БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    SI2301-3A

    SI2301-3A

    MOSFET SOT-23 P Channel 20V

    MDD

    249,000
    SI2301-3A

    Техническая документация

    SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3A (Ta) 3.3V, 4.5V 90mOhm @ 3A, 4.5V 1V @ 250µA 6.6 nC @ 10 V ±10V 330 pF @ 10 V - 225mW (Ta) -55°C ~ 150°C - - Surface Mount SOT-23
    NTMFS4C10NT1G-001

    NTMFS4C10NT1G-001

    MOSFET N-CH 30V 8.2A/46A 5DFN

    onsemi

    9,845
    NTMFS4C10NT1G-001

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.2A (Ta), 46A (Tc) 4.5V, 10V 6.95mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 18.6 nC @ 10 V ±20V 987 pF @ 15 V - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    PHT6N06LT,135

    PHT6N06LT,135

    MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223

    NXP USA Inc.

    8,817
    PHT6N06LT,135

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 2.5A (Ta) 5V 150mOhm @ 5A, 5V 2V @ 1mA 4.5 nC @ 5 V ±13V 330 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-73
    FQD4N20TM

    FQD4N20TM

    MOSFET N-CH 200V 3A DPAK

    onsemi

    4,547
    FQD4N20TM

    Техническая документация

    QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 1.5A, 10V 5V @ 250µA 6.5 nC @ 10 V ±30V 220 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    FDFMA2P029Z

    FDFMA2P029Z

    MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET

    onsemi

    2,287
    FDFMA2P029Z

    Техническая документация

    PowerTrench® 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.1A (Ta) 2.5V, 4.5V 95mOhm @ 3.1A, 4.5V 1.5V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±12V 720 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 1.4W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
    AS2312

    AS2312

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

    ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

    47,301
    AS2312

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6.8A (Ta) 1.8V, 4.5V 18mOhm @ 6.8A, 4.5V 1V @ 250µA 11.05 nC @ 4.5 V ±10V 888 pF @ 10 V - 1.2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    DMP210DUFB4-7

    DMP210DUFB4-7

    MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN

    Diodes Incorporated

    36,094
    DMP210DUFB4-7

    Техническая документация

    - 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 200mA (Ta) 1.2V, 4.5V 5Ohm @ 100mA, 4.5V 1V @ 250µA - ±10V 175 pF @ 15 V - 350mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount X2-DFN1006-3
    AS2324

    AS2324

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

    ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

    28,774
    AS2324

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2A (Ta) 4.5V, 10V 280mOhm @ 2A, 10V 3V @ 250µA 5.3 nC @ 10 V ±20V 330 pF @ 50 V - 1.2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    NTNS3A65PZT5GHW

    NTNS3A65PZT5GHW

    MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883

    onsemi

    3,794
    NTNS3A65PZT5GHW

    Техническая документация

    - 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 281mA (Ta) 1.5V, 4.5V 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V 1V @ 250µA 1.1 nC @ 4.5 V ±8V 44 pF @ 10 V - 155mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
    AS3401

    AS3401

    P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

    ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

    16,991
    AS3401

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.4A (Ta) 2.5V, 10V 55mOhm @ 4.4A, 10V 1.4V @ 250µA 7.2 nC @ 10 V ±12V 680 pF @ 15 V - 1.2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    FDFMA3P029Z

    FDFMA3P029Z

    MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET

    onsemi

    15,000
    FDFMA3P029Z

    Техническая документация

    PowerTrench® 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.3A (Ta) - 87mOhm @ 3.3A, 10V 3V @ 250µA 10 nC @ 10 V - 435 pF @ 15 V Schottky Diode (Isolated) 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MLP (2x2)
    BUK6209-30C,118

    BUK6209-30C,118

    MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

    NXP USA Inc.

    9,725
    BUK6209-30C,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Ta) - 9.8mOhm @ 12A, 10V 2.8V @ 1mA 30.5 nC @ 10 V ±16V 1760 pF @ 25 V - 80W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    PHT6N06T,135

    PHT6N06T,135

    MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223

    NXP USA Inc.

    2,110
    PHT6N06T,135

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 5.5A (Tc) 10V 150mOhm @ 5A, 10V 4V @ 1mA 5.6 nC @ 10 V ±20V 175 pF @ 25 V - 8.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-73
    RW1E014SNT2R

    RW1E014SNT2R

    MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

    Rohm Semiconductor

    7,791
    RW1E014SNT2R

    Техническая документация

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.4A (Ta) 4V, 10V 240mOhm @ 1.4A, 10V 2.5V @ 1mA 1.4 nC @ 5 V ±20V 70 pF @ 10 V - 400mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WEMT
    PSMN038-100K,518

    PSMN038-100K,518

    MOSFET N-CH 100V 8SO

    Nexperia USA Inc.

    5,168
    PSMN038-100K,518

    Техническая документация

    TrenchMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.3A (Tj) 10V 38mOhm @ 5.2A, 10V 4V @ 1mA 43 nC @ 10 V ±20V 1740 pF @ 25 V - 3.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    FDS6690A-NBNP006

    FDS6690A-NBNP006

    SINGLE N-CHANNEL, LOGIC LEVEL, P

    onsemi

    6,965
    FDS6690A-NBNP006

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 12.5mOhm @ 11A, 10V 3V @ 250µA 16 nC @ 5 V ±20V 1205 pF @ 15 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    GSF0301

    GSF0301

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 600MA, 30V

    Good-Ark Semiconductor

    5,858
    GSF0301

    Техническая документация

    - SOT-523 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 600mA (Tc) 2.5V, 4.5V 500mOhm @ 300mA, 4.5V 1.2V @ 250µA 5.2 nC @ 4.5 V ±12V 146 pF @ 15 V - 310mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-523
    AS3400

    AS3400

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

    ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

    5,701
    AS3400

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.6A (Ta) 2.5V, 10V 27mOhm @ 5.6A, 10V 1.5V @ 250µA 4.8 nC @ 4.5 V ±12V 535 pF @ 15 V - 1.2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    FDN340P

    FDN340P

    SOT-23 MOSFETS ROHS

    UMW

    3,173
    FDN340P

    Техническая документация

    UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2A (Ta) 1.8V, 4.5V 70mOhm @ 2A, 4.5V 1.5V @ 250µA 8 nC @ 4.5 V ±8V 600 pF @ 10 V - 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    IPSA70R1K4P7SAKMA1

    IPSA70R1K4P7SAKMA1

    MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3

    Infineon Technologies

    9,510
    IPSA70R1K4P7SAKMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ P7 TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 4A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 700mA, 10V 3.5V @ 40µA 4.7 nC @ 400 V ±16V 158 pF @ 400 V - 22.7W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
    Total 36322 Record«Prev1... 366367368369370371372373...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.