БомКей Электроникс!

    FET, массивы MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    HP4936DY

    HP4936DY

    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

    Harris Corporation

    1,838
    HP4936DY

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FDMC8200

    FDMC8200

    MOSFET N-CH

    Fairchild Semiconductor

    69,000
    FDMC8200

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    NVMFWD040N10MCLT1G

    NVMFWD040N10MCLT1G

    MOSFET 2N-CH 100V 6.1A 8DFN

    onsemi

    6,000
    NVMFWD040N10MCLT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 100V 6.1A (Ta), 21A (Tc) 39mOhm @ 5A, 10V 3V @ 26µA 8.4nC @ 10V 520pF @ 50V 3.2W (Ta), 36W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
    AM4502C

    AM4502C

    MOSFET N/P-CH 30V 9.4A 8SO

    Analog Power Inc.

    2,000
    AM4502C

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 30V 9.4A (Ta), 7.9A (Ta) 23mOhm @ 8.5A, 10V 1V @ 250µA 15nC @ 10V, 28nC @ 10V 1456pF @ 15V, 1934pF @ 15V 2.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    FDMS7608S

    FDMS7608S

    MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56

    Fairchild Semiconductor

    1,290
    FDMS7608S

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 12A, 15A 10mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 24nC @ 10V 1510pF @ 15V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power56
    AM4512C

    AM4512C

    MOSFET N/P-CH 30V 6.9A 8SO

    Analog Power Inc.

    6,000
    AM4512C

    Техническая документация

    - PowerPAK® SO-8 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 30V 6.7A (Ta), 5.2A (Ta) 31mOhm @ 4.7A, 10V, 52mOhm @ 4.2A, 10V 1V @ 250µA 6nC @ 4.5V, 7nC @ 4.5V 519pF @ 15V, 604pF @ 15V 2.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    AM4902N

    AM4902N

    MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8SO

    Analog Power Inc.

    2,500
    AM4902N

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 60V 6.4A (Ta) 35mOhm @ 5.2A, 10V 1V @ 250µA 16nC @ 4.5V 1460pF @ 15V 2.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    FDMS9620S

    FDMS9620S

    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

    Fairchild Semiconductor

    234,000
    FDMS9620S

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FDS6892A

    FDS6892A

    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

    onsemi

    4,514
    FDS6892A

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    AM4998N

    AM4998N

    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO

    Analog Power Inc.

    4,000
    AM4998N

    Техническая документация

    - PowerPAK® SO-8 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 30V 6.7A (Ta) 32mOhm @ 5.3A, 4.5V 0.5V @ 250µA (Min) 9nC @ 4.5V 641pF @ 15V 2.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    FQS4900TF

    FQS4900TF

    MOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    34,750
    FQS4900TF

    Техническая документация

    QFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 60V, 300V 1.3A, 300mA 550mOhm @ 650mA, 10V 1.95V @ 20mA 2.1nC @ 5V - 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    UPA2371T1P-E1-A

    UPA2371T1P-E1-A

    MOSFET 2N-CH 24V 6A 4EFLIP

    Renesas

    5,000
    UPA2371T1P-E1-A

    Техническая документация

    - 4-UFLGA Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 24V 6A - - - - - - - - Surface Mount 4-EFLIP (1.62x1.62)
    NVMFWD027N10MCLT1G

    NVMFWD027N10MCLT1G

    MOSFET 2 N-Channel 100V 7.4A (Ta

    Flip Electronics

    1,500
    NVMFWD027N10MCLT1G

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - -
    RF1K4909096

    RF1K4909096

    RF1K4909096 - POWER FIELD-EFFECT

    Harris Corporation

    4,500
    RF1K4909096

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    RF1K4909396

    RF1K4909396

    RF1K4909396 - POWER FIELD-EFFECT

    Harris Corporation

    2,074
    RF1K4909396

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    NVMFD020N10MCLT1G

    NVMFD020N10MCLT1G

    MOSFET 2 N-Channel 100V 8.3A (Ta

    Flip Electronics

    12,000
    NVMFD020N10MCLT1G

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - -
    UPA2324T1P-E1-A

    UPA2324T1P-E1-A

    MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    30,000
    UPA2324T1P-E1-A

    Техническая документация

    - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - -
    NVMFWD020N10MCLT1G

    NVMFWD020N10MCLT1G

    MOSFET 2 N-Channel 100V 8.3A (Ta

    Flip Electronics

    12,000
    NVMFWD020N10MCLT1G

    Техническая документация

    - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FDSS2407

    FDSS2407

    MOSFET 2N-CH 62V 3.3A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    433,537
    FDSS2407

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 62V 3.3A 110mOhm @ 3.3A, 10V 3V @ 250µA 4.3nC @ 5V 300pF @ 15V 2.27W -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOIC
    AM3816N

    AM3816N

    MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 6TSOP

    Analog Power Inc.

    3,000
    AM3816N

    Техническая документация

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 20V 5.3A (Ta) 30mOhm @ 5.3A, 4.5V 400mV @ 250µA 12nC @ 4.5V 727pF @ 15V 1.25W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
    Total 5737 Record«Prev1... 124125126127128129130131...287Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.