БомКей Электроникс!

    Одиночные диоды

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
    C4D30120H

    C4D30120H

    DIODE SIL CARB 1.2KV 94A TO247-2

    Wolfspeed, Inc.

    780
    C4D30120H

    Техническая документация

    - TO-247-2 Bulk Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 94A 1.8 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 250 µA @ 1200 V 2177pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    C6D50065H

    C6D50065H

    SIC, SCHOTTKY DIODE, 136A, 650V,

    Wolfspeed, Inc.

    1,383
    C6D50065H

    Техническая документация

    - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 136A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 100 µA @ 650 V 2819pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    C4D20120A

    C4D20120A

    DIODE SIL CARB 1.2KV 54.5A TO220

    Wolfspeed, Inc.

    5,493
    C4D20120A

    Техническая документация

    Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 54.5A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1500pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
    LSIC2SD120D20A

    LSIC2SD120D20A

    SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A TO2

    Littelfuse Inc.

    750
    LSIC2SD120D20A

    Техническая документация

    Gen2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 55A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 1310pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-2L -55°C ~ 175°C
    UJ3D1250K

    UJ3D1250K

    DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-3

    Qorvo

    6,427
    UJ3D1250K

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 50A 1.7 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 1200 V 2340pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
    VS-T40HF60

    VS-T40HF60

    DIODE GEN PURP 600V 40A D-55

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    124
    VS-T40HF60

    Техническая документация

    - D-55 T-Module Bulk Active Standard 600 V 40A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 15 mA @ 600 V - - - Chassis Mount D-55 -
    VS-HFA135NH40PBF

    VS-HFA135NH40PBF

    DIODE GEN PURP 400V 275A D-67

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    136
    VS-HFA135NH40PBF

    Техническая документация

    HEXFRED® D-67 HALF-PAK Bulk Active Standard 400 V 275A 2 V @ 270 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 120 ns 3 mA @ 400 V - - - Chassis Mount D-67 HALF-PAK -
    STTH200F04TV1

    STTH200F04TV1

    DIODE GEN PURP 400V 100A ISOTOP

    STMicroelectronics

    136
    STTH200F04TV1

    Техническая документация

    - ISOTOP Tube Active Standard 400 V 100A 1.45 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 80 ns 75 µA @ 400 V - - - Chassis Mount ISOTOP -55°C ~ 150°C
    VS-243NQ100PBF

    VS-243NQ100PBF

    DIODE SCHOTTKY 100V 240A D-67

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    168
    VS-243NQ100PBF

    Техническая документация

    - D-67 HALF-PAK Bulk Active Schottky 100 V 240A 950 mV @ 240 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 6 mA @ 100 V 5500pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount D-67 HALF-PAK -55°C ~ 175°C
    C6D25170H

    C6D25170H

    2 5A 1700V SIC, SCHOTTKY DIODE

    Wolfspeed, Inc.

    539
    C6D25170H

    Техническая документация

    - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 83A 1.7 V @ 25 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 45 µA @ 1700 V 3108pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
    VS-T85HFL100S05

    VS-T85HFL100S05

    DIODE GEN PURP 1KV 85A D-55

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    368
    VS-T85HFL100S05

    Техническая документация

    - D-55 T-Module Bulk Active Standard 1000 V 85A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 20 mA @ 1000 V - - - Chassis Mount D-55 -
    VS-400UR120D

    VS-400UR120D

    DIODE GP REV 1.2KV 400A DO205AB

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    4,561
    VS-400UR120D

    Техническая документация

    - DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Last Time Buy Standard, Reverse Polarity 1200 V 400A 1.62 V @ 1500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 15 mA @ 1200 V - - - Stud Mount DO-205AB (DO-9) -40°C ~ 200°C
    406DMQ200

    406DMQ200

    DIODE SCHOTTKY 200V 200A PRM4

    SMC Diode Solutions

    4,216
    406DMQ200

    Техническая документация

    - PRM4 Bulk Active Schottky 200 V 200A 990 mV @ 200 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 200 V 3000pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount PRM4 (Isolated) -55°C ~ 175°C
    APTDF400U120G

    APTDF400U120G

    DIODE GEN PURP 1.2KV 450A LP4

    Microchip Technology

    478
    APTDF400U120G

    Техническая документация

    - LP4 Bulk Active Standard 1200 V 450A 2.5 V @ 500 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 110 ns 2.5 mA @ 1200 V - - - Chassis Mount LP4 -
    MSC030SDA330B

    MSC030SDA330B

    DIODE SIL CARB 3.3KV 30A TO247

    Microchip Technology

    2,170
    MSC030SDA330B

    Техническая документация

    - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 3300 V 30A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-247 -
    MCX5622

    MCX5622

    UFR,FRR

    Microchip Technology

    3,024
    MCX5622

    Техническая документация

    - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
    JANS1N5822US

    JANS1N5822US

    DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF

    Microchip Technology

    121
    JANS1N5822US

    Техническая документация

    - SQ-MELF, B Bulk Active Schottky 40 V 3A 500 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - - - Military MIL-PRF-19500/620 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 150°C
    PNE20010EXD-QX

    PNE20010EXD-QX

    DIODE GEN PURP 200V 1A SOD323HP

    Nexperia USA Inc.

    9,000
    PNE20010EXD-QX

    Техническая документация

    - 2-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 1A 1.02 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 75 nA @ 200 V 10pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOD323HP 175°C
    PMEG45T20EXDX

    PMEG45T20EXDX

    DIODE SCHOTTKY 45V 2A SOD323HP

    Nexperia USA Inc.

    4,500
    PMEG45T20EXDX

    Техническая документация

    - 2-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 2A 560 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 9 ns 25 µA @ 45 V 160pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount SOD323HP 175°C
    SMD34HE1-TP

    SMD34HE1-TP

    DIODE SCHOTTKY 40V 3A SOD123HE1

    Micro Commercial Co

    3,000
    SMD34HE1-TP

    Техническая документация

    - SOD-123H Tape & Reel (TR) Active Schottky 40 V 3A 520 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 40 V - - - Surface Mount SOD-123HE1 -55°C ~ 125°C
    Total 47618 Record«Prev1... 227228229230231232233234...2381Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.