БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NVMFS5C450NLWFAFT3G

    NVMFS5C450NLWFAFT3G

    MOSFET N-CH 40V 27A/110A 5DFN

    onsemi

    5,806
    NVMFS5C450NLWFAFT3G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 27A (Ta), 110A (Tc) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 40A, 10V 2V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 20 V - 3.7W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    SSM3K35MFV,L3F

    SSM3K35MFV,L3F

    MOSFET N-CH 20V 180MA VESM

    Toshiba Semiconductor and Storage

    6,818
    SSM3K35MFV,L3F

    Техническая документация

    - SOT-723 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 180mA (Ta) 1.2V, 4V 3Ohm @ 50mA, 4V 1V @ 1mA - ±10V 9.5 pF @ 3 V - 150mW (Ta) 150°C - - Surface Mount VESM
    TPCC8093,L1Q

    TPCC8093,L1Q

    MOSFET N-CH 20V 21A 8TSON

    Toshiba Semiconductor and Storage

    6,672
    TPCC8093,L1Q

    Техническая документация

    U-MOSVII 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 21A (Ta) 2.5V, 4.5V 5.8mOhm @ 10.5A, 4.5V 1.2V @ 500µA 16 nC @ 5 V ±12V 1860 pF @ 10 V - 1.9W (Ta), 30W (Tc) 150°C - - Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
    TPCP8J01(TE85L,F,M

    TPCP8J01(TE85L,F,M

    MOSFET P-CH 32V 5.5A PS-8

    Toshiba Semiconductor and Storage

    2,906
    TPCP8J01(TE85L,F,M

    Техническая документация

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 32 V 5.5A (Ta) 4V, 10V 35mOhm @ 3A, 10V 2V @ 1mA 34 nC @ 10 V ±20V 1760 pF @ 10 V - 2.14W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount PS-8
    AO4476AL

    AO4476AL

    MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    8,516
    AO4476AL

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 15A (Ta) 4.5V, 10V 7.7mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V 1380 pF @ 15 V - 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    AOD5N50M

    AOD5N50M

    MOSFET N-CH 500V 5A TO252

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    7,860
    AOD5N50M

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 2.5A, 10V 4.5V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±30V 670 pF @ 25 V - 104W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    AON6414AL

    AON6414AL

    MOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    3,752
    AON6414AL

    Техническая документация

    - 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta), 30A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V 1380 pF @ 15 V - 2.3W (Ta), 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
    AON6562

    AON6562

    MOSFET N-CH 30V 29A/32A 8DFN

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    9,182
    AON6562

    Техническая документация

    AlphaMOS 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 29A (Ta), 32A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V 1550 pF @ 15 V - 6W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
    AON7400AL

    AON7400AL

    MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8DFN

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    8,656
    AON7400AL

    Техническая документация

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 15A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 7.5mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V 1380 pF @ 15 V - 3.1W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (3x3)
    MT8386M5

    MT8386M5

    MOSFET N-CH 30V

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    5,733
    MT8386M5

    Техническая документация

    - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    TPH3208LSG

    TPH3208LSG

    GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

    Transphorm

    8,696
    TPH3208LSG

    Техническая документация

    - 3-PowerDFN Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 20A (Tc) 10V 130mOhm @ 14A, 8V 2.6V @ 300µA 42 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-PQFN (8x8)
    TP90H180PS

    TP90H180PS

    GANFET N-CH 900V 15A TO220AB

    Transphorm

    8,284
    TP90H180PS

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) 900 V 15A (Tc) 10V 205mOhm @ 10A, 10V 2.6V @ 500µA 10 nC @ 8 V ±18V 780 pF @ 600 V - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SPD50P03LGXT

    SPD50P03LGXT

    MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5

    Infineon Technologies

    5,333
    SPD50P03LGXT

    Техническая документация

    OptiMOS™ P TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 126 nC @ 10 V ±20V 6880 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-5
    IPI045N10N3GXK

    IPI045N10N3GXK

    MOSFET N-CH 100V 137A TO262-3

    Infineon Technologies

    7,812
    IPI045N10N3GXK

    Техническая документация

    OptiMOS™ 3 TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 137A (Tc) 6V, 10V 4.5mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 150µA 117 nC @ 10 V ±20V 8410 pF @ 50 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    IPP023NE7N3G

    IPP023NE7N3G

    MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3

    Infineon Technologies

    5,063
    IPP023NE7N3G

    Техническая документация

    OptiMOS™ 3 TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 273µA 206 nC @ 10 V ±20V 14400 pF @ 37.5 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    SPP04N80C3XK

    SPP04N80C3XK

    MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3

    Infineon Technologies

    7,878
    SPP04N80C3XK

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 2.5A, 10V 3.9V @ 240µA 31 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 100 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    SPP06N80C3XK

    SPP06N80C3XK

    MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3

    Infineon Technologies

    6,201
    SPP06N80C3XK

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6A (Tc) 10V 900mOhm @ 3.8A, 10V 3.9V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V 785 pF @ 100 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    SPP08N80C3XK

    SPP08N80C3XK

    MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3

    Infineon Technologies

    5,373
    SPP08N80C3XK

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 650mOhm @ 5.1A, 10V 3.9V @ 470µA 60 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IPW65R045C7300XKSA1

    IPW65R045C7300XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 46A TO247

    Infineon Technologies

    6,262
    IPW65R045C7300XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ C7 TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 46A (Tc) 10V 45mOhm @ 24.9A, 10V 4V @ 1.25mA 93 nC @ 10 V ±20V 4340 pF @ 400 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
    PH1530CL,115

    PH1530CL,115

    MOSFET N-CH 30V LFPAK

    Nexperia USA Inc.

    5,191
    PH1530CL,115

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.