БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    FQP3N90

    FQP3N90

    MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220-3

    Fairchild Semiconductor

    10,000
    FQP3N90

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 3.6A (Tc) 10V 4.25Ohm @ 1.8A, 10V 5V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±30V 910 pF @ 25 V - 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    FDM606P

    FDM606P

    MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP

    Fairchild Semiconductor

    9,587
    FDM606P

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6.8A (Tc) 1.8V, 4.5V 30mOhm @ 6.8A, 4.5V 1.5V @ 250µA 30 nC @ 4.5 V ±8V 2200 pF @ 10 V - 1.92W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x2)
    CPH3348-TL-W

    CPH3348-TL-W

    MOSFET P-CH 12V 3A 3CPH

    onsemi

    8,016
    CPH3348-TL-W

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 3A (Ta) 1.8V, 4.5V 70mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.4V @ 1mA 5.6 nC @ 4.5 V ±10V 405 pF @ 6 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-CPH
    GSFB0206

    GSFB0206

    MOSFET, N-CH, 5.2A, 20V, D

    Good-Ark Semiconductor

    5,996
    GSFB0206

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5A (Tc) 1.8V, 4.5V 40mOhm @ 4A, 4.5V 1V @ 250µA 9 nC @ 4.5 V ±10V 460 pF @ 15 V - 1.56W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    FQPF6N50

    FQPF6N50

    MOSFET N-CH 500V 3.6A TO220F

    Fairchild Semiconductor

    5,884
    FQPF6N50

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 3.6A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 1.8A, 10V 5V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±30V 790 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    IRFD213

    IRFD213

    MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP

    Harris Corporation

    5,563
    IRFD213

    Техническая документация

    - 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 450mA (Ta) - 2Ohm @ 270mA, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V - 140 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 4-HVMDIP
    RF1S23N06LESM

    RF1S23N06LESM

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    5,549
    RF1S23N06LESM

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 23A - - - - - - - - - - - Surface Mount TO-263AB
    FQPF6N40C

    FQPF6N40C

    MOSFET N-CH 400V 6A TO220F

    Fairchild Semiconductor

    5,450
    FQPF6N40C

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 6A (Tc) 10V 1Ohm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±30V 625 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    FDS8433A

    FDS8433A

    MOSFET P-CH 20V 5A 8SOIC

    onsemi

    5,265
    FDS8433A

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5A (Ta) 2.5V, 4.5V 47mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 28 nC @ 5 V ±8V 1130 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    G700P06H

    G700P06H

    P-60V,-5A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-1

    Goford Semiconductor

    4,784
    G700P06H

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-261-4, TO-261AA Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5A (Tc) 4.5V, 10V 75mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 15.8 nC @ 10 V ±20V 1459 pF @ 30 V - 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    IRF8327STRPBF

    IRF8327STRPBF

    MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT

    International Rectifier

    4,538
    IRF8327STRPBF

    Техническая документация

    - DirectFET™ Isometric SQ Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta), 60A (Tc) 4.5V, 10V 7.3mOhm @ 14A, 10V 2.4V @ 25µA 14 nC @ 4.5 V ±20V 1430 pF @ 15 V - 2.2W (Ta), 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ SQ
    BUK6510-75C,127

    BUK6510-75C,127

    MOSFET N-CH 75V 77A TO220AB

    NXP USA Inc.

    8,274
    BUK6510-75C,127

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 77A (Tc) 4.5V, 10V 10.4mOhm @ 25A, 10V 2.8V @ 1mA 81 nC @ 10 V ±16V 5251 pF @ 25 V - 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    FQP16N15

    FQP16N15

    MOSFET N-CH 150V 16.4A TO220-3

    Fairchild Semiconductor

    3,866
    FQP16N15

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 16.4A (Tc) 10V 160mOhm @ 8.2A, 10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±25V 910 pF @ 25 V - 108W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    FDU6030BL

    FDU6030BL

    MOSFET N-CH 30V 10A/42A IPAK

    Fairchild Semiconductor

    3,525
    FDU6030BL

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta), 42A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V 1143 pF @ 15 V - 3.8W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    HUF75329P3

    HUF75329P3

    MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3

    Harris Corporation

    3,077
    HUF75329P3

    Техническая документация

    UltraFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 49A (Tc) 10V 24mOhm @ 49A, 10V 4V @ 250µA 75 nC @ 20 V ±20V 1060 pF @ 25 V - 128W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    FQU2N80TU

    FQU2N80TU

    MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK

    Fairchild Semiconductor

    3,037
    FQU2N80TU

    Техническая документация

    QFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 1.8A (Tc) 10V 6.3Ohm @ 900mA, 10V 5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±30V 550 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    FDN335N-EV

    FDN335N-EV

    MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT-23

    EVVO

    2,990
    FDN335N-EV

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.7A (Ta) 2.5V, 4.5V 70mOhm @ 1.7A, 4.5V 1.5V @ 250µA 3.5 nC @ 4.5 V ±8V 310 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    FQPF5N60CYDTU

    FQPF5N60CYDTU

    MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F-3

    Fairchild Semiconductor

    2,878
    FQPF5N60CYDTU

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4.5A (Tc) 10V 2.5Ohm @ 2.25A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±30V 670 pF @ 25 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
    G7K2N20HE

    G7K2N20HE

    N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2

    Goford Semiconductor

    2,501
    G7K2N20HE

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 2A (Tc) 4.5V, 10V 700mOhm @ 1A, 10V 2.5V @ 250µA 10.8 nC @ 10 V ±20V 568 pF @ 100 V - 1.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    SPB02N60C3ATMA1

    SPB02N60C3ATMA1

    MOSFET N-CH 650V 1.8A TO263-3

    Infineon Technologies

    7,576
    SPB02N60C3ATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 1.8A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.1A, 10V 3.9V @ 80µA 12.5 nC @ 10 V ±20V 200 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    Total 36322 Record«Prev1... 451452453454455456457458...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.