БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    BUK9E06-55A,127

    BUK9E06-55A,127

    MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK

    Nexperia USA Inc.

    2,614
    BUK9E06-55A,127

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 5.8mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA - ±15V 8600 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole I2PAK
    BUK9E08-55B,127

    BUK9E08-55B,127

    MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK

    Nexperia USA Inc.

    6,787
    BUK9E08-55B,127

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 5V, 10V 7mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA 45 nC @ 5 V ±15V 5280 pF @ 25 V - 203W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole I2PAK
    PHP165NQ08T,127

    PHP165NQ08T,127

    MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

    NXP USA Inc.

    8,094
    PHP165NQ08T,127

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 75A (Tc) 10V 5mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 165 nC @ 10 V ±20V 8250 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    PMK50XP,518

    PMK50XP,518

    MOSFET P-CH 20V 7.9A 8SO

    Nexperia USA Inc.

    2,108
    PMK50XP,518

    Техническая документация

    TrenchMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 7.9A (Tc) 4.5V 50mOhm @ 2.8A, 4.5V 950mV @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±12V 1020 pF @ 20 V - 5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    STF8NM60ND

    STF8NM60ND

    MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP

    STMicroelectronics

    8,258
    STF8NM60ND

    Техническая документация

    FDmesh™ II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Tc) 10V 700mOhm @ 3.5A, 10V 5V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±30V 560 pF @ 50 V - 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IRF8707GPBF

    IRF8707GPBF

    MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

    Infineon Technologies

    8,966
    IRF8707GPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 11.9mOhm @ 11A, 10V 2.35V @ 25µA 9.3 nC @ 4.5 V ±20V 760 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF8714GPBF

    IRF8714GPBF

    MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

    Infineon Technologies

    2,058
    IRF8714GPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 8.7mOhm @ 14A, 10V 2.35V @ 25µA 12 nC @ 4.5 V ±20V 1020 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF8721GPBF

    IRF8721GPBF

    MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

    Infineon Technologies

    5,394
    IRF8721GPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 14A, 10V 2.35V @ 25µA 12 nC @ 4.5 V ±20V 1040 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7665S2TRPBF

    IRF7665S2TRPBF

    MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    2,794
    IRF7665S2TRPBF

    Техническая документация

    - DirectFET™ Isometric SB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 10V 62mOhm @ 8.9A, 10V 5V @ 25µA 13 nC @ 10 V ±20V 515 pF @ 25 V - 2.4W (Ta), 30W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET SB
    PSMN050-80PS,127

    PSMN050-80PS,127

    MOSFET N-CH 80V 22A TO220AB

    NXP USA Inc.

    3,789
    PSMN050-80PS,127

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 22A (Tc) 10V 51mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±20V 633 pF @ 12 V - 56W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF6718L2TR1PBF

    IRF6718L2TR1PBF

    MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    8,562
    IRF6718L2TR1PBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric L6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 61A (Ta), 270A (Tc) 4.5V, 10V 0.7mOhm @ 61A, 10V 2.35V @ 150µA 96 nC @ 4.5 V ±20V 6500 pF @ 13 V - 4.3W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET L6
    IRF6718L2TRPBF

    IRF6718L2TRPBF

    MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    5,445
    IRF6718L2TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric L6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 61A (Ta), 270A (Tc) 4.5V, 10V 0.7mOhm @ 61A, 10V 2.35V @ 150µA 96 nC @ 4.5 V ±20V 6500 pF @ 13 V - 4.3W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET L6
    IXFK210N17T

    IXFK210N17T

    MOSFET N-CH 170V 210A TO264AA

    IXYS

    7,541
    IXFK210N17T

    Техническая документация

    GigaMOS™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 170 V 210A (Tc) 10V 7.5mOhm @ 60A, 10V 5V @ 4mA 285 nC @ 10 V ±20V 18800 pF @ 25 V - 1150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    IXFX210N17T

    IXFX210N17T

    MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247-3

    IXYS

    3,370
    IXFX210N17T

    Техническая документация

    GigaMOS™ TO-247-3 Variant Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 170 V 210A (Tc) 10V 7.5mOhm @ 60A, 10V 5V @ 4mA 285 nC @ 10 V ±20V 18800 pF @ 25 V - 1150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IXFN260N17T

    IXFN260N17T

    MOSFET N-CH 170V 245A SOT227B

    IXYS

    8,227
    IXFN260N17T

    Техническая документация

    GigaMOS™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 170 V 245A (Tc) 10V 6.5mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 400 nC @ 10 V ±20V 24000 pF @ 25 V - 1090W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    IXFK260N17T

    IXFK260N17T

    MOSFET N-CH 170V 260A TO264AA

    IXYS

    5,027
    IXFK260N17T

    Техническая документация

    GigaMOS™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 170 V 260A (Tc) 10V 6.5mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 400 nC @ 10 V ±20V 24000 pF @ 25 V - 1670W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    IXFX260N17T

    IXFX260N17T

    MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247-3

    IXYS

    6,452
    IXFX260N17T

    Техническая документация

    GigaMOS™ TO-247-3 Variant Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 170 V 260A (Tc) 10V 6.5mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 400 nC @ 10 V ±20V 24000 pF @ 25 V - 1670W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    STB95N3LLH6

    STB95N3LLH6

    MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

    STMicroelectronics

    7,181
    STB95N3LLH6

    Техническая документация

    DeepGATE™, STripFET™ VI TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 4.2mOhm @ 40A, 10V 2.5V @ 250µA 24.5 nC @ 4.5 V ±20V 2200 pF @ 25 V - 70W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    2SK3708

    2SK3708

    MOSFET N-CH 100V 30A TO220ML

    onsemi

    6,549
    2SK3708

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 30A (Ta) 4V, 10V 33mOhm @ 15A, 10V - 73 nC @ 10 V ±20V 4200 pF @ 20 V - 2W (Ta), 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220ML
    ATP204-TL-H

    ATP204-TL-H

    MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK

    onsemi

    9,201
    ATP204-TL-H

    Техническая документация

    - ATPAK (2 Leads+Tab) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Ta) 4.5V, 10V 5.6mOhm @ 50A, 10V - 70 nC @ 10 V ±20V 4600 pF @ 10 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount ATPAK
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.