БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPD60R380E6BTMA1

    IPD60R380E6BTMA1

    MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3

    Infineon Technologies

    6,500
    IPD60R380E6BTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ E6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10.6A (Tc) 10V 380mOhm @ 3.8A, 10V 3.5V @ 300µA 32 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 100 V - 83W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPU80R1K4CEAKMA1

    IPU80R1K4CEAKMA1

    MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3

    Infineon Technologies

    3,906
    IPU80R1K4CEAKMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 3.9A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2.3A, 10V 3.9V @ 240µA 23 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 100 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
    EPC2030ENGRT

    EPC2030ENGRT

    GANFET NCH 40V 31A DIE

    EPC

    6,032
    EPC2030ENGRT

    Техническая документация

    eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 40 V 31A (Ta) 5V 2.4mOhm @ 30A, 5V 2.5V @ 16mA 18 nC @ 5 V +6V, -4V 1900 pF @ 20 V - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
    EPC2031ENGRT

    EPC2031ENGRT

    GANFET NCH 60V 31A DIE

    EPC

    8,440
    EPC2031ENGRT

    Техническая документация

    eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 60 V 31A (Ta) 5V 2.6mOhm @ 30A, 5V 2.5V @ 15mA 17 nC @ 5 V +6V, -4V 1800 pF @ 300 V - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
    DMP6185SE-7

    DMP6185SE-7

    MOSFET P-CH 60V 3A SOT223

    Diodes Incorporated

    6,106
    DMP6185SE-7

    Техническая документация

    - TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 3A (Ta) 4.5V, 10V 150mOhm @ 2.2A, 10V 3V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 708 pF @ 30 V - 1.2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOT-223-3
    AOB11C60

    AOB11C60

    MOSFET N-CH 600V 11A TO263

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    3,208
    AOB11C60

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 440mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±30V 2000 pF @ 100 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    AOB20C60

    AOB20C60

    MOSFET N-CH 600V 20A TO263

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    3,726
    AOB20C60

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 250mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 74 nC @ 10 V ±30V 3440 pF @ 100 V - 463W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    AOD4160

    AOD4160

    MOSFET N-CH TO-252

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    7,003
    AOD4160

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    AOI452A

    AOI452A

    MOSFET N-CH 25V 55A TO251A

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    5,840
    AOI452A

    Техническая документация

    SDMOS™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 55A (Tc) 4.5V, 10V 7.3mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 1450 pF @ 12.5 V - 3.2W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-251A
    AON7548

    AON7548

    MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    6,193
    AON7548

    Техническая документация

    AlphaMOS 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24A (Tc) 4.5V, 10V 8.8mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 1086 pF @ 15 V - 3.1W (Ta), 23W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
    AOY516

    AOY516

    MOSFET N-CH 30V 46A TO251B

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    3,443
    AOY516

    Техническая документация

    AlphaMOS TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 46A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 2.6V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V 1333 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-251B
    TPH3202PS

    TPH3202PS

    GANFET N-CH 600V 9A TO220AB

    Transphorm

    4,635
    TPH3202PS

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 9A (Tc) 10V 350mOhm @ 5.5A, 8V 2.5V @ 250µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    TPH3202LD

    TPH3202LD

    GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN

    Transphorm

    2,850
    TPH3202LD

    Техническая документация

    - 4-PowerDFN Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 9A (Tc) 10V 350mOhm @ 5.5A, 8V 2.5V @ 250µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 4-PQFN (8x8)
    TPH3206LD

    TPH3206LD

    GANFET N-CH 600V 17A PQFN

    Transphorm

    6,343
    TPH3206LD

    Техническая документация

    - 4-PowerDFN Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 17A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 8V 2.6V @ 500µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 96W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 4-PQFN (8x8)
    TPH3208PS

    TPH3208PS

    GANFET N-CH 650V 20A TO220AB

    Transphorm

    5,167
    TPH3208PS

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) 650 V 20A (Tc) 10V 130mOhm @ 13A, 8V 2.6V @ 300µA 14 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    TPH3208LD

    TPH3208LD

    GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN

    Transphorm

    4,804
    TPH3208LD

    Техническая документация

    - 4-PowerDFN Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 20A (Tc) 10V 130mOhm @ 13A, 8V 2.6V @ 300µA 14 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-PQFN (8x8)
    TPH3207WS

    TPH3207WS

    GANFET N-CH 650V 50A TO247-3

    Transphorm

    6,522
    TPH3207WS

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 50A (Tc) 10V 41mOhm @ 32A, 8V 2.65V @ 700µA 42 nC @ 8 V ±18V 2197 pF @ 400 V - 178W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    TPH3202PD

    TPH3202PD

    GANFET N-CH 600V 9A TO220AB

    Transphorm

    8,196
    TPH3202PD

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 9A (Tc) 10V 350mOhm @ 5.5A, 8V 2.5V @ 250µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    TPH3202LS

    TPH3202LS

    GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN

    Transphorm

    3,416
    TPH3202LS

    Техническая документация

    - 3-PowerDFN Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 9A (Tc) 10V 350mOhm @ 5.5A, 8V 2.5V @ 250µA 9.3 nC @ 4.5 V ±18V 760 pF @ 480 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 3-PQFN (8x8)
    TPH3208PD

    TPH3208PD

    GANFET N-CH 650V 20A TO220AB

    Transphorm

    6,493
    TPH3208PD

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 20A (Tc) 10V 130mOhm @ 13A, 8V 2.6V @ 300µA 14 nC @ 8 V ±18V 760 pF @ 400 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C - - Through Hole TO-220AB
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.