БомКей Электроникс!

    Одиночные FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Частота Усиление Напряжение - Тест Номинальный ток (Ампер) Шумовой коэффициент Ток - Тест Мощность - Выход Напряжение - Номинальное Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Частота Усиление Напряжение - Тест Номинальный ток (Ампер) Шумовой коэффициент Ток - Тест Мощность - Выход Напряжение - Номинальное Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NE3513M04-T2B-A

    NE3513M04-T2B-A

    RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4MMOLD

    Renesas Electronics Corporation

    4,755,000
    NE3513M04-T2B-A

    Техническая документация

    - 4-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete GaAs HJ-FET N-Channel 12GHz 13dB 2 V 60mA 0.65dB 10 mA 125mW 4 V - - - 4-Super Mini Mold
    STB60N06HDT4

    STB60N06HDT4

    RF MOSFET 60V D2PAK

    onsemi

    12,000
    STB60N06HDT4

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
    SFT1307-TL-E

    SFT1307-TL-E

    RF MOSFET 4V

    onsemi

    18,200
    SFT1307-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
    BF1102,115

    BF1102,115

    RF MOSFET 5V 6TSSOP

    NXP USA Inc.

    4,345
    BF1102,115

    Техническая документация

    - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N-Channel Dual Gate 800MHz - 5 V 40mA 2dB 15 mA - 7 V - - Surface Mount 6-TSSOP
    BF1204,115

    BF1204,115

    RF MOSFET 5V 6TSSOP

    NXP USA Inc.

    3,071
    BF1204,115

    Техническая документация

    - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N-Channel Dual Gate 400MHz 30dB 5 V 30mA 0.9dB 12 mA - 10 V - - Surface Mount 6-TSSOP
    NE3517S03-T1D-A

    NE3517S03-T1D-A

    RF MOSFET HFET 2V S03

    Renesas Electronics Corporation

    117,560
    NE3517S03-T1D-A

    Техническая документация

    - 4-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete HFET - 20GHz 13.5dB 2 V 70mA 0.7dB 10 mA - 4 V - - - S03
    2SK1645V-03-TR-E

    2SK1645V-03-TR-E

    RF MOSFET MESFET 6V

    onsemi

    2,798
    2SK1645V-03-TR-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
    STB4N80ET4

    STB4N80ET4

    RF MOSFET 800V D2PAK

    onsemi

    38,400
    STB4N80ET4

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
    SK3065

    SK3065

    RF MOSFET TO72

    Harris Corporation

    295
    SK3065

    Техническая документация

    - TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - - - - - - - - - - Through Hole TO-72
    JDX5004

    JDX5004

    RF MOSFET TO220FP

    onsemi

    2,332
    JDX5004

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
    3SK255-T2-A

    3SK255-T2-A

    RF MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    30,000
    3SK255-T2-A

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
    NE5510279A-T1-A

    NE5510279A-T1-A

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    5,961
    NE5510279A-T1-A

    Техническая документация

    - 4-SMD, Flat Leads Bulk Active LDMOS - 1.8GHz 16dB 4.8 V 100nA - 300 mA 2W 20 V - - Surface Mount 79A
    94-2402

    94-2402

    RF MOSFET 400V

    International Rectifier

    150
    94-2402

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
    MMRF1012NR1

    MMRF1012NR1

    RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2

    NXP USA Inc.

    8,320
    MMRF1012NR1

    Техническая документация

    - TO-270-2 Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 220MHz 23.9dB 50 V - - 30 mA 10W 120 V - - Surface Mount TO-270-2
    CE3521M4-C2

    CE3521M4-C2

    RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MINIMOLD

    CEL

    1,557
    CE3521M4-C2

    Техническая документация

    - SC-82A, SOT-343 Tape & Reel (TR) Active pHEMT FET - 20GHz 11.9dB 2 V 15mA 1.05dB 10 mA 125mW 4 V - - - 4-Super Mini Mold
    2SK3391JX

    2SK3391JX

    RF MOSFET 13.7V UPAK

    Renesas Electronics Corporation

    134,038
    2SK3391JX

    Техническая документация

    - TO-243AA Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 100MHz ~ 2.5GHz - 13.7 V 10µA - 150 mA 1.6W 17 V - - Surface Mount UPAK
    NE5550779A-T1A-A

    NE5550779A-T1A-A

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    20,035
    NE5550779A-T1A-A

    Техническая документация

    - 4-SMD, Flat Leads Bulk Active LDMOS - 900MHz 22dB 9 V 2.1A - 140 mA 38.5dBm 30 V - - Surface Mount 79A
    NE55410GR-T3-AZ

    NE55410GR-T3-AZ

    RF MOSFET LDMOS 28V 16HTSSOP

    Renesas Electronics Corporation

    30,892
    NE55410GR-T3-AZ

    Техническая документация

    - 16-DFF, Exposed Pad Bulk Obsolete LDMOS - 2.14GHz 13.5dB 28 V 250mA, 1A - 20 mA 35.4dBm 65 V - - - 16-HTSSOP
    IRFAE32

    IRFAE32

    RF MOSFET

    International Rectifier

    523
    IRFAE32

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
    A2T27S007NT1

    A2T27S007NT1

    RF MOSFET LDMOS 16DFN

    NXP USA Inc.

    6,389
    A2T27S007NT1

    Техническая документация

    - 16-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete LDMOS - 728MHz ~ 3.6GHz - - - - - 28.8dBm 28 V - - Surface Mount 16-DFN (4x6)
    Total 3380 Record«Prev1... 1718192021222324...169Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.