БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    SI2304BDS-T1-BE3

    SI2304BDS-T1-BE3

    N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

    Vishay Siliconix

    9,870
    SI2304BDS-T1-BE3

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 2.6A (Ta) 4.5V, 10V 70mOhm @ 2.5A, 10V 3V @ 250µA 7 nC @ 10 V ±20V 225 pF @ 15 V - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    FQU7N20TU

    FQU7N20TU

    MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK

    Fairchild Semiconductor

    9,024
    FQU7N20TU

    Техническая документация

    QFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5.3A (Tc) 10V 690mOhm @ 2.65A, 10V 5V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±30V 400 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    FQU3N60CTU

    FQU3N60CTU

    MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK

    onsemi

    3,050
    FQU3N60CTU

    Техническая документация

    QFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2.4A (Tc) 10V 3.4Ohm @ 1.2A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±30V 565 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    FQD60N03LTM

    FQD60N03LTM

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    7,500
    FQD60N03LTM

    Техническая документация

    QFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Tc) 5V, 10V 23mOhm @ 30A, 10V 3V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±16V 900 pF @ 15 V - 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    SSFQ3910

    SSFQ3910

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 10A, 30V,

    Good-Ark Semiconductor

    6,000
    SSFQ3910

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 12 nC @ 4.5 V ±20V 900 pF @ 25 V - 2.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SSFB3909

    SSFB3909

    MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -30V

    Good-Ark Semiconductor

    5,980
    SSFB3909

    Техническая документация

    - 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.1A (Ta), 12A (Tc) 4.5V, 10V 30mOhm @ 4A, 10V 2.2V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±20V 1280 pF @ 15 V - 7.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-DFN (2x2)
    SSFB3910L

    SSFB3910L

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 10A, 30V,

    Good-Ark Semiconductor

    5,960
    SSFB3910L

    Техническая документация

    - 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A 4.5V, 10V 13mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 7.4 nC @ 4.5 V ±20V 620 pF @ 25 V - 2.01W(Tc) -55°C ~ 150°C - - Surface Mount 6-DFN (2x2)
    GSFL1004

    GSFL1004

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 3A, 100V,

    Good-Ark Semiconductor

    5,815
    GSFL1004

    Техническая документация

    - TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 3A (Tc) 4.5V, 10V 185mOhm @ 2A, 10V 2.5V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V 1190 pF @ 50 V - 1.78W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    BUK653R7-30C,127

    BUK653R7-30C,127

    MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB

    NXP USA Inc.

    5,180
    BUK653R7-30C,127

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 3.9mOhm @ 25A, 10V 2.8V @ 1mA 78 nC @ 10 V ±16V 4707 pF @ 25 V - 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    FQB19N10LTM

    FQB19N10LTM

    MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK

    Fairchild Semiconductor

    5,002
    FQB19N10LTM

    Техническая документация

    QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 19A (Tc) 5V, 10V 100mOhm @ 9.5A, 10V 2V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±20V 870 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    BUK6507-55C,127

    BUK6507-55C,127

    MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB

    NXP USA Inc.

    6,642
    BUK6507-55C,127

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 25A, 10V 2.8V @ 1mA 82 nC @ 10 V ±16V 5160 pF @ 25 V - 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    FDB20AN06A0

    FDB20AN06A0

    MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB

    Fairchild Semiconductor

    4,310
    FDB20AN06A0

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 9A (Ta), 45A (Tc) 10V 20mOhm @ 45A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 950 pF @ 25 V - 90W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRF820

    IRF820

    2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL

    Harris Corporation

    3,895
    IRF820

    Техническая документация

    PowerMESH™ II TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±30V 315 pF @ 25 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    FDS6630A

    FDS6630A

    MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC

    onsemi

    6,060
    FDS6630A

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.5A (Ta) 4.5V, 10V 38mOhm @ 6.5A, 10V 3V @ 250µA 7 nC @ 5 V ±20V 460 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    NDPL070N10BG

    NDPL070N10BG

    MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3

    onsemi

    8,374
    NDPL070N10BG

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 70A (Ta) 10V, 15V 10.8mOhm @ 35A, 15V 4V @ 1mA 26 nC @ 10 V ±20V 2010 pF @ 50 V - 2.1W (Ta), 72W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    FDU8876

    FDU8876

    MOSFET N-CH 30V 15A/73A IPAK

    Fairchild Semiconductor

    2,750
    FDU8876

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 15A (Ta), 73A (Tc) 4.5V, 10V 8.2mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 15 V - 70W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    HUF76113SK8

    HUF76113SK8

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    1,960
    HUF76113SK8

    Техническая документация

    UltraFET™ 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.5A (Ta) 4.5V, 10V 30mOhm @ 6.5A, 10V 3V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V 585 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount US8
    FQB5N60CTM

    FQB5N60CTM

    4.5A, 600V, 2OHM, N CHANNEL , D2

    Fairchild Semiconductor

    1,618
    FQB5N60CTM

    Техническая документация

    QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4.5A (Tc) 10V 2.5Ohm @ 2.25A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±30V 670 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK)
    RFP2N20

    RFP2N20

    N-CHANNEL, MOSFET

    Harris Corporation

    1,552
    RFP2N20

    Техническая документация

    - TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 2A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 2A, 10V 4V @ 250µA - ±20V 200 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    RFD16N05LSM

    RFD16N05LSM

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    1,356
    RFD16N05LSM

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 16A (Tc) 4V, 5V 47mOhm @ 16A, 5V 2V @ 250mA 80 nC @ 10 V ±10V - - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    Total 36322 Record«Prev1... 445446447448449450451452...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.