БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPD65R650CEATMA1

    IPD65R650CEATMA1

    MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252-3

    Infineon Technologies

    7,288
    IPD65R650CEATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10.1A (Tc) 10V 650mOhm @ 2.1A, 10V 3.5V @ 210µA 23 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 100 V - 86W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPD85P04P407ATMA1

    IPD85P04P407ATMA1

    MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3

    Infineon Technologies

    2,472
    IPD85P04P407ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 85A (Tc) 10V 7.3mOhm @ 85A, 10V 4V @ 150µA 89 nC @ 10 V ±20V 6085 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO252-3-313
    IPI120N08S403AKSA1

    IPI120N08S403AKSA1

    MOSFET N-CH 80V 120A TO262-3

    Infineon Technologies

    4,497
    IPI120N08S403AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 120A (Tc) 10V 2.8mOhm @ 100A, 10V 4V @ 223µA 167 nC @ 10 V ±20V 11550 pF @ 25 V - 278W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO262-3-1
    IPI120N08S404AKSA1

    IPI120N08S404AKSA1

    MOSFET N-CH 80V 120A TO262-3

    Infineon Technologies

    5,070
    IPI120N08S404AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ T2 TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 120A (Tc) 10V 4.4mOhm @ 100A, 10V 4V @ 120µA 95 nC @ 10 V ±20V 6450 pF @ 25 V - 179W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO262-3-1
    IPI120N10S403AKSA1

    IPI120N10S403AKSA1

    MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3

    Infineon Technologies

    9,857
    IPI120N10S403AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 3.9mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 180µA 140 nC @ 10 V ±20V 10120 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO262-3-1
    IPI120N10S405AKSA1

    IPI120N10S405AKSA1

    MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3

    Infineon Technologies

    8,076
    IPI120N10S405AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ T2 TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 5.3mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 120µA 91 nC @ 10 V ±20V 6540 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO262-3-1
    IPI120P04P4L03AKSA1

    IPI120P04P4L03AKSA1

    MOSFET P-CH 40V 120A TO262-3

    Infineon Technologies

    8,811
    IPI120P04P4L03AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 100A, 10V 2.2V @ 340µA 234 nC @ 10 V ±16V 15000 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO262-3-1
    IPI65R280E6XKSA1

    IPI65R280E6XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3

    Infineon Technologies

    9,829
    IPI65R280E6XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ E6 TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 13.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 4.4A, 10V 3.5V @ 440µA 45 nC @ 10 V ±20V 950 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
    IPI80P03P405AKSA1

    IPI80P03P405AKSA1

    MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3

    Infineon Technologies

    4,711
    IPI80P03P405AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 10V 5mOhm @ 80A, 10V 4V @ 253µA 130 nC @ 10 V ±20V 10300 pF @ 25 V - 137W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO262-3-1
    IPI80P04P405AKSA1

    IPI80P04P405AKSA1

    MOSFET P-CH 40V 80A TO262-3

    Infineon Technologies

    8,067
    IPI80P04P405AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 5.2mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 151 nC @ 10 V ±20V 10300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO262-3-1
    IPI80P04P4L04AKSA1

    IPI80P04P4L04AKSA1

    MOSFET P-CH 40V 80A TO262-3

    Infineon Technologies

    8,204
    IPI80P04P4L04AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 4.7mOhm @ 80A, 10V 2.2V @ 250µA 176 nC @ 10 V +5V, -16V 3800 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO262-3-1
    IPL65R165CFDAUMA1

    IPL65R165CFDAUMA1

    MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON

    Infineon Technologies

    6,819
    IPL65R165CFDAUMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 21.3A (Tc) 10V 165mOhm @ 9.3A, 10V 4.5V @ 900µA 86 nC @ 10 V ±20V 2340 pF @ 100 V - 195W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    IPL65R190E6AUMA1

    IPL65R190E6AUMA1

    MOSFET N-CH 650V 20.2A 4VSON

    Infineon Technologies

    7,482
    IPL65R190E6AUMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ E6 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20.2A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.3A, 10V 3.5V @ 700µA 73 nC @ 10 V ±20V 1620 pF @ 100 V - 151W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    IPL65R210CFDAUMA1

    IPL65R210CFDAUMA1

    MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON

    Infineon Technologies

    6,956
    IPL65R210CFDAUMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 16.6A (Tc) 10V 210mOhm @ 7.3A, 10V 4.5V @ 700µA 68 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 100 V - 151W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    IPL65R310E6AUMA1

    IPL65R310E6AUMA1

    MOSFET N-CH 650V 13.1A THIN-PAK

    Infineon Technologies

    2,333
    IPL65R310E6AUMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ E6 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 13.1A (Tc) 10V 310mOhm @ 4.4A, 10V 3.5V @ 400µA 45 nC @ 10 V ±20V 950 pF @ 100 V - 104W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    IPL65R340CFDAUMA1

    IPL65R340CFDAUMA1

    MOSFET N-CH 650V 10.9A THIN-PAK

    Infineon Technologies

    4,797
    IPL65R340CFDAUMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10.9A (Tc) 10V 340mOhm @ 4.4A, 10V 4.5V @ 400µA 41 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 104.2W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    IPL65R420E6AUMA1

    IPL65R420E6AUMA1

    MOSFET N-CH 650V 10.1A THIN-PAK

    Infineon Technologies

    6,988
    IPL65R420E6AUMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ E6 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10.1A (Tc) 10V 420mOhm @ 3.4A, 10V 3.5V @ 300µA 39 nC @ 10 V ±20V 710 pF @ 100 V - 83W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    IPL65R460CFDAUMA1

    IPL65R460CFDAUMA1

    MOSFET N-CH 650V 8.3A THIN-PAK

    Infineon Technologies

    2,551
    IPL65R460CFDAUMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8.3A (Tc) 10V 460mOhm @ 3.4A, 10V 4.5V @ 300µA 31.5 nC @ 10 V ±20V 870 pF @ 100 V - 83.3W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    IPL65R660E6AUMA1

    IPL65R660E6AUMA1

    MOSFET N-CH 650V 7A THIN-PAK

    Infineon Technologies

    5,788
    IPL65R660E6AUMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ E6 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7A (Tc) 10V 660mOhm @ 2.1A, 10V 3.5V @ 200µA 23 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 100 V - 63W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    IPP120P04P404AKSA1

    IPP120P04P404AKSA1

    MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3

    Infineon Technologies

    3,291
    IPP120P04P404AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 3.8mOhm @ 100A, 10V 4V @ 340µA 205 nC @ 10 V ±20V 14790 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO220-3-1
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.