БомКей Электроникс!

    Одиночные диоды

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Емкость @ Vr, F Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка Рабочая температура - Переход
    UF1501S-B

    UF1501S-B

    DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO41

    Diodes Incorporated

    9,988
    UF1501S-B

    Техническая документация

    - DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Obsolete Standard 50 V 1.5A 1 V @ 1.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 50 V 35pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 150°C
    UF1502S-B

    UF1502S-B

    DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO41

    Diodes Incorporated

    9,259
    UF1502S-B

    Техническая документация

    - DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Obsolete Standard 100 V 1.5A 1 V @ 1.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 100 V 35pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 150°C
    UF1503S-B

    UF1503S-B

    DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO41

    Diodes Incorporated

    6,330
    UF1503S-B

    Техническая документация

    - DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Obsolete Standard 200 V 1.5A 1 V @ 1.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 200 V 35pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 150°C
    UF1504S-B

    UF1504S-B

    DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO41

    Diodes Incorporated

    9,876
    UF1504S-B

    Техническая документация

    - DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Obsolete Standard 400 V 1.5A 1.3 V @ 1.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 400 V 35pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 150°C
    UF1505S-B

    UF1505S-B

    DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO41

    Diodes Incorporated

    4,392
    UF1505S-B

    Техническая документация

    - DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Obsolete Standard 600 V 1.5A 1.7 V @ 1.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 5 µA @ 600 V 20pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 150°C
    UF1506S-B

    UF1506S-B

    DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO41

    Diodes Incorporated

    6,330
    UF1506S-B

    Техническая документация

    - DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Obsolete Standard 800 V 1.5A 1.7 V @ 1.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 5 µA @ 800 V 20pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 150°C
    NXPLQSC10650Q

    NXPLQSC10650Q

    DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

    WeEn Semiconductors

    8,476
    NXPLQSC10650Q

    Техническая документация

    - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.85 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 230 µA @ 650 V 250pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
    NXPSC04650Q

    NXPSC04650Q

    DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC

    WeEn Semiconductors

    5,389
    NXPSC04650Q

    Техническая документация

    - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 170 µA @ 650 V 130pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
    NXPSC06650Q

    NXPSC06650Q

    DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC

    WeEn Semiconductors

    7,517
    NXPSC06650Q

    Техническая документация

    - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 190pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
    NXPSC08650Q

    NXPSC08650Q

    DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC

    WeEn Semiconductors

    3,421
    NXPSC08650Q

    Техническая документация

    - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 230 µA @ 650 V 260pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
    IDH10G65C5ZXKSA2

    IDH10G65C5ZXKSA2

    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2

    Infineon Technologies

    8,552
    IDH10G65C5ZXKSA2

    Техническая документация

    * - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - -
    IDH10G65C5ZXKSA1

    IDH10G65C5ZXKSA1

    DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2

    Infineon Technologies

    6,500
    IDH10G65C5ZXKSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 180 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
    IDT04S60CHKSA1

    IDT04S60CHKSA1

    DIODE SCHOTTKY 600V TO220-2

    Infineon Technologies

    4,843
    IDT04S60CHKSA1

    Техническая документация

    - - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - -
    IDT16S60CHKSA1

    IDT16S60CHKSA1

    DIODE SCHOTTKY 600V TO220-2

    Infineon Technologies

    2,715
    IDT16S60CHKSA1

    Техническая документация

    - - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - -
    RM1200E-TP

    RM1200E-TP

    DIODE GP 1.2KV 500MA DO214AC

    Micro Commercial Co

    5,048
    RM1200E-TP

    Техническая документация

    - DO-214AC, SMA Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 1200 V 500mA 2 V @ 500 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1200 V 30pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount DO-214AC (SMAE) -55°C ~ 150°C
    RM1500E-TP

    RM1500E-TP

    DIODE GP 1.5KV 500MA DO214AC

    Micro Commercial Co

    7,093
    RM1500E-TP

    Техническая документация

    - DO-214AC, SMA Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 1500 V 500mA 2 V @ 500 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1500 V 30pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount DO-214AC (SMAE) -55°C ~ 150°C
    RM1800E-TP

    RM1800E-TP

    DIODE GP 1.8KV 500MA DO214AC

    Micro Commercial Co

    2,322
    RM1800E-TP

    Техническая документация

    - DO-214AC, SMA Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 1800 V 500mA 2 V @ 500 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1800 V 30pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount DO-214AC (SMAE) -55°C ~ 150°C
    RURD420S9A_T

    RURD420S9A_T

    DIODE GEN PURP 200V 4A TO252AA

    onsemi

    4,332
    RURD420S9A_T

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete Avalanche 200 V 4A 1 V @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 100 µA @ 200 V - - - Surface Mount TO-252AA -65°C ~ 175°C
    CSICD10-1200 TR13

    CSICD10-1200 TR13

    DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A DPAK

    Central Semiconductor Corp

    4,696
    CSICD10-1200 TR13

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
    1SS388(TL3,F,D)

    1SS388(TL3,F,D)

    DIODE SCHOTTKY 45V 100MA ESC

    Toshiba Semiconductor and Storage

    8,483
    1SS388(TL3,F,D)

    Техническая документация

    - SC-79, SOD-523 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 45 V 100mA 600 mV @ 50 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 5 µA @ 10 V 18pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount ESC -40°C ~ 100°C
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.