БомКей Электроникс!

    Одиночные диоды

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
    DSEI20-12A

    DSEI20-12A

    DIODE GEN PURP 1.2KV 17A TO220AC

    IXYS

    846
    DSEI20-12A

    Техническая документация

    - TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 17A 2.15 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 750 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
    IDH10G65C6XKSA1

    IDH10G65C6XKSA1

    DIODE SIL CARB 650V 24A TO220-2

    Infineon Technologies

    869
    IDH10G65C6XKSA1

    Техническая документация

    - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 24A 1.35 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 33 µA @ 420 V 495pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
    IDW75D65D1XKSA1

    IDW75D65D1XKSA1

    DIODE GEN PURP 650V 150A TO247-3

    Infineon Technologies

    2,129
    IDW75D65D1XKSA1

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active Standard 650 V 150A 1.7 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 108 ns 40 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-3 -40°C ~ 175°C
    JANTX1N5615

    JANTX1N5615

    DIODE GEN PURP 200V 1A A-PAK

    Microchip Technology

    2,371
    JANTX1N5615

    Техническая документация

    - A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 200 V 45pF @ 12V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
    C3D10060A

    C3D10060A

    DIODE SIL CARB 600V 30A TO220-2

    Wolfspeed, Inc.

    1,991
    C3D10060A

    Техническая документация

    Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 30A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 480pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
    C3D10060G

    C3D10060G

    DIODE SIL CARB 600V 29A TO263-2

    Wolfspeed, Inc.

    1,068
    C3D10060G

    Техническая документация

    Z-Rec® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 29A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 480pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
    IDM10G120C5XTMA1

    IDM10G120C5XTMA1

    DIODE SIL CARB 1.2KV 38A TO252-2

    Infineon Technologies

    4,234
    IDM10G120C5XTMA1

    Техническая документация

    CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 38A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 62 µA @ 12 V 29pF @ 800V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-2 -55°C ~ 150°C
    GD05MPS17J-TR

    GD05MPS17J-TR

    1700V 5A TO-247-2 SIC SCHOTTKY M

    GeneSiC Semiconductor

    1,286
    GD05MPS17J-TR

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 15A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 361pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-7 -55°C ~ 175°C
    GD05MPS17H

    GD05MPS17H

    DIODE SIL CARB 1.7KV 15A TO247-2

    GeneSiC Semiconductor

    993
    GD05MPS17H

    Техническая документация

    SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 15A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 361pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    VS-90EPS12L-M3

    VS-90EPS12L-M3

    DIODE GEN PURP 1.2KV 90A TO247AD

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    862
    VS-90EPS12L-M3

    Техническая документация

    - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 90A 1.2 V @ 90 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
    RURG5060-F085

    RURG5060-F085

    DIODE GEN PURP 600V 50A TO247-2

    onsemi

    387
    RURG5060-F085

    Техническая документация

    - TO-247-2 Tube Active Avalanche 600 V 50A 1.6 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 250 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    1N5552

    1N5552

    DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

    Microchip Technology

    911
    1N5552

    Техническая документация

    - B, Axial Bulk Active Standard 600 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 600 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
    C4D05120E

    C4D05120E

    DIODE SIL CARB 1.2KV 19A TO252-2

    Wolfspeed, Inc.

    3,241
    C4D05120E

    Техническая документация

    Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 19A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 1200 V 390pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
    C4D05120A

    C4D05120A

    DIODE SIL CARB 1.2KV 19A TO220-2

    Wolfspeed, Inc.

    587
    C4D05120A

    Техническая документация

    Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 19A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 1200 V 390pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
    APT100S20BG

    APT100S20BG

    DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

    Microchip Technology

    3,777
    APT100S20BG

    Техническая документация

    - TO-247-2 Tube Active Schottky 200 V 120A 950 mV @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 70 ns 2 mA @ 200 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 150°C
    DSEP30-12A

    DSEP30-12A

    DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AD

    IXYS

    5,978
    DSEP30-12A

    Техническая документация

    HiPerFRED™ TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 2.74 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
    VS-90EPS16L-M3

    VS-90EPS16L-M3

    DIODE GEN PURP 1.6KV 90A TO247AD

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    435
    VS-90EPS16L-M3

    Техническая документация

    - TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 90A 1.21 V @ 90 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1600 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
    1N5712

    1N5712

    DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35

    Microchip Technology

    529
    1N5712

    Техническая документация

    - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 20 V 75mA 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 150 nA @ 16 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
    IDH10G120C5XKSA1

    IDH10G120C5XKSA1

    DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-1

    Infineon Technologies

    1,175
    IDH10G120C5XKSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 62 µA @ 1200 V 525pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
    1N5806US

    1N5806US

    DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A

    Microchip Technology

    72,209
    1N5806US

    Техническая документация

    - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 150 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 150 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
    Total 47618 Record«Prev1... 3940414243444546...2381Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.