БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPB136N08N3GATMA1

    IPB136N08N3GATMA1

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    4,000
    IPB136N08N3GATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 3 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 45A (Tc) 6V, 10V 13.9mOhm @ 45A, 10V 3.5V @ 33µA 25 nC @ 10 V ±20V 1730 pF @ 40 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IRFH5255TRPBF

    IRFH5255TRPBF

    MOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFN

    International Rectifier

    4,000
    IRFH5255TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-PowerVDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 15A (Ta), 51A (Tc) - 6mOhm @ 15A, 10V 2.35V @ 25µA 14.5 nC @ 10 V ±20V 988 pF @ 13 V - 3.6W (Ta), 26W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    IRFR3711TRPBF

    IRFR3711TRPBF

    MOSFET N-CH 20V 100A DPAK

    Infineon Technologies

    8,144
    IRFR3711TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 6.5mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±20V 2980 pF @ 10 V - 2.5W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    FDS6685

    FDS6685

    MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

    UMW

    3,000
    FDS6685

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    G700P06LL

    G700P06LL

    MOSFET, P-CH,-60V,-5A,RD(MAX)<75

    Goford Semiconductor

    2,619
    G700P06LL

    Техническая документация

    TrenchFET® SOT-23-6 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5A (Tc) 4.5V, 10V 75mOhm @ 3.2A, 10V 3V @ 250µA 15.8 nC @ 10 V ±20V 1456 pF @ 30 V - 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-6L
    SI2305A

    SI2305A

    20V 4.2A [email protected],4.2A 1.38W 50

    UMW

    2,267
    SI2305A

    Техническая документация

    UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.2A (Ta) 2.5V, 4.5V 40mOhm @ 4.2A, 4.5V - 10.6 nC @ 4.5 V ±12V 740 pF @ 15 V - 1.38W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    IRF7805TRPBF

    IRF7805TRPBF

    PFET, 30V, 0.011OHM, 1OXIDE SEMI

    International Rectifier

    1,900
    IRF7805TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta) 4.5V 11mOhm @ 7A, 4.5V 3V @ 250µA 31 nC @ 5 V ±12V - - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IPU80R1K2P7AKMA1

    IPU80R1K2P7AKMA1

    MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3

    Infineon Technologies

    2,772
    IPU80R1K2P7AKMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ P7 TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.5A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 1.7A, 10V 3.5V @ 80µA 11 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 500 V - 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
    IRFR3711TRLPBF

    IRFR3711TRLPBF

    HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET

    International Rectifier

    1,417
    IRFR3711TRLPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 6.5mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±20V 2980 pF @ 10 V - 2.5W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    SI2301A

    SI2301A

    20V 2.8A 400MW [email protected],2A 1V@

    UMW

    1,303
    SI2301A

    Техническая документация

    UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.8A (Ta) 2.5V, 4.5V 70mOhm @ 2.8A, 4.5V 1V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±12V 405 pF @ 10 V - 400mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    FDU8880

    FDU8880

    MOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAK

    Fairchild Semiconductor

    260,800
    FDU8880

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta), 58A (Tc) 4.5V, 10V 10mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V 1260 pF @ 15 V - 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    FDJ129P

    FDJ129P

    MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6 FLMP

    Fairchild Semiconductor

    242,889
    FDJ129P

    Техническая документация

    PowerTrench® SC-75-6 FLMP Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.2A (Ta) 2.5V, 4.5V 70mOhm @ 4.2A, 4.5V 1.5V @ 250µA 6 nC @ 4.5 V ±12V 780 pF @ 10 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC75-6 FLMP
    FDS4488

    FDS4488

    0.0079A, 30V, N-CHANNEL MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    117,757
    FDS4488

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7.9A (Ta) 4.5V, 10V 22mOhm @ 7.9A, 10V 3V @ 250µA 13 nC @ 5 V ±25V 927 pF @ 15 V - 1W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    IPS80R1K2P7AKMA1

    IPS80R1K2P7AKMA1

    MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3

    Infineon Technologies

    3,425
    IPS80R1K2P7AKMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ P7 TO-251-3 Stub Leads, IPAK Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.5A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 1.7A, 10V 3.5V @ 80µA 11 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 500 V - 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-342
    FDMS8692

    FDMS8692

    MOSFET N-CH 30V 12A/28A 8PQFN

    Fairchild Semiconductor

    62,002
    FDMS8692

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A (Ta), 28A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V 1265 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 41W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    FDT461N

    FDT461N

    MOSFET N-CH 100V 540MA SOT223-4

    Fairchild Semiconductor

    47,000
    FDT461N

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-261-4, TO-261AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 540mA (Ta) 4.5V, 10V 2Ohm @ 540mA, 10V 2V @ 250µA 4 nC @ 10 V ±20V 74 pF @ 25 V - 1.13W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223-4
    2SK2530-TL-E

    2SK2530-TL-E

    MOSFET N-CH 250V

    Sanyo

    41,300
    2SK2530-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    HUFA76407D3ST

    HUFA76407D3ST

    MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA

    Fairchild Semiconductor

    33,519
    HUFA76407D3ST

    Техническая документация

    UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 12A (Tc) 4.5V, 10V 92mOhm @ 13A, 10V 3V @ 250µA 11.3 nC @ 10 V ±16V 350 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    FQD8N25TF

    FQD8N25TF

    MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK

    Fairchild Semiconductor

    33,444
    FQD8N25TF

    Техническая документация

    QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 6.2A (Tc) 10V 550mOhm @ 3.1A, 10V 5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±30V 530 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    2SJ166(1)-T1B-A

    2SJ166(1)-T1B-A

    P-CHANNEL, MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    32,196
    2SJ166(1)-T1B-A

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    Total 36322 Record«Prev1... 426427428429430431432433...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.