70TLM44C3AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 700V 58A (Tc) 44mOhm @ 30A, 20V 2.7V @ 2mA 99nC @ 20V 2010pF @ 700V 176W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP3F
    MSCSM170AM45CT1AG

    MSCSM170AM45CT1AG

    MOSFET 2N-CH 1700V 64A

    Microchip Technology

    1,532
    MSCSM170AM45CT1AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1700V (1.7kV) 64A (Tc) 45mOhm @ 30A, 20V 3.2V @ 2.5mA 178nC @ 20V 3300pF @ 1000V 319W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM120TLM50C3AG

    MSCSM120TLM50C3AG

    MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F

    Microchip Technology

    3,784
    MSCSM120TLM50C3AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 1200V (1.2kV) 55A (Tc) 50mOhm @ 40A, 20V 2.7V @ 1mA 137nC @ 20V 1990pF @ 1000V 245W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP3F
    MSCSM170DUM23T3AG

    MSCSM170DUM23T3AG

    MOSFET 2N-CH 1700V 124A SP3F

    Microchip Technology

    3,593
    MSCSM170DUM23T3AG

    Техническая документация

    - Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1700V (1.7kV) 124A (Tc) 22.5mOhm @ 60A, 20V 3.2V @ 5mA 356nC @ 20V 6600pF @ 1000V 602W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP3F
    MSCSM70HM19T3AG

    MSCSM70HM19T3AG

    MOSFET 4N-CH 700V 124A

    Microchip Technology

    4,464
    MSCSM70HM19T3AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Full Bridge) - 700V 124A (Tc) 19mOhm @ 40A, 20V 2.4V @ 4mA 215nC @ 20V 4500pF @ 700V 365W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM70DUM10T3AG

    MSCSM70DUM10T3AG

    MOSFET 2N-CH 700V 241A SP3F

    Microchip Technology

    3,885
    MSCSM70DUM10T3AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 700V 241A (Tc) 9.5mOhm @ 80A, 20V 2.4V @ 8mA 430nC @ 20V 9000pF @ 700V 690W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP3F
    MSCSM70AM10T3AG

    MSCSM70AM10T3AG

    MOSFET 2N-CH 700V 241A

    Microchip Technology

    1,911
    MSCSM70AM10T3AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 700V 241A (Tc) 9.5mOhm @ 80A, 20V 2.4V @ 8mA 430nC @ 20V 9000pF @ 700V 690W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM120DUM16T3AG

    MSCSM120DUM16T3AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 173A SP3F

    Microchip Technology

    1,504
    MSCSM120DUM16T3AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1200V (1.2kV) 173A (Tc) 16mOhm @ 80A, 20V 2.8V @ 2mA 464nC @ 20V 6040pF @ 1000V 745W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP3F
    MSCSM170TLM45C3AG

    MSCSM170TLM45C3AG

    MOSFET 4N-CH 1700V 64A SP3F

    Microchip Technology

    2,665
    MSCSM170TLM45C3AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 1700V (1.7kV) 64A (Tc) 45mOhm @ 30A, 20V 3.2V @ 2.5mA 178nC @ 20V 3300pF @ 1000V 319W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP3F
    MSCSM170DUM15T3AG

    MSCSM170DUM15T3AG

    MOSFET 2N-CH 1700V 181A SP3F

    Microchip Technology

    2,868
    MSCSM170DUM15T3AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1700V (1.7kV) 181A (Tc) 15mOhm @ 90A, 20V 3.2V @ 7.5mA 534nC @ 20V 9900pF @ 1000V 862W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP3F
    MSCSM70TAM19T3AG

    MSCSM70TAM19T3AG

    MOSFET 6N-CH 700V 124A

    Microchip Technology

    1,209
    MSCSM70TAM19T3AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (Phase Leg) - 700V 124A (Tc) 19mOhm @ 40A, 20V 2.4V @ 4mA 215nC @ 20V 4500pF @ 700V 365W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM70AM07T3AG

    MSCSM70AM07T3AG

    MOSFET 2N-CH 700V 353A

    Microchip Technology

    3,728
    MSCSM70AM07T3AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 700V 353A (Tc) 6.4mOhm @ 120A, 20V 2.4V @ 12mA 645nC @ 20V 13500pF @ 700V 988W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    MSCSM70DUM07T3AG

    MSCSM70DUM07T3AG

    MOSFET 2N-CH 700V 353A SP3F

    Microchip Technology

    4,829
    MSCSM70DUM07T3AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 700V 353A (Tc) 6.4mOhm @ 120A, 20V 2.4V @ 12mA 645nC @ 20V 13500pF @ 700V 988W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP3F
    MSCSM120DUM11T3AG

    MSCSM120DUM11T3AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 254A SP3F

    Microchip Technology

    1,293
    MSCSM120DUM11T3AG

    Техническая документация

    - Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1200V (1.2kV) 254A (Tc) 10.4mOhm @ 120A, 20V 2.8V @ 3mA 696nC @ 20V 9060pF @ 1000V 1067W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP3F
    Total 5737 Record«Prev1... 130131132133134135136137...287Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.