БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    VN2222LLRLRA

    VN2222LLRLRA

    MOSFET N-CH 60V 150MA TO92-3

    onsemi

    8,112
    VN2222LLRLRA

    Техническая документация

    - TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 150mA (Ta) 10V 7.5Ohm @ 500mA, 10V 2.5V @ 1mA - ±20V 60 pF @ 25 V - 400mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92 (TO-226)
    APL1001J

    APL1001J

    MOSFET N-CH 1000V 18A ISOTOP

    Microchip Technology

    2,360
    APL1001J

    Техническая документация

    - SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 18A (Tc) 10V 600mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 2.5mA - ±30V 7200 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
    APT1003RKLLG

    APT1003RKLLG

    MOSFET N-CH 1000V 4A TO220

    Microchip Technology

    9,461
    APT1003RKLLG

    Техническая документация

    POWER MOS 7® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 4A (Tc) 10V 3Ohm @ 2A, 10V 5V @ 1mA 34 nC @ 10 V ±30V 694 pF @ 25 V - 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 [K]
    APT11N80KC3G

    APT11N80KC3G

    MOSFET N-CH 800V 11A TO220

    Microsemi Corporation

    6,226
    APT11N80KC3G

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 11A (Tc) 10V 450mOhm @ 7.1A, 10V 3.9V @ 680µA 60 nC @ 10 V ±20V 1585 pF @ 25 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 [K]
    APT1204R7KFLLG

    APT1204R7KFLLG

    MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO220

    Microsemi Corporation

    8,750
    APT1204R7KFLLG

    Техническая документация

    POWER MOS 7® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 3.5A (Tc) 10V 4.7Ohm @ 1.75A, 10V 5V @ 1mA 31 nC @ 10 V ±30V 715 pF @ 25 V - 135W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 [K]
    APT15F50K

    APT15F50K

    MOSFET N-CH 500V 15A TO220

    Microsemi Corporation

    7,071
    APT15F50K

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 15A (Tc) - 390mOhm @ 7A, 10V 5V @ 500µA 55 nC @ 10 V - 2250 pF @ 25 V - 223W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 [K]
    APT20F50B

    APT20F50B

    MOSFET N-CH 500V 20A TO247

    Microsemi Corporation

    7,104
    APT20F50B

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) 10V 300mOhm @ 10A, 10V 5V @ 500µA 75 nC @ 10 V ±30V 2950 pF @ 25 V - 290W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
    APT4F120K

    APT4F120K

    MOSFET N-CH 1200V 4A TO220

    Microchip Technology

    4,309
    APT4F120K

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 4A (Tc) 10V 4.6Ohm @ 2A, 10V 5V @ 500µA 43 nC @ 10 V ±30V 1385 pF @ 25 V - 225W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    APT4M120K

    APT4M120K

    MOSFET N-CH 1200V 5A TO220

    Microchip Technology

    6,233
    APT4M120K

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 5A (Tc) 10V 4Ohm @ 2A, 10V 5V @ 1mA 43 nC @ 10 V ±30V 1385 pF @ 25 V - 225W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 [K]
    APT50M65B2LLG

    APT50M65B2LLG

    MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX

    Microsemi Corporation

    8,239
    APT50M65B2LLG

    Техническая документация

    POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 67A (Tc) 10V 65mOhm @ 33.5A, 10V 5V @ 2.5mA 141 nC @ 10 V ±30V 7010 pF @ 25 V - 694W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
    APT5F100K

    APT5F100K

    MOSFET N-CH 1000V 5A TO220

    Microsemi Corporation

    4,495
    APT5F100K

    Техническая документация

    POWER MOS 8™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 5A (Tc) 10V 2.8Ohm @ 3A, 10V 5V @ 500µA 43 nC @ 10 V ±30V 1409 pF @ 25 V - 225W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 [K]
    APT6M100K

    APT6M100K

    MOSFET N-CH 1000V 6A TO220

    Microsemi Corporation

    3,761
    APT6M100K

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 6A (Tc) 10V 2.5Ohm @ 3A, 10V 5V @ 1mA 43 nC @ 10 V ±30V 1410 pF @ 25 V - 225W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 [K]
    APT7F80K

    APT7F80K

    MOSFET N-CH 800V 7A TO220

    Microsemi Corporation

    3,321
    APT7F80K

    Техническая документация

    POWER MOS 8™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 7A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 4A, 10V 5V @ 500µA 43 nC @ 10 V ±30V 1335 pF @ 25 V - 225W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 [K]
    APT8M80K

    APT8M80K

    MOSFET N-CH 800V 8A TO220

    Microsemi Corporation

    3,321
    APT8M80K

    Техническая документация

    POWER MOS 8™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 1.35Ohm @ 4A, 10V 5V @ 500µA 43 nC @ 10 V ±30V 1335 pF @ 25 V - 225W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 [K]
    APT94N60L2C3G

    APT94N60L2C3G

    MOSFET N-CH 600V 94A 264 MAX

    Microchip Technology

    4,641
    APT94N60L2C3G

    Техническая документация

    - TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 94A (Tc) 10V 35mOhm @ 60A, 10V 3.9V @ 5.4mA 640 nC @ 10 V ±20V 13600 pF @ 25 V - 833W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 264 MAX™ [L2]
    IRFR2607ZPBF

    IRFR2607ZPBF

    MOSFET N-CH 75V 42A DPAK

    Infineon Technologies

    3,244
    IRFR2607ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 42A (Tc) 10V 22mOhm @ 30A, 10V 4V @ 50µA 51 nC @ 10 V ±20V 1440 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-901|DPAK
    HAT2175H-EL-E

    HAT2175H-EL-E

    MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    8,298
    HAT2175H-EL-E

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 15A (Ta) 8V, 10V 42mOhm @ 7.5A, 10V - 21 nC @ 10 V ±20V 1445 pF @ 10 V - 15W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    HAT2197R-EL-E

    HAT2197R-EL-E

    MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

    Renesas Electronics Corporation

    5,758
    HAT2197R-EL-E

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 16A (Ta) 4.5V, 10V 6.7mOhm @ 8A, 10V - 18 nC @ 4.5 V ±20V 2650 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    FDPF16N50

    FDPF16N50

    MOSFET N-CH 500V 16A TO220F

    onsemi

    9,896
    FDPF16N50

    Техническая документация

    UniFET™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 16A (Tc) 10V 380mOhm @ 8A, 10V 5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±30V 1945 pF @ 25 V - 38.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    FDPF20N50

    FDPF20N50

    MOSFET N-CH 500V 20A TO220F

    onsemi

    6,206
    FDPF20N50

    Техническая документация

    UniFET™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) 10V 230mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 59.5 nC @ 10 V ±30V 3120 pF @ 25 V - 38.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.