БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NVTFS5826NLWFTWG-UM

    NVTFS5826NLWFTWG-UM

    MOSFET N-CH 60V 7.6A 8WDFN

    onsemi

    2,803
    NVTFS5826NLWFTWG-UM

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7.6A (Ta) 4.5V, 10V 24mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±20V 850 pF @ 25 V - 3.2W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    APL602LG-1

    APL602LG-1

    MOSFET LINEAR 600 V 49 A TO-264

    Microchip Technology

    6,828
    APL602LG-1

    Техническая документация

    - TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 49A (Tc) 12V 125mOhm @ 24.5A, 12V 4V @ 2.5mA - ±30V 9000 pF @ 25 V - 730W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (L)
    SIHFU024-GE3

    SIHFU024-GE3

    LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V

    Vishay Siliconix

    7,731
    SIHFU024-GE3

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 14A (Tc) 10V 100mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 640 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
    SQ2308FES-T1_GE3

    SQ2308FES-T1_GE3

    MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23

    Vishay Siliconix

    8,173
    SQ2308FES-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2.3A (Tc) 4.5V, 10V 150mOhm @ 2.3A, 10V 2.5V @ 250µA 5.3 nC @ 10 V ±20V 205 pF @ 30 V - 2W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    SQ2319CES-T1_GE3

    SQ2319CES-T1_GE3

    MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3

    Vishay Siliconix

    7,670
    SQ2319CES-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 4.6A (Tc) 4.5V, 10V 75mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 20 V - 3W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    SSM3J35FS,LF

    SSM3J35FS,LF

    SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-

    Toshiba Semiconductor and Storage

    3,833
    SSM3J35FS,LF

    Техническая документация

    - SC-75, SOT-416 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 100mA (Ta) 1.2V, 4V 8Ohm @ 50mA, 4V 1V @ 1mA - ±10V 12.2 pF @ 3 V - 100mW (Ta) 150°C - - Surface Mount SSM
    SSM3K121TU,LF

    SSM3K121TU,LF

    MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6

    Toshiba Semiconductor and Storage

    2,154
    SSM3K121TU,LF

    Техническая документация

    - 3-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.2A (Ta) 1.5V, 4V 48mOhm @ 2A, 4V 1V @ 1mA 5.9 nC @ 4 V ±10V 400 pF @ 10 V - 500mW (Ta) 150°C - - Surface Mount UFM
    SQ2337CES-T1_GE3

    SQ2337CES-T1_GE3

    MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

    Vishay Siliconix

    5,274
    SQ2337CES-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 2.2A (Tc) 6V, 10V 290mOhm @ 1.2A, 10V 2.5V @ 250µA 18 nC @ 40 V ±20V 620 pF @ 40 V - 3W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    SQJ166ELP-T1_GE3

    SQJ166ELP-T1_GE3

    MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA

    Vishay Siliconix

    9,906
    SQJ166ELP-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 67A (Tc) 4.5V, 10V 9.7mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 1903 pF @ 25 V - 89W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SQS124ELNW-T1_GE3

    SQS124ELNW-T1_GE3

    MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA

    Vishay Siliconix

    7,710
    SQS124ELNW-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 107A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V 2945 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK® 1212-8SLW
    SIS5712DN-T1-GE3

    SIS5712DN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8

    Vishay Siliconix

    6,831
    SIS5712DN-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 5.6A (Ta), 18A (Tc) 7.5V, 10V 55.5mOhm @ 5.6A, 10V 4V @ 250µA 11.3 nC @ 10 V ±20V 500 pF @ 75 V - 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
    ISK018NE1LM7ATSA1

    ISK018NE1LM7ATSA1

    ISK018NE1LM7AULA1 MOSFET

    Infineon Technologies

    9,028
    ISK018NE1LM7ATSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 7 6-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15 V 30A (Ta), 129A (Tc) 4.5V, 7V 1.8mOhm @ 20A, 7V 2V @ 106µA 13.6 nC @ 7 V ±7V 1600 pF @ 7.5 V - 2.1W (Ta), 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-6-1
    ISK057N04LM6ATSA1

    ISK057N04LM6ATSA1

    MOSFET N-CH 40V 64A 6VSON

    Infineon Technologies

    6,645
    ISK057N04LM6ATSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 6 6-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 15A (Ta), 64A (Tc) 4.5V, 10V 5.75mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 870 pF @ 20 V - 2.1W (Ta), 39.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-6-1
    BSB044N08NN3GXUMA2

    BSB044N08NN3GXUMA2

    MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON

    Infineon Technologies

    4,142
    BSB044N08NN3GXUMA2

    Техническая документация

    OptiMOS™ 3 DirectFET™ Isometric ST Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 18A (Ta), 90A (Tc) 10V 4.4mOhm @ 30A, 10V 3.5V @ 97µA 73 nC @ 10 V ±20V 5700 pF @ 40 V - 2.2W (Ta), 78W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount MG-WDSON-2
    BSF450NE7NH3XUMA2

    BSF450NE7NH3XUMA2

    MOSFET N-CH 75V 5A/15A 2WDSON

    Infineon Technologies

    6,776
    BSF450NE7NH3XUMA2

    Техническая документация

    OptiMOS™ 3 DirectFET™ Isometric ST Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 5A (Ta), 15A (Tc) 7V, 10V 45mOhm @ 8A, 10V 3.8V @ 8µA 6 nC @ 10 V ±20V 390 pF @ 37.5 V - 2.2W (Ta), 18W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount MG-WDSON-2
    BSF134N10NJ3GXUMA2

    BSF134N10NJ3GXUMA2

    MOSFET N-CH 100V 9A/40A 2WDSON

    Infineon Technologies

    3,453
    BSF134N10NJ3GXUMA2

    Техническая документация

    OptiMOS™ DirectFET™ Isometric ST Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9A (Ta), 40A (Tc) 6V, 10V 13.4mOhm @ 30A, 10V 3.5V @ 40µA 30 nC @ 10 V ±20V 2300 pF @ 50 V - 2.2W (Ta), 43W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount MG-WDSON-2
    APT80GA90B2D40

    APT80GA90B2D40

    MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

    Microchip Technology

    2,937
    APT80GA90B2D40

    Техническая документация

    - - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SIR5812DP-T1-RE3

    SIR5812DP-T1-RE3

    MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    2,326
    SIR5812DP-T1-RE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 13A (Ta), 45.3A (Tc) 7.5V, 10V 13.5mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 775 pF @ 40 V - 4.1W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    MSC035SMA070SCT/R

    MSC035SMA070SCT/R

    MOSFET SIC 700 V 35 MOHM PSMT

    Microchip Technology

    8,820
    MSC035SMA070SCT/R

    Техническая документация

    mSiC™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 700 V 71A (Tc) 18V, 20V 44mOhm @ 30A, 20V 5V @ 2mA 93 nC @ 20 V +23V, -10V 1806 pF @ 700 V - 276W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-268
    MSC020SMB120D/S

    MSC020SMB120D/S

    MOSFET SIC 1200 V 20 MOHM DIE

    Microchip Technology

    3,121
    MSC020SMB120D/S

    Техническая документация

    - - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.