БомКей Электроникс!

    FET, массивы MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    G085C03D32

    G085C03D32

    MOSFET N/P-CH 30V 28A 8DFN

    Goford Semiconductor

    5,000
    G085C03D32

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 30V 28A (Tc), 12A (Tc) 11mOhm @ 10A, 10V, 23mOhm @ 6A, 4.5V 2V @ 250µA 18nC @ 10V, 25nC @ 10V 1085pF @ 15V, 1352pF @ 15V 13W (Tc), 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
    G160N04S2

    G160N04S2

    MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP

    Goford Semiconductor

    4,000
    G160N04S2

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 40V 9A (Tc) 15mOhm @ 4A, 10V 2V @ 250µA 24nC @ 10V 989pF @ 20V 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    FDZ1827NZ

    FDZ1827NZ

    MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP

    Fairchild Semiconductor

    20,000
    FDZ1827NZ

    Техническая документация

    PowerTrench® 6-XFBGA, WLCSP Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain - 20V 10A (Ta) 13mOhm @ 1A, 4.5V 1.2V @ 250µA 24nC @ 10V 2055pF @ 10V 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WLCSP (1.3x2.3)
    G350N06D32

    G350N06D32

    MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN

    Goford Semiconductor

    5,000
    G350N06D32

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 60V 10A (Tc) 35mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 250µA 25nC @ 10V 1330pF @ 30V 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
    G170P02D32

    G170P02D32

    MOSFET P-CH 20V 20A DUAL DFN3*3-

    Goford Semiconductor

    5,000
    G170P02D32

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) - - 20V 20A (Tc) 21mOhm @ 6A, 4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 10V 2193pF @ 10V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
    G4616

    G4616

    MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOP

    Goford Semiconductor

    40,000
    G4616

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) - - 40V 8A (Tc), 7A (Tc) 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 250µA 12nC @ 10V, 13nC @ 10V 415pF @ 20V, 520pF @ 20V 2W (Tc), 2.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    NTEFD2KS26NTCG

    NTEFD2KS26NTCG

    NCH 12V 20A WLCSP DUAL

    onsemi

    1,360,000
    NTEFD2KS26NTCG

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    UPA602T-T2-A

    UPA602T-T2-A

    MOSFET 2N-CH 50V 0.1A SC-59

    Renesas Electronics Corporation

    51,620
    UPA602T-T2-A

    Техническая документация

    - SC-59-6 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 50V 100mA 25Ohm @ 10mA, 10V 1.8V @ 1µA - 16pF @ 5V 300mW 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-59
    G05NP06S2

    G05NP06S2

    MOSFET N/P-CH 60V 5A/3.1A 8SOP

    Goford Semiconductor

    28,000
    G05NP06S2

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) - - 60V 5A (Tc), 3.1A (Tc) 36mOhm @ 4.3A, 10V, 80mOhm @ 3.1A, 10V 2V @ 250µA, 2.2V @ 250µA 22nC @ 10V, 37nC @ 10V 1336pF @ 30V, 1454pF @ 30V 2.5W (Tc), 1.9W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    G05N06S2

    G05N06S2

    MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP

    Goford Semiconductor

    20,000
    G05N06S2

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) - - 60V 5A (Tc) 35mOhm @ 5A, 4.5V 2.5V @ 250µA 26nC @ 10V 1374pF @ 30V 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    G1008B

    G1008B

    MOSFET 100V 8A 8SOP

    Goford Semiconductor

    4,000
    G1008B

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) - - 100V 8A (Tc) 130mOhm @ 2A, 10V 3V @ 250µA 15.5nC @ 10V 690pF @ 25V 3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    PMCM650CUNEZ

    PMCM650CUNEZ

    MOSFET 20V

    Nexperia USA Inc.

    45,000
    PMCM650CUNEZ

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    G170P03S2

    G170P03S2

    MOSFET P+P-CH 30V 11A SOP-8 DUAL

    Goford Semiconductor

    12,000
    G170P03S2

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) - - 30V 11A (Tc) 18mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 250µA 40nC @ -10V 1786pF @ -15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    PHP225,118

    PHP225,118

    NEXPERIA PHP225 - SMALL SIGNAL F

    NXP Semiconductors

    4,434
    PHP225,118

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    G06NP06S2

    G06NP06S2

    MOSFET N/P-CH 60V 6A 8SOP

    Goford Semiconductor

    20,000
    G06NP06S2

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) - - 60V 6A (Tc) 35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA 22nC @ 10V, 25nC @ 10V 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V 2W (Tc), 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    UPA2387T1P-E4-A

    UPA2387T1P-E4-A

    MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    80,000
    UPA2387T1P-E4-A

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FDML7610AS

    FDML7610AS

    DUAL N-CH. ER TRENCH MO

    onsemi

    27,000
    FDML7610AS

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - -
    ECH8662-TL-H

    ECH8662-TL-H

    ECH8662 - MOSFET 2 N-CHANNEL ARR

    onsemi

    3,000
    ECH8662-TL-H

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FDC6304P

    FDC6304P

    MOSFET 2P-CH 25V 0.46A SSOT6

    Fairchild Semiconductor

    76,939
    FDC6304P

    Техническая документация

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 25V 460mA 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 1.5nC @ 4.5V 62pF @ 10V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    UPA1981TE-T1-A

    UPA1981TE-T1-A

    MOSFET N/P-CH 8V 2.8A SC95

    Renesas

    27,000
    UPA1981TE-T1-A

    Техническая документация

    - SC-95 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 8V 2.8A (Ta) 70mOhm @ 2.8A, 5V, 105mOhm @ 1.9A, 2.5V 200mV @ 2.8A, 200mV @ 1.9A - - 1W (Ta) 150°C - - Surface Mount SC-95
    Total 5737 Record«Prev1... 122123124125126127128129...287Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.