БомКей Электроникс!

    Одиночные IGBT

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип IGBT Напряжение - Коллектор-Эмиттер Пробой (Макс.) Ток - Коллектор (Ic) (Макс.) Ток - Импульсный коллектор (Icm) Vce(on) (макс.) @ Vge, Ic Мощность - макс. Энергия переключения Тип входа Заряд затвора Td (вкл./выкл.) @ 25°C Условие теста Время обратного восстановления (trr) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип IGBT Напряжение - Коллектор-Эмиттер Пробой (Макс.) Ток - Коллектор (Ic) (Макс.) Ток - Импульсный коллектор (Icm) Vce(on) (макс.) @ Vge, Ic Мощность - макс. Энергия переключения Тип входа Заряд затвора Td (вкл./выкл.) @ 25°C Условие теста Время обратного восстановления (trr) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    APT85GR120B2

    APT85GR120B2

    IGBT NPT 1200V 170A TMAX

    Microchip Technology

    4,000
    APT85GR120B2

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active NPT 1200 V 170 A 340 A 3.2V @ 15V, 85A 962 W 6mJ (on), 3.8mJ (off) Standard 660 nC 43ns/300ns 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™
    AFGY160T65SPD-B4

    AFGY160T65SPD-B4

    IGBT TRENCH FS 650V 240A TO247-3

    onsemi

    1,225
    AFGY160T65SPD-B4

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 240 A 480 A 2.05V @ 15V, 160A 882 W 12.4mJ (on), 5.7mJ (off) Standard 245 nC 53ns/98ns 400V, 160A, 5Ohm, 15V 132 ns -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q100 Through Hole TO-247-3
    APT50GN120L2DQ2G

    APT50GN120L2DQ2G

    IGBT NPT FIELD STOP 1200V 134A

    Microchip Technology

    1,150
    APT50GN120L2DQ2G

    Техническая документация

    - TO-264-3, TO-264AA Tube Active NPT, Trench Field Stop 1200 V 134 A 150 A 2.1V @ 15V, 50A 543 W 4495µJ (off) Standard 315 nC 28ns/320ns 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
    IXXR110N65B4H1

    IXXR110N65B4H1

    IGBT 650V 150A 455W ISOPLUS247

    IXYS

    1,124
    IXXR110N65B4H1

    Техническая документация

    GenX4™, XPT™ TO-247-3 Tube Active PT 650 V 150 A 460 A 2.2V @ 15V, 110A 455 W 2.2mJ (on), 1.05mJ (off) Standard 183 nC 38ns/156ns 400V, 55A, 2Ohm, 15V 100 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    APT65GP60L2DQ2G

    APT65GP60L2DQ2G

    IGBT PT 600V 198A

    Microchip Technology

    3,923
    APT65GP60L2DQ2G

    Техническая документация

    POWER MOS 7® TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 600 V 198 A 250 A 2.7V @ 15V, 65A 833 W 605µJ (on), 895µJ (off) Standard 210 nC 30ns/90ns 400V, 65A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
    IXBA16N170AHV

    IXBA16N170AHV

    REVERSE CONDUCTING IGBT

    IXYS

    4,849
    IXBA16N170AHV

    Техническая документация

    BIMOSFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active - 1700 V 16 A 40 A 6V @ 15V, 10A 150 W 2.5mJ (off) Standard 65 nC 15ns/250ns 1360V, 10A, 10Ohm, 15V 25 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263HV
    IXXK300N60B3

    IXXK300N60B3

    IGBT 600V 550A 2300W TO264

    IXYS

    1,096
    IXXK300N60B3

    Техническая документация

    GenX3™, XPT™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 600 V 550 A 1140 A 1.6V @ 15V, 100A 2300 W 3.45mJ (on), 2.86mJ (off) Standard 460 nC 50ns/190ns 400V, 100A, 1Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXXK)
    STGD4H60DF

    STGD4H60DF

    IGBT TRENCH FS 600V 8A DPAK

    STMicroelectronics

    256
    STGD4H60DF

    Техническая документация

    H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Trench Field Stop 600 V 8 A 16 A 1.95V @ 15V, 3A 75 W 68µJ (on), 45µJ (off) Standard 35 nC 35ns/121ns 400V, 3A, 47Ohm, 15V 73 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK (TO-252) type C2
    GT20J341,S4X(S

    GT20J341,S4X(S

    DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S

    Toshiba Semiconductor and Storage

    3,764
    GT20J341,S4X(S

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active - 600 V 20 A 80 A 2V @ 15V, 20A 45 W 500µJ (on), 400µJ (off) Standard - 60ns/240ns 300V, 20A, 33Ohm, 15V 90 ns 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
    STGWA30M65DF2AG

    STGWA30M65DF2AG

    AUTOMOTIVE-GRADE TRENCH GATE FIE

    STMicroelectronics

    2,228
    STGWA30M65DF2AG

    Техническая документация

    M TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 87 A 120 A 2V @ 15V, 30A 441 W 756µJ (on), 1.057mJ (off) Standard 81.6 nC 21.6ns/138ns 400V, 30A, 10Ohm, 15V 151 ns -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247 Long Leads
    GT30J65MRB,S1E

    GT30J65MRB,S1E

    650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO-

    Toshiba Semiconductor and Storage

    3,917
    GT30J65MRB,S1E

    Техническая документация

    - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active - 650 V 60 A - 1.8V @ 15V, 30A 200 W 1.4mJ (on), 220µJ (off) Standard 70 nC 75ns/400ns 400V, 15A, 56Ohm, 15V 200 ns 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
    STGWA25IH135DF2

    STGWA25IH135DF2

    IGBT TRENCH FS 1.35KV 50A TO247

    STMicroelectronics

    4,640
    STGWA25IH135DF2

    Техническая документация

    IH2 TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1350 V 50 A 100 A 2.2V @ 15V, 20A 340 W 1mJ (off) Standard 166 nC - 600V, 20A, 10Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247 Long Leads
    RGW40NL65HRBTL

    RGW40NL65HRBTL

    IGBT TRENCH FS 650V 48A TO263L

    Rohm Semiconductor

    1,000
    RGW40NL65HRBTL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Trench Field Stop 650 V 48 A 80 A 1.9V @ 15V, 20A 144 W 110µJ (on), 160µJ (off) Standard 59 nC 33ns/129ns 400V, 10A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L
    GT40QR21(STA1,E,D

    GT40QR21(STA1,E,D

    IGBT 1200V 40A TO3P

    Toshiba Semiconductor and Storage

    3,981
    GT40QR21(STA1,E,D

    Техническая документация

    - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active - 1200 V 40 A 80 A 2.7V @ 15V, 40A 230 W -, 290µJ (off) Standard - - 280V, 40A, 10Ohm, 20V 600 ns 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
    RGW50NL65DHRBTL

    RGW50NL65DHRBTL

    IGBT TRENCH FS 650V 57A TO263L

    Rohm Semiconductor

    1,000
    RGW50NL65DHRBTL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Trench Field Stop 650 V 57 A 100 A 1.9V @ 15V, 25A 165 W 110µJ (on), 230µJ (off) Standard 73 nC 31ns/119ns 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V 71 ns -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L
    RGS50NL65HRBTL

    RGS50NL65HRBTL

    IGBT TRENCH FS 650V 50A TO263L

    Rohm Semiconductor

    1,000
    RGS50NL65HRBTL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Trench Field Stop 650 V 50 A 75 A 2.1V @ 15V, 25A 206 W 810µJ (on), 650µJ (off) Standard 31 nC 28ns/91ns 400V, 25A, 10Ohm, 15V - -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L
    RGW60NL65DHRBTL

    RGW60NL65DHRBTL

    IGBT TRENCH FS 650V 67A TO263L

    Rohm Semiconductor

    1,000
    RGW60NL65DHRBTL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Trench Field Stop 650 V 67 A 120 A 1.9V @ 15V, 30A 187 W 180µJ (on), 250µJ (off) Standard 84 nC 34ns/122ns 400V, 15A, 10Ohm, 15V 96 ns -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L
    GT50N322A

    GT50N322A

    IGBT 1000V 50A TO3P

    Toshiba Semiconductor and Storage

    4,886
    GT50N322A

    Техническая документация

    - TO-3P-3, SC-65-3 Tray Active - 1000 V 50 A 120 A 2.8V @ 15V, 60A 156 W - Standard - - - 800 ns 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
    GT50JR21(STA1,E,S)

    GT50JR21(STA1,E,S)

    PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    4,509
    GT50JR21(STA1,E,S)

    Техническая документация

    - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active - 600 V 50 A 100 A 2V @ 15V, 50A 230 W - Standard - - - - 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
    APT25GP90BG

    APT25GP90BG

    IGBT PT 900V 72A TO247

    Microchip Technology

    2,764
    APT25GP90BG

    Техническая документация

    POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active PT 900 V 72 A 110 A 3.9V @ 15V, 25A 417 W 370µJ (off) Standard 110 nC 13ns/55ns 600V, 25A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
    Total 4371 Record«Prev1... 7980818283848586...219Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.