БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPD029N04NF2SATMA1

    IPD029N04NF2SATMA1

    TRENCH <= 40V

    Infineon Technologies

    1,875
    IPD029N04NF2SATMA1

    Техническая документация

    StrongIRFET™2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 24A (Ta), 131A (Tc) 6V, 10V 2.9mOhm @ 70A, 10V 3.4V @ 53µA 68 nC @ 10 V ±20V 3200 pF @ 20 V - 3W (Ta), 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPD80R2K8CEATMA1

    IPD80R2K8CEATMA1

    MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

    Infineon Technologies

    4,855
    IPD80R2K8CEATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CE TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 1.9A (Tc) 10V 2.8Ohm @ 1.1A, 10V 3.9V @ 120µA 12 nC @ 10 V ±20V 290 pF @ 100 V - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    NVMYS5D3N04CTWG

    NVMYS5D3N04CTWG

    MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK

    onsemi

    3,000
    NVMYS5D3N04CTWG

    Техническая документация

    - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 19A (Ta), 71A (Tc) 10V 5.3mOhm @ 35A, 10V 3.5V @ 40µA 16 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 25 V - 3.6W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK4 (5x6)
    CXDM1002N TR PBFREE

    CXDM1002N TR PBFREE

    MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89

    Central Semiconductor Corp

    2,586
    CXDM1002N TR PBFREE

    Техническая документация

    - TO-243AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2A (Ta) 4.5V, 10V 300mOhm @ 2A, 10V 2.5V @ 250µA 6 nC @ 5 V 20V 550 pF @ 25 V - 1.2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-89
    BUK9M67-60ELX

    BUK9M67-60ELX

    SINGLE N-CHANNEL 60 V, 44 MOHM L

    Nexperia USA Inc.

    1,457
    BUK9M67-60ELX

    Техническая документация

    - SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 43.8mOhm @ 5A, 10V 2.1V @ 1mA 19 nC @ 10 V ±10V 915 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK33
    RJK1028DNS-00#J5

    RJK1028DNS-00#J5

    ABU / MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    9,620
    RJK1028DNS-00#J5

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4A (Ta) 4.5V, 10V 165mOhm @ 2A, 10V 2.5V @ 1mA 3.7 nC @ 4.5 V +12V, -5V 450 pF @ 10 V - 10W (Ta) 150°C - - Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
    SIS106DN-T1-GE3

    SIS106DN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK

    Vishay Siliconix

    6,003
    SIS106DN-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 9.8A (Ta), 16A (Tc) 7.5V, 10V 18.5mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 13.5 nC @ 10 V ±20V 540 pF @ 30 V - 3.2W (Ta), 24W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
    DMP3010LPS-13

    DMP3010LPS-13

    MOSFET P-CH 30V 14.5A PWRDI5060

    Diodes Incorporated

    2,250
    DMP3010LPS-13

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14.5A (Ta) 4.5V, 10V 7.5mOhm @ 10A, 10V 2.1V @ 250µA 126.2 nC @ 10 V ±20V 6234 pF @ 15 V - 2.18W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerDI5060-8
    SIRA32DP-T1-RE3

    SIRA32DP-T1-RE3

    MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    2,032
    SIRA32DP-T1-RE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 1.2mOhm @ 15A, 10V 2.2V @ 250µA 83 nC @ 10 V +16V, -12V 4450 pF @ 10 V - 65.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    IRFR9010TRPBF

    IRFR9010TRPBF

    MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK

    Vishay Siliconix

    863
    IRFR9010TRPBF

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 5.3A (Tc) 10V 500mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 9.1 nC @ 10 V ±20V 240 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    RQ3E100BNTB1

    RQ3E100BNTB1

    NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10

    Rohm Semiconductor

    6,340
    RQ3E100BNTB1

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta), 21A (Tc) 4.5V, 10V 10.4mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 22 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 15 V - 2W (Ta), 15W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
    CSD17552Q5A

    CSD17552Q5A

    MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON

    Texas Instruments

    4,925
    CSD17552Q5A

    Техническая документация

    NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 17A (Ta), 60A (Tc) 4.5V, 10V 6.2mOhm @ 15A, 10V 1.9V @ 250µA 12 nC @ 4.5 V ±20V 2050 pF @ 15 V - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSONP (5x6)
    BUK9M6R7-40HX

    BUK9M6R7-40HX

    MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33

    Nexperia USA Inc.

    4,494
    BUK9M6R7-40HX

    Техническая документация

    - SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 6.7mOhm @ 20A, 10V 2.15V @ 1mA 31 nC @ 10 V +16V, -10V 2054 pF @ 25 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK33
    RW4E065GNTCL1

    RW4E065GNTCL1

    NCH 30V 6.5A, HEML1616L7, POWER

    Rohm Semiconductor

    2,437
    RW4E065GNTCL1

    Техническая документация

    - 6-PowerUFDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.5A (Ta) 4.5V, 10V 22.5mOhm @ 6.5A, 10V 2.5V @ 1mA 4.3 nC @ 10 V ±20V 260 pF @ 15 V - 1.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN1616-7T
    RF4G100BGTCR

    RF4G100BGTCR

    NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M

    Rohm Semiconductor

    2,597
    RF4G100BGTCR

    Техническая документация

    - 8-PowerUDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 10A (Ta) 4.5V, 10V 14.2mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 10.6 nC @ 10 V ±20V 530 pF @ 20 V - 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN2020-8S
    RF4L070BGTCR

    RF4L070BGTCR

    NCH 60V 7A, HUML2020L8, POWER MO

    Rohm Semiconductor

    2,448
    RF4L070BGTCR

    Техническая документация

    - 8-PowerUDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7A (Ta) 4.5V, 10V 27mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 7.6 nC @ 10 V ±20V 460 pF @ 30 V - 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN2020-8S
    TSM070NH04CR RLG

    TSM070NH04CR RLG

    40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER

    Taiwan Semiconductor Corporation

    4,990
    TSM070NH04CR RLG

    Техническая документация

    PerFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 15A (Ta), 54A (Tc) 7V, 10V 7mOhm @ 27A, 10V 3.6V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 1337 pF @ 25 V - 46.8W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFNU (5x6)
    TSM070NH04LCR RLG

    TSM070NH04LCR RLG

    40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER

    Taiwan Semiconductor Corporation

    4,361
    TSM070NH04LCR RLG

    Техническая документация

    PerFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 15A (Ta), 54A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 27A, 10V 2.2V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±16V 1446 pF @ 25 V - 46.8W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFNU (5x6)
    STD2NC45-1

    STD2NC45-1

    MOSFET N-CH 450V 1.5A IPAK

    STMicroelectronics

    907
    STD2NC45-1

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 450 V 1.5A (Tc) 10V 4.5Ohm @ 500mA, 10V 3.7V @ 250µA 7 nC @ 10 V ±30V 160 pF @ 25 V - 30W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
    IPC100N04S5L2R6ATMA1

    IPC100N04S5L2R6ATMA1

    MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34

    Infineon Technologies

    5,000
    IPC100N04S5L2R6ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 2.6mOhm @ 50A, 10V 2V @ 30µA 55 nC @ 10 V ±16V 2925 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TDSON-8-34
    Total 36322 Record«Prev1... 134135136137138139140141...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.