БомКей Электроникс!

    FET, массивы MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    SSFK3220C

    SSFK3220C

    MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT363

    Good-Ark Semiconductor

    4,870
    SSFK3220C

    Техническая документация

    - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel Logic Level Gate, 1.5V Drive 20V 800mA (Tc) 300mOhm @ 500mA, 4.5V 1V @ 250µA 2nC @ 4.5V 75pF @ 30V 275mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-363
    GSF7002DW

    GSF7002DW

    MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT363

    Good-Ark Semiconductor

    4,627
    GSF7002DW

    Техническая документация

    - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Cut Tape (CT) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 60V 340mA (Ta) 5Ohm @ 500mA, 10V 2.5V @ 1mA - 40pF @ 10V 150mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-363
    BSS138PS

    BSS138PS

    MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT23-6

    UMW

    2,475
    BSS138PS

    Техническая документация

    - SOT-23-6 Cut Tape (CT) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 60V 300mA (Ta) 2Ohm @ 300mA, 10V 1.6V @ 250µA - 27pF @ 30V 350mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-6
    PJT7002H_R1_00001

    PJT7002H_R1_00001

    MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

    Panjit International Inc.

    2,285
    PJT7002H_R1_00001

    Техническая документация

    - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 250mA (Ta) 5Ohm @ 300mA, 10V 3V @ 250µA 1.3nC @ 4.5V 22pF @ 25V 350mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-363
    FDC6302P

    FDC6302P

    MOSFET 2P-CH 25V 0.12A SSOT6

    onsemi

    9,976
    FDC6302P

    Техническая документация

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 25V 120mA 10Ohm @ 200mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 0.31nC @ 4.5V 11pF @ 10V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    PMDPB42UN,115

    PMDPB42UN,115

    MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6HUSON

    NXP USA Inc.

    8,710
    PMDPB42UN,115

    Техническая документация

    - 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 3.9A 50mOhm @ 3.9A, 4.5V 1V @ 250µA 3.5nC @ 4.5V 185pF @ 10V 510mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-HUSON (2x2)
    PMDPB56XN,115

    PMDPB56XN,115

    MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6HUSON

    NXP USA Inc.

    3,621
    PMDPB56XN,115

    Техническая документация

    - 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 3.1A 73mOhm @ 3.1A, 4.5V 1.5V @ 250µA 2.9nC @ 4.5V 170pF @ 15V 510mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-HUSON (2x2)
    FDMB3900AN

    FDMB3900AN

    MOSFET 2N-CH 25V 7A 8MLP MICRO

    onsemi

    5,979
    FDMB3900AN

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 25V 7A 23mOhm @ 7A, 10V 3V @ 250µA 17nC @ 10V 890pF @ 13V 800mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
    NTHD4401PT1G

    NTHD4401PT1G

    MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET

    onsemi

    9,031
    NTHD4401PT1G

    Техническая документация

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.1A 155mOhm @ 2.1A, 4.5V 1.2V @ 250µA 6nC @ 4.5V 300pF @ 10V 1.1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount ChipFET™
    EMH2314-TL-H

    EMH2314-TL-H

    MOSFET 2P-CH 12V 5A 8EMH

    onsemi

    9,218
    EMH2314-TL-H

    Техническая документация

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 12V 5A 37mOhm @ 2.5A, 4.5V - 12nC @ 4.5V 1300pF @ 6V 1.2W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-EMH
    VEC2610-TL-E

    VEC2610-TL-E

    PCH+NCH 1.8V DRIVE SERIES

    onsemi

    615,000
    VEC2610-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FW216A-TL-2W

    FW216A-TL-2W

    MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8SOIC

    onsemi

    9,000
    FW216A-TL-2W

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 4V Drive 35V 4.5A 64mOhm @ 4.5A, 10V - 5.6nC @ 10V 280pF @ 10V 2.2W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    NTMD3P03R2

    NTMD3P03R2

    MOSFET PWR P-CHAN DUAL 30V 8SOIC

    onsemi

    185,434
    NTMD3P03R2

    Техническая документация

    - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - -
    FDC6320C

    FDC6320C

    MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SSOT6

    Fairchild Semiconductor

    177,000
    FDC6320C

    Техническая документация

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 25V 220mA, 120mA 4Ohm @ 400mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 0.4nC @ 4.5V 9.5pF @ 10V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    NTMD3N08LR2

    NTMD3N08LR2

    MOSFET 2N-CH 80V 2.3A 8SOIC

    onsemi

    106,090
    NTMD3N08LR2

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 80V 2.3A 215mOhm @ 2.5A, 10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V 480pF @ 25V 3.1W - - - Surface Mount 8-SOIC
    NTHD4401PT3G

    NTHD4401PT3G

    MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET

    onsemi

    7,344
    NTHD4401PT3G

    Техническая документация

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.1A 155mOhm @ 2.1A, 4.5V 1.2V @ 250µA 6nC @ 4.5V 300pF @ 10V 1.1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount ChipFET™
    FDMW2512NZ

    FDMW2512NZ

    MOSFET 2N-CH 20V 7.2A 6MLP

    Fairchild Semiconductor

    65,743
    FDMW2512NZ

    Техническая документация

    PowerTrench® 6-WFDFN Exposed Pad Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain - 20V 7.2A (Ta) 26mOhm @ 7.2A, 4.5V 1.5V @ 250µA 13nC @ 10V 740pF @ 15V 800mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MLP (2x5)
    SI9934DY

    SI9934DY

    MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    20,523
    SI9934DY

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 20V 5A (Ta) 50mOhm @ 5A, 4.5V 1.5V @ 250µA 16nC @ 4.5V 1015pF @ 10V 900mW (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    EMH2603-TL-E

    EMH2603-TL-E

    PCH+NCH 1.8V DRIVE SERIES

    onsemi

    9,000
    EMH2603-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    EMH2402-TL-E

    EMH2402-TL-E

    MOSFET N-CH

    Sanyo

    9,000
    EMH2402-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    Total 5737 Record«Prev1... 8889909192939495...287Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.