БомКей Электроникс!

    Транзисторные, фотоэлектрические выходные оптоизоляторы

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Количество каналов Напряжение - Изоляция Коэффициент передачи тока (мин.) Коэффициент передачи тока (макс.) Время включения/выключения (тип.) Время нарастания/спада (тип.) Тип входа Тип выхода Напряжение - выход (макс.) Ток - выход/канал Напряжение - прямое (Vf) (тип.) Ток - постоянный ток вперед (If) (макс.) Насыщение Vce (макс.) Марка Квалификация Рабочая температура Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Количество каналов Напряжение - Изоляция Коэффициент передачи тока (мин.) Коэффициент передачи тока (макс.) Время включения/выключения (тип.) Время нарастания/спада (тип.) Тип входа Тип выхода Напряжение - выход (макс.) Ток - выход/канал Напряжение - прямое (Vf) (тип.) Ток - постоянный ток вперед (If) (макс.) Насыщение Vce (макс.) Марка Квалификация Рабочая температура Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    PS2506-2

    PS2506-2

    OPTOISOLATOR 5KV 2CH DARL 8DIP

    CEL

    3,584
    PS2506-2

    Техническая документация

    NEPOC 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 2 5000Vrms 200% @ 1mA - - 100µs, 100µs AC, DC Darlington 40V 160mA 1.17V 80 mA 1V - - -55°C ~ 100°C Through Hole 8-DIP
    MCT4R

    MCT4R

    OPTOISO 1KV TRANSISTOR TO206AA

    onsemi

    4,661
    MCT4R

    Техническая документация

    - TO-206AA, TO-18-3 Metal Can - Obsolete 1 1000VDC 15% @ 10mA - - - DC Transistor 30V - 1.3V 40 mA 500mV - - -55°C ~ 125°C Through Hole TO-18
    MCT4

    MCT4

    OPTOISO 1KV TRANSISTOR TO206AA

    onsemi

    3,550
    MCT4

    Техническая документация

    - TO-206AA, TO-18-3 Metal Can - Obsolete 1 1000VDC 15% @ 10mA - - - DC Transistor 30V - 1.3V 40 mA 500mV - - -55°C ~ 125°C Through Hole TO-18
    MCT210

    MCT210

    OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

    onsemi

    2,769
    MCT210

    Техническая документация

    - 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 150% @ 10mA - 1µs, 50µs 1µs, 11µs DC Transistor with Base 30V 50mA 1.33V 100 mA 400mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
    CNY171300

    CNY171300

    OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

    onsemi

    2,197
    CNY171300

    Техническая документация

    - 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 40% @ 10mA 80% @ 10mA 2µs, 3µs 1µs, 2µs DC Transistor with Base 70V 50mA 1.35V 100 mA 300mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
    CNY172300

    CNY172300

    OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

    onsemi

    1,676
    CNY172300

    Техническая документация

    - 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2µs, 3µs 1µs, 2µs DC Transistor with Base 70V 50mA 1.35V 100 mA 300mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
    CNY173300

    CNY173300

    OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

    onsemi

    4,792
    CNY173300

    Техническая документация

    - 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2µs, 3µs 1µs, 2µs DC Transistor with Base 70V 50mA 1.35V 100 mA 300mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
    CNY173

    CNY173

    OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

    onsemi

    1,932
    CNY173

    Техническая документация

    - 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2µs, 3µs 1µs, 2µs DC Transistor with Base 70V 50mA 1.35V 100 mA 300mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
    CNY174300

    CNY174300

    OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

    onsemi

    2,285
    CNY174300

    Техническая документация

    - 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 160% @ 10mA 320% @ 10mA 2µs, 3µs 1µs, 2µs DC Transistor with Base 70V 50mA 1.35V 100 mA 300mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
    H11A1300

    H11A1300

    OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

    onsemi

    4,627
    H11A1300

    Техническая документация

    - 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 50% @ 10mA - 2µs, 2µs - DC Transistor with Base 30V - 1.18V 100 mA 400mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
    H11D1300

    H11D1300

    OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

    onsemi

    3,281
    H11D1300

    Техническая документация

    - 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 20% @ 10mA - 5µs, 5µs - DC Transistor with Base 300V 100mA 1.15V 80 mA 400mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
    H11D2300

    H11D2300

    OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

    onsemi

    1,524
    H11D2300

    Техническая документация

    - 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 20% @ 10mA - 5µs, 5µs - DC Transistor with Base 300V 100mA 1.15V 80 mA 400mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
    MCT5200

    MCT5200

    OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

    onsemi

    4,780
    MCT5200

    Техническая документация

    - 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 75% @ 10mA - 1.6µs, 18µs 1.3µs, 16µs DC Transistor with Base 30V 150mA 1.25V 50 mA 400mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
    MCT5201

    MCT5201

    OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

    onsemi

    2,326
    MCT5201

    Техническая документация

    - 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 120% @ 5mA - 3µs, 12µs 2.5µs, 16µs DC Transistor with Base 30V 150mA 1.25V 50 mA 400mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
    MCT5210

    MCT5210

    OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

    onsemi

    4,293
    MCT5210

    Техническая документация

    - 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 70% @ 3mA - 10µs, 400ns - DC Transistor with Base 30V 150mA 1.25V 50 mA 400mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
    MCT5211

    MCT5211

    OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

    onsemi

    1,486
    MCT5211

    Техническая документация

    - 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 150% @ 1.6mA - 14µs, 2.5µs - DC Transistor with Base 30V 150mA 1.25V 50 mA 400mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
    MCT271

    MCT271

    OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

    onsemi

    1,553
    MCT271

    Техническая документация

    - 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 45% @ 10mA 90% @ 10mA 1µs, 48µs - DC Transistor with Base 30V 50mA 1.25V 100 mA 400mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
    4N25

    4N25

    OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

    onsemi

    2,306
    4N25

    Техническая документация

    - 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 20% @ 10mA - 2µs, 2µs - DC Transistor with Base 30V - 1.18V 100 mA 500mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
    4N26X

    4N26X

    OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

    onsemi

    1,870
    4N26X

    Техническая документация

    - 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 20% @ 10mA - 2µs, 2µs - DC Transistor with Base 30V - 1.18V 100 mA 500mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
    4N27

    4N27

    OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

    onsemi

    1,433
    4N27

    Техническая документация

    - 6-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete 1 5300Vrms 10% @ 10mA - 2µs, 2µs - DC Transistor with Base 30V - 1.18V 100 mA 500mV - - -55°C ~ 100°C Through Hole 6-DIP
    Total 12278 Record«Prev1... 453454455456457458459460...614Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.