БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NTMFS4927NCT3G

    NTMFS4927NCT3G

    MOSFET N-CH 30V 7.9A/38A 5DFN

    onsemi

    8,432
    NTMFS4927NCT3G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7.9A (Ta), 38A (Tc) 4.5V, 10V 7.3mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 8 nC @ 4.5 V ±20V 913 pF @ 15 V - 920mW (Ta), 20.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    NTMFS4935NCT1G

    NTMFS4935NCT1G

    MOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN

    onsemi

    6,662
    NTMFS4935NCT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta), 93A (Tc) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 49.4 nC @ 10 V ±20V 4850 pF @ 15 V - 930mW (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    NTMFS4935NCT3G

    NTMFS4935NCT3G

    MOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN

    onsemi

    6,016
    NTMFS4935NCT3G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta), 93A (Tc) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 49.4 nC @ 10 V ±20V 4850 pF @ 15 V - 930mW (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    NVB25P06T4G

    NVB25P06T4G

    MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

    onsemi

    8,094
    NVB25P06T4G

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 27.5A (Ta) 10V 82mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±15V 1680 pF @ 25 V - 120W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    NVB5405NT4G

    NVB5405NT4G

    MOSFET N-CH 40V 16.5A/116A D2PAK

    onsemi

    4,422
    NVB5405NT4G

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 16.5A (Ta), 116A (Tc) 5V, 10V 5.8mOhm @ 40A, 10V 3.5V @ 250µA 88 nC @ 10 V ±20V 4000 pF @ 32 V - 3W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    NVB5426NT4G

    NVB5426NT4G

    MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

    onsemi

    3,830
    NVB5426NT4G

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 6mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 5800 pF @ 25 V - 215W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    NVD5413NT4G

    NVD5413NT4G

    MOSFET N-CH 60V 30A DPAK

    onsemi

    3,883
    NVD5413NT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Tc) 10V 26mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±20V 1725 pF @ 25 V - 68W (Tc) - Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    NVD5862NT4G

    NVD5862NT4G

    MOSFET N-CH 60V 18A/98A DPAK

    onsemi

    5,924
    NVD5862NT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 18A (Ta), 98A (Tc) 10V 5.7mOhm @ 48A, 10V 4V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±20V 6000 pF @ 25 V - 4.1W (Ta), 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    NVD6415ANLT4G

    NVD6415ANLT4G

    MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4

    onsemi

    7,974
    NVD6415ANLT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 23A (Tc) 4.5V, 10V 52mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA 20 nC @ 4.5 V ±20V 1024 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    NVGS3443T1G

    NVGS3443T1G

    MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP

    onsemi

    4,096
    NVGS3443T1G

    Техническая документация

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.1A (Ta) - 65mOhm @ 4.4A, 4.5V 1.5V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V - 565 pF @ 5 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 6-TSOP
    NVMS4816NR2G

    NVMS4816NR2G

    MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC

    onsemi

    2,558
    NVMS4816NR2G

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.8A (Ta) - 10mOhm @ 9A, 10V 3V @ 250µA 9.2 nC @ 4.5 V - 1060 pF @ 25 V - - - Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOIC
    SBVS138LT1G

    SBVS138LT1G

    MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT-23

    onsemi

    6,503
    SBVS138LT1G

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    STD24N06LT4G

    STD24N06LT4G

    MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

    onsemi

    6,843
    STD24N06LT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 24A (Tc) 5V 45mOhm @ 10A, 5V 2V @ 250µA 32 nC @ 5 V ±15V 1140 pF @ 25 V - 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    STD25P03LT4G

    STD25P03LT4G

    MOSFET P-CH 30V 25A DPAK

    onsemi

    4,704
    STD25P03LT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 25A (Tc) 4V, 5V 80mOhm @ 25A, 5V 2V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±15V 1260 pF @ 25 V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    SSVD5804NT4G

    SSVD5804NT4G

    MOSFET N-CH 40V 69A DPAK

    onsemi

    8,993
    SSVD5804NT4G

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRF6811STR1PBF

    IRF6811STR1PBF

    MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    4,855
    IRF6811STR1PBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric SQ Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 19A (Ta), 74A (Tc) 4.5V, 10V 3.7mOhm @ 19A, 10V 2.1V @ 35µA 17 nC @ 4.5 V ±16V 1590 pF @ 13 V - 2.1W (Ta), 32W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ SQ
    IRF6894MTR1PBF

    IRF6894MTR1PBF

    MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    3,296
    IRF6894MTR1PBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MX Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 32A (Ta), 160A (Tc) 4.5V, 10V 1.3mOhm @ 33A, 10V 2.1V @ 100µA 39 nC @ 4.5 V ±16V 4160 pF @ 13 V Schottky Diode (Body) 2.1W (Ta), 54W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MX
    IRF6898MTR1PBF

    IRF6898MTR1PBF

    MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    7,913
    IRF6898MTR1PBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MX Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 35A (Ta), 213A (Tc) 4.5V, 10V 1.1mOhm @ 35A, 10V 2.1V @ 100µA 62 nC @ 4.5 V ±16V 5435 pF @ 13 V Schottky Diode (Body) 2.1W (Ta), 78W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MX
    IRFB812PBF

    IRFB812PBF

    MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB

    Infineon Technologies

    3,680
    IRFB812PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 3.6A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 810 pF @ 25 V - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFI4410ZGPBF

    IRFI4410ZGPBF

    MOSFET N-CH 100V 43A TO220AB FP

    Infineon Technologies

    8,662
    IRFI4410ZGPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 43A (Tc) 10V 9.3mOhm @ 26A, 10V 4V @ 150µA 110 nC @ 10 V ±30V 4910 pF @ 50 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.