БомКей Электроникс!

    Одиночные IGBT

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип IGBT Напряжение - Коллектор-Эмиттер Пробой (Макс.) Ток - Коллектор (Ic) (Макс.) Ток - Импульсный коллектор (Icm) Vce(on) (макс.) @ Vge, Ic Мощность - макс. Энергия переключения Тип входа Заряд затвора Td (вкл./выкл.) @ 25°C Условие теста Время обратного восстановления (trr) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип IGBT Напряжение - Коллектор-Эмиттер Пробой (Макс.) Ток - Коллектор (Ic) (Макс.) Ток - Импульсный коллектор (Icm) Vce(on) (макс.) @ Vge, Ic Мощность - макс. Энергия переключения Тип входа Заряд затвора Td (вкл./выкл.) @ 25°C Условие теста Время обратного восстановления (trr) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IXBT32N300HV

    IXBT32N300HV

    IGBT 3000V 80A TO268HV

    IXYS

    8,252
    IXBT32N300HV

    Техническая документация

    BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 3000 V 80 A 280 A 3.2V @ 15V, 32A 400 W - Standard 142 nC 50ns/160ns 1250V, 32A, 2Ohm, 15V 1500 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXBT)
    IXBH14N300HV

    IXBH14N300HV

    DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2

    IXYS

    5,891
    IXBH14N300HV

    Техническая документация

    BIMOSFET™ TO-247-3 Tube Active - 3000 V 38 A 120 A 2.7V @ 15V, 14A 200 W - Standard 62 nC - - 1.4 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247HV (IXBH)
    IXGF20N250

    IXGF20N250

    IGBT 2500V 23A ISOPLUSI4

    IXYS

    2,701
    IXGF20N250

    Техническая документация

    - i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Obsolete - 2500 V 23 A 105 A 3.1V @ 15V, 20A 100 W - Standard 53 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
    IXGF30N400

    IXGF30N400

    IGBT 4000V 30A 160W I4-PAK

    IXYS

    9,830
    IXGF30N400

    Техническая документация

    - i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Active - 4000 V 30 A 360 A 5.2V @ 15V, 90A 160 W - Standard 135 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
    MMIX1G120N120A3V1

    MMIX1G120N120A3V1

    IGBT 1200V 220A 400W SMPD

    IXYS

    7,047
    MMIX1G120N120A3V1

    Техническая документация

    GenX3™ 24-PowerSMD, 21 Leads Tube Obsolete PT 1200 V 220 A 700 A 2.2V @ 15V, 100A 400 W 10mJ (on), 33mJ (off) Standard 420 nC 40ns/490ns 960V, 100A, 1Ohm, 15V 700 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 24-SMPD
    IXGT25N250HV

    IXGT25N250HV

    IGBT 2500V 60A TO268HV

    IXYS

    3,747
    IXGT25N250HV

    Техническая документация

    - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 2500 V 60 A 200 A 2.9V @ 15V, 25A 250 W - Standard 75 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXGT)
    IXBH32N300HV

    IXBH32N300HV

    DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2

    IXYS

    3,593
    IXBH32N300HV

    Техническая документация

    BIMOSFET™ TO-247-3 Variant Tube Active - 3000 V 80 A 280 A 3.2V @ 15V, 32A 400 W - Standard 142 nC - - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247HV
    IXGT25N250-T/R

    IXGT25N250-T/R

    IGBT NPT 2500V 60A TO268HV

    IXYS

    4,726
    IXGT25N250-T/R

    Техническая документация

    - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active NPT 2500 V 60 A 200 A 2.9V @ 15V, 25A 250 W - Standard 75 nC 68ns/209ns 1250V, 50A, 5Ohm, 15V 233 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXGT)
    IXBF42N300

    IXBF42N300

    IGBT 3000V ISOPLUSI4

    IXYS

    2,852
    IXBF42N300

    Техническая документация

    BIMOSFET™ i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Active - 3000 V 60 A 380 A 3V @ 15V, 42A 240 W - Standard 200 nC 72ns/445ns 1500V, 42A, 20Ohm, 15V 1.7 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
    IXBT20N360HV

    IXBT20N360HV

    IGBT 3600V 70A TO268AA

    IXYS

    6,080
    IXBT20N360HV

    Техническая документация

    BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Not For New Designs - 3600 V 70 A 220 A 3.4V @ 15V, 20A 430 W 15.5mJ (on), 4.3mJ (off) Standard 110 nC 18ns/238ns 1500V, 20A, 10Ohm, 15V 1.7 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
    DF400R07W2S5FB77BPSA1

    DF400R07W2S5FB77BPSA1

    LOW POWER EASY

    Infineon Technologies

    3,845
    DF400R07W2S5FB77BPSA1

    Техническая документация

    - - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IXG65I3300KN

    IXG65I3300KN

    IGBT PT 3300V 85A ISOPLUS264

    IXYS

    6,988
    IXG65I3300KN

    Техническая документация

    X2PT™ ISOPLUS264™ Tube Active PT 3300 V 85 A - - - - Standard - - - - - - - Through Hole ISOPLUS264™
    IXG50I4500KN

    IXG50I4500KN

    IGBT PT 4500V 74A ISOPLUS264

    IXYS

    5,404
    IXG50I4500KN

    Техническая документация

    X2PT™ ISOPLUS264™ Tube Active PT 4500 V 74 A - - - - Standard - - - - - - - Through Hole ISOPLUS264™
    IXBX55N300

    IXBX55N300

    IGBT 3000V 130A 625W PLUS247

    IXYS

    4,057
    IXBX55N300

    Техническая документация

    BIMOSFET™ TO-247-3 Variant Tube Not For New Designs - 3000 V 130 A 600 A 3.2V @ 15V, 55A 625 W - Standard 335 nC - - 1.9 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IXBF55N300

    IXBF55N300

    DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT I4-P

    IXYS

    2,073
    IXBF55N300

    Техническая документация

    BIMOSFET™ i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Active - 3000 V 86 A 600 A 3.2V @ 15V, 55A 357 W - Standard 335 nC - - 1.9 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
    IXBF50N360

    IXBF50N360

    IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK

    IXYS

    4,195
    IXBF50N360

    Техническая документация

    BIMOSFET™ i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Obsolete - 3600 V 70 A 420 A 2.9V @ 15V, 50A 290 W - Standard 210 nC 46ns/205ns 960V, 50A, 5Ohm, 15V 1.7 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
    IXBL60N360

    IXBL60N360

    IGBT 3600V 92A ISOPLUSI5

    IXYS

    4,754
    IXBL60N360

    Техническая документация

    BIMOSFET™ ISOPLUSi5-Pak™ Tube Active - 3600 V 92 A 720 A 3.4V @ 15V, 60A 417 W - Standard 450 nC 50ns/340ns 960V, 60A, 4.7Ohm, 15V 1.95 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
    IXBH42N300HV

    IXBH42N300HV

    DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2

    IXYS

    9,189
    IXBH42N300HV

    Техническая документация

    BIMOSFET™ TO-247-3 Variant Tube Active - 3000 V 104 A 400 A 3V @ 15V, 42A 500 W - Standard 200 nC - - 1.7 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247HV
    CSM350KN

    CSM350KN

    DISC IGBT XPT-GENX3 TO-264(3)

    IXYS

    5,680
    CSM350KN

    Техническая документация

    - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IXBL64N250

    IXBL64N250

    IGBT 2500V 116A ISOPLUSI5

    IXYS

    6,835
    IXBL64N250

    Техническая документация

    BIMOSFET™ ISOPLUSi5-PAK™ Tube Active - 2500 V 116 A 750 A 3V @ 15V, 64A 500 W - Standard 400 nC - - 160 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
    Total 4371 Record«Prev1... 146147148149150151152153...219Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.