БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    DMTH4008LPSQ-13

    DMTH4008LPSQ-13

    MOSFET N-CH 40V PWRDI5060

    Diodes Incorporated

    4,835
    DMTH4008LPSQ-13

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 14.4A (Ta), 64.8A (Tc) 5V, 10V 8.8mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 15.3 nC @ 10 V ±20V 1088 pF @ 20 V - 2.99W (Ta), 55.5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerDI5060-8
    PJQ5437E_R2_00201

    PJQ5437E_R2_00201

    30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO

    Panjit International Inc.

    3,000
    PJQ5437E_R2_00201

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    TSM60NC980CH C5G

    TSM60NC980CH C5G

    600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER

    Taiwan Semiconductor Corporation

    13,114
    TSM60NC980CH C5G

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4A (Tc) 10V 980mOhm @ 1.5A, 10V 5V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±20V 330 pF @ 300 V - 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
    IPD047N03LF2SATMA1

    IPD047N03LF2SATMA1

    MOSFET N-CH 30V 71A TO-252

    Infineon Technologies

    2,000
    IPD047N03LF2SATMA1

    Техническая документация

    StrongIRFET™ 2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 71A (Tc) 4.5V, 10V 4.7mOhm @ 40A, 10V 2.35V @ 30µA 32 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 15 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    DI040P04PT

    DI040P04PT

    MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -40A

    Diotec Semiconductor

    4,850
    DI040P04PT

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 15mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 59 nC @ 10 V ±20V 3538 pF @ 20 V - 22.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-QFN (3x3)
    RQ6P020ATTCR

    RQ6P020ATTCR

    PCH -100V -2A POWER MOSFET: RQ6P

    Rohm Semiconductor

    4,849
    RQ6P020ATTCR

    Техническая документация

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2A (Ta) 4.5V, 10V 220mOhm @ 2A, 10V 2.5V @ 1mA 24 nC @ 10 V ±20V 760 pF @ 50 V - 950mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT6 (SC-95)
    IAUZ30N08S5N186ATMA1

    IAUZ30N08S5N186ATMA1

    MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8

    Infineon Technologies

    4,210
    IAUZ30N08S5N186ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 30A (Tj) 6V, 10V 18.6mOhm @ 15A, 10V 3.8V @ 13µA 12.1 nC @ 10 V ±20V 759 pF @ 40 V - 41W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSDSON-8-32
    PJQ5548-AU_R2_002A1

    PJQ5548-AU_R2_002A1

    40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    2,775
    PJQ5548-AU_R2_002A1

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 14.5A (Ta), 48A (Tc) 4.5V, 10V 8.8mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 50µA 13 nC @ 10 V ±20V 778 pF @ 25 V - 3.3W (Ta), 36W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN5060-8
    TK4P60D,RQ

    TK4P60D,RQ

    PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(

    Toshiba Semiconductor and Storage

    920
    TK4P60D,RQ

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4A (Ta) 10V 1.7Ohm @ 2A, 10V 4.4V @ 1mA 12 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 25 V - 100W (Tc) 150°C - - Surface Mount DPAK
    ZVN4424GQTA

    ZVN4424GQTA

    MOSFET N-CH 240V SOT223 T&R

    Diodes Incorporated

    856
    ZVN4424GQTA

    Техническая документация

    - TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 240 V 500mA (Ta) 2.5V, 10V 5.5Ohm @ 500mA, 10V 1.8V @ 1mA - ±40V 200 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOT-223
    DMT32M5LPS-13

    DMT32M5LPS-13

    MOSFET N-CH 30V 150A PWRDI5060-8

    Diodes Incorporated

    12,103
    DMT32M5LPS-13

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 150A (Tc) 4.5V, 10V 2mOhm @ 30A, 10V 3V @ 1mA 68 nC @ 10 V ±20V 3944 pF @ 25 V - 100W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerDI5060-8
    SIA108DJ-T1-GE3

    SIA108DJ-T1-GE3

    MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK

    Vishay Siliconix

    4,674
    SIA108DJ-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SC-70-6 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 6.6A (Ta), 12A (Tc) 7.5V, 10V 38mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V 545 pF @ 40 V - 3.5W (Ta), 19W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
    SIHFR320-GE3

    SIHFR320-GE3

    MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK

    Vishay Siliconix

    1,902
    SIHFR320-GE3

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 3.1A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 1.9A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    IPP050N03LF2SAKSA1

    IPP050N03LF2SAKSA1

    MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3

    Infineon Technologies

    968
    IPP050N03LF2SAKSA1

    Техническая документация

    StrongIRFET™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 21A (Ta), 53A (Tc) 4.5V, 10V 4.95mOhm @ 30A, 10V 2.35V @ 30µA 32 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 15 V - 3.8W (Ta), 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-U05
    SIHFR9024TR-GE3

    SIHFR9024TR-GE3

    MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK

    Vishay Siliconix

    774
    SIHFR9024TR-GE3

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    DMPH4025SFVWQ-13

    DMPH4025SFVWQ-13

    MOSFET P-CH 40V PWRDI3333

    Diodes Incorporated

    990
    DMPH4025SFVWQ-13

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 8.7A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 25mOhm @ 30A, 10V 1.8V @ 250µA 38.6 nC @ 10 V ±20V 1918 pF @ 20 V - 2.3W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
    FDMA410NZT-F130

    FDMA410NZT-F130

    PT4 NCH 20/8V ZENER IN

    onsemi

    12,000
    FDMA410NZT-F130

    Техническая документация

    - 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 9.5A (Ta) 1.5V, 4.5V 23mOhm @ 9.5A, 4.5V 1V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±8V 1310 pF @ 10 V - 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-UDFN (2.05x2.05)
    MCU60N06-TP

    MCU60N06-TP

    N-CHANNEL MOSFET,DPAK

    Micro Commercial Co

    5,000
    MCU60N06-TP

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 60A (Tc) 10V 11mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V 2220 pF @ 30 V - 83W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    PJQ4528P-AU_R2_002A1

    PJQ4528P-AU_R2_002A1

    30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET

    Panjit International Inc.

    5,000
    PJQ4528P-AU_R2_002A1

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PJQ5548V-AU_R2_002A1

    PJQ5548V-AU_R2_002A1

    40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    3,000
    PJQ5548V-AU_R2_002A1

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 13.6A (Ta), 45A (Tc) 7V, 10V 10mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 50µA 9.5 nC @ 10 V ±20V 673 pF @ 25 V - 3.3W (Ta), 36W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN5060-8
    Total 36322 Record«Prev1... 241242243244245246247248...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.