БомКей Электроникс!

    Одиночные диоды

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
    SIDC03D60C8X1SA2

    SIDC03D60C8X1SA2

    DIODE GEN PURP 600V 10A DIE

    Infineon Technologies

    6,874
    SIDC03D60C8X1SA2

    Техническая документация

    - Die Bulk Active Standard 600 V 10A 1.95 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 27 µA @ 600 V - - - Surface Mount Die -40°C ~ 175°C
    SIDC14D60F6X1SA1

    SIDC14D60F6X1SA1

    DIODE GEN PURP 600V 45A DIE

    Infineon Technologies

    3,961
    SIDC14D60F6X1SA1

    Техническая документация

    - Die Bulk Obsolete Standard 600 V 45A 1.6 V @ 45 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 27 µA @ 600 V - - - Surface Mount Die -40°C ~ 175°C
    SIDC14D60C8X1SA2

    SIDC14D60C8X1SA2

    DIODE GEN PURP 600V 50A DIE

    Infineon Technologies

    5,185
    SIDC14D60C8X1SA2

    Техническая документация

    - Die Bulk Active Standard 600 V 50A 1.9 V @ 50 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 27 µA @ 600 V - - - Surface Mount Die -40°C ~ 175°C
    DFLS130L-7-G

    DFLS130L-7-G

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A PWRDI123

    Diodes Incorporated

    4,042
    DFLS130L-7-G

    Техническая документация

    - POWERDI®123 Strip Obsolete Schottky 30 V 1A 310 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 30 V 76pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount PowerDI™ 123 -40°C ~ 125°C
    1N5819A-01

    1N5819A-01

    DIODE SCHOTTKY DO41

    Diodes Incorporated

    2,656
    1N5819A-01

    Техническая документация

    - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
    B0540W-7-G

    B0540W-7-G

    DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123

    Diodes Incorporated

    7,155
    B0540W-7-G

    Техническая документация

    - SOD-123 Strip Obsolete Schottky 40 V 500mA 510 mV @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 40 V 170pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount SOD-123 -65°C ~ 150°C
    SB540-A

    SB540-A

    DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO201AD

    Diodes Incorporated

    9,809
    SB540-A

    Техническая документация

    - DO-201AD, Axial Bulk Obsolete Schottky 40 V 5A 550 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 40 V - - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 125°C
    SB120A-T

    SB120A-T

    DIODE SCHOTTKY DO41

    Diodes Incorporated

    9,578
    SB120A-T

    Техническая документация

    - - Strip Obsolete - - - - - - - - - - - - -
    DCG35C1200HR

    DCG35C1200HR

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18A ISO247

    IXYS

    8,464
    DCG35C1200HR

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 18A 1.8 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 1.5pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ISO247 -40°C ~ 150°C
    DCG10P1200HR

    DCG10P1200HR

    DIODE SCHOTT 1.2KV 12.5A ISO247

    IXYS

    3,586
    DCG10P1200HR

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 12.5A 1.8 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 250 µA @ 1200 V 755pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ISO247 -40°C ~ 150°C
    DCG17P1200HR

    DCG17P1200HR

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18A ISO247

    IXYS

    6,538
    DCG17P1200HR

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 18A 1.8 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 1500pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ISO247 -40°C ~ 150°C
    DCG20C1200HR

    DCG20C1200HR

    DIODE SIC 1.2KV 12.5A ISO247

    IXYS

    3,933
    DCG20C1200HR

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 12.5A 1.8 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 250 µA @ 1200 V 755pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ISO247 -40°C ~ 150°C
    00670

    00670

    REC 800V/1A DO41 1N4006

    Vicor Corporation

    6,054
    00670

    Техническая документация

    * - Tray Obsolete - - - - - - - - - - - - -
    CPD65-BAV45-CM

    CPD65-BAV45-CM

    DIODE GEN PURP 20V 50MA DIE

    Central Semiconductor Corp

    8,468
    CPD65-BAV45-CM

    Техническая документация

    - Die Tray Obsolete Standard 20 V 50mA 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 600 ns 10 pA @ 20 V 1.3pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount Die -65°C ~ 125°C
    STPS1150AFN

    STPS1150AFN

    DIODE SCHOTTKY 150V 1A SMAFLAT

    STMicroelectronics

    6,179
    STPS1150AFN

    Техническая документация

    ECOPACK®2 DO-221AC, SMA Flat Leads Tape & Reel (TR) Active Schottky 150 V 1A 820 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 150 V - - - Surface Mount SMAflat 175°C (Max)
    STPS3H100UFNY

    STPS3H100UFNY

    3 A 100 V SCHOTTKY RECTIFIER

    STMicroelectronics

    3,494
    STPS3H100UFNY

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
    CSIC10-1200

    CSIC10-1200

    DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2

    Central Semiconductor Corp

    4,931
    CSIC10-1200

    Техническая документация

    - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
    RBE05AS20AT2R

    RBE05AS20AT2R

    DIODE SCHOTTKY 20V 500MA VML2

    Rohm Semiconductor

    4,176
    RBE05AS20AT2R

    Техническая документация

    - 2-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 20 V 500mA 530 mV @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 150 µA @ 20 V - - - Surface Mount VML2 125°C
    WNSC201200CWQ

    WNSC201200CWQ

    DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-3

    WeEn Semiconductors

    4,087
    WNSC201200CWQ

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 110 µA @ 1200 V 510pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 175°C (Max)
    WNSC401200CWQ

    WNSC401200CWQ

    DIODE SIL CARB 1.2KV 40A TO247-3

    WeEn Semiconductors

    5,908
    WNSC401200CWQ

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 40A 1.75 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 810pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 175°C (Max)
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.