БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    DMN2400UFB4-7B

    DMN2400UFB4-7B

    MOSFET N-CH X2-DFN1006-3

    Diodes Incorporated

    5,711
    DMN2400UFB4-7B

    Техническая документация

    - 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 750mA (Ta) 1.8V, 4.5V 550mOhm @ 600mA, 4.5V 900mV @ 250µA 0.5 nC @ 4.5 V ±12V 36 pF @ 16 V - 470mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount X2-DFN1006-3
    DMN2400UFB4-7R

    DMN2400UFB4-7R

    MOSFET N-CH X2-DFN1006-3

    Diodes Incorporated

    6,123
    DMN2400UFB4-7R

    Техническая документация

    - 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 750mA (Ta) 1.8V, 4.5V 550mOhm @ 600mA, 4.5V 900mV @ 250µA 0.5 nC @ 4.5 V ±12V 36 pF @ 16 V - 470mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount X2-DFN1006-3
    DMN2500UFB4-7B

    DMN2500UFB4-7B

    MOSFET N-CH X2-DFN1006-3

    Diodes Incorporated

    3,483
    DMN2500UFB4-7B

    Техническая документация

    - 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 810mA (Ta) 1.8V, 4.5V 400mOhm @ 600mA, 4.5V 1V @ 250µA 0.737 nC @ 4.5 V ±6V 60.67 pF @ 16 V - 460mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount X2-DFN1006-3
    DMN62D0LFD-13

    DMN62D0LFD-13

    MOSFET N-CH X1-DFN1212-3

    Diodes Incorporated

    5,047
    DMN62D0LFD-13

    Техническая документация

    - 3-UDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 310mA (Ta) 1.8V, 4V 2Ohm @ 100mA, 4V 1V @ 250µA 0.5 nC @ 4.5 V ±20V 31 pF @ 25 V - 480mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount X1-DFN1212-3
    DMS3014SFG-13

    DMS3014SFG-13

    MOSFET N-CH POWERDI3333-8

    Diodes Incorporated

    4,785
    DMS3014SFG-13

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.5A (Ta) 4.5V, 10V 13mOhm @ 10.4A, 10V 2.2V @ 250µA 45.7 nC @ 10 V ±12V 4310 pF @ 15 V Schottky Diode (Body) 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount POWERDI3333-8
    NVD5807NT4G-VF01

    NVD5807NT4G-VF01

    MOSFET N-CH 40V 23A DPAK

    onsemi

    6,786
    NVD5807NT4G-VF01

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 23A (Tc) 4.5V, 10V 31mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 603 pF @ 25 V - 33W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    NVD6416ANLT4G

    NVD6416ANLT4G

    MOSFET N-CH 100V 19A DPAK

    onsemi

    9,575
    NVD6416ANLT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 19A (Tc) 4.5V, 10V 74mOhm @ 19A, 10V 2.2V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 25 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK-3
    NVD6495NLT4G

    NVD6495NLT4G

    MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

    onsemi

    9,516
    NVD6495NLT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 25A (Tc) 4.5V, 10V 50mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 1024 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    NTNS5K0P021ZTCG

    NTNS5K0P021ZTCG

    MOSFET P-CH 20V 127MA 3XDFN

    onsemi

    8,856
    NTNS5K0P021ZTCG

    Техническая документация

    - 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 127mA (Ta) 1.5V, 4.5V 5Ohm @ 100mA, 4.5V 1V @ 250µA - ±8V 12.8 pF @ 15 V - 125mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-XDFN (0.42x0.62)
    TSM2311CX-01 RFG

    TSM2311CX-01 RFG

    MOSFET P-CH 20V 4A SOT23

    Taiwan Semiconductor Corporation

    5,732
    TSM2311CX-01 RFG

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4A (Ta) 2.5V, 4.5V 55mOhm @ 4A, 4.5V 1.4V @ 250µA 9 nC @ 4.5 V ±8V 640 pF @ 6 V - 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    TSM10N60CZ C0G

    TSM10N60CZ C0G

    MOSFET N-CH 600V 10A TO220

    Taiwan Semiconductor Corporation

    8,092
    TSM10N60CZ C0G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 750mOhm @ 5A, 10V 4V @ 250µA 45.8 nC @ 10 V ±30V 1738 pF @ 25 V - 166W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    TSM22P10CI C0G

    TSM22P10CI C0G

    MOSFET P-CH 100V 22A ITO220

    Taiwan Semiconductor Corporation

    5,265
    TSM22P10CI C0G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 22A (Tc) 4.5V, 10V 140mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±25V 2250 pF @ 30 V - 48W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220
    TSM22P10CZ C0G

    TSM22P10CZ C0G

    MOSFET P-CH 100V 22A TO220

    Taiwan Semiconductor Corporation

    8,050
    TSM22P10CZ C0G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 22A (Tc) 4.5V, 10V 140mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±25V 2250 pF @ 30 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    TSM230N06CI C0G

    TSM230N06CI C0G

    MOSFET N-CH 60V 50A ITO220

    Taiwan Semiconductor Corporation

    6,455
    TSM230N06CI C0G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 23mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 28 nC @ 10 V ±20V 1680 pF @ 25 V - 42W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220
    TSM480P06CI C0G

    TSM480P06CI C0G

    MOSFET P-CH 60V 20A ITO220

    Taiwan Semiconductor Corporation

    6,126
    TSM480P06CI C0G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 48mOhm @ 8A, 10V 2.2V @ 250µA 22.4 nC @ 10 V ±20V 1250 pF @ 30 V - 27W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220
    TSM480P06CZ C0G

    TSM480P06CZ C0G

    MOSFET P-CH 60V 20A TO220

    Taiwan Semiconductor Corporation

    9,265
    TSM480P06CZ C0G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 48mOhm @ 8A, 10V 2.2V @ 250µA 22.4 nC @ 10 V ±20V 1250 pF @ 30 V - 66W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    TSM680P06CI C0G

    TSM680P06CI C0G

    MOSFET P-CH 60V 18A ITO220

    Taiwan Semiconductor Corporation

    9,949
    TSM680P06CI C0G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 18A (Tc) 4.5V, 10V 68mOhm @ 6A, 10V 2.2V @ 250µA 16.4 nC @ 10 V ±20V 870 pF @ 30 V - 17W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220
    TSM680P06CZ C0G

    TSM680P06CZ C0G

    MOSFET P-CH 60V 18A TO220

    Taiwan Semiconductor Corporation

    3,949
    TSM680P06CZ C0G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 18A (Tc) 4.5V, 10V 68mOhm @ 6A, 10V 2.2V @ 250µA 16.4 nC @ 10 V ±20V 870 pF @ 30 V - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    2N7000-AP

    2N7000-AP

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO92

    Micro Commercial Co

    3,899
    2N7000-AP

    Техническая документация

    - TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Tape & Box (TB) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 220mA (Ta) 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 3V @ 1mA - ±20V 60 pF @ 25 V - 625mW (Ta) -55°C ~ 150°C - - Through Hole TO-92
    MCMP06-TP

    MCMP06-TP

    MOSFET P-CH 2A DFN2020-6U

    Micro Commercial Co

    5,647
    MCMP06-TP

    Техническая документация

    - 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel - - 2A (Ta) - 110mOhm @ 2.8A, 4.5V 1V @ 250µA - - - Schottky Diode (Isolated) - 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN2020-6U
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.