БомКей Электроникс!

    FET, массивы MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NXH004P120M3F2PTNG

    NXH004P120M3F2PTNG

    MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM

    onsemi

    4,241
    NXH004P120M3F2PTNG

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 338A (Tj) 5.5mOhm @ 200A, 18V 4.4V @ 120mA 876nC @ 20V 16410pF @ 800V 1.1kW (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount 36-PIM (56.7x62.8)
    CCB021M12FM3T

    CCB021M12FM3T

    MOSFET 6N-CH 1200V 51A MODULE

    Wolfspeed, Inc.

    1,447
    CCB021M12FM3T

    Техническая документация

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 1200V (1.2kV) 51A (Tj) 27.9mOhm @ 30A, 15V 3.6V @ 17.7mA 162nC @ 15V 4900pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    CAB008M12GM3T

    CAB008M12GM3T

    MOSFET 2N-CH 1200V 146A MODULE

    Wolfspeed, Inc.

    2,981
    CAB008M12GM3T

    Техническая документация

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 146A (Tj) 10.4mOhm @ 150A, 15V 3.6V @ 46mA 472nC @ 15V 13600pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    CAB7R5A23GM4

    CAB7R5A23GM4

    MOSFET 2N-CH 2300V 150A

    Wolfspeed, Inc.

    2,172
    CAB7R5A23GM4

    Техническая документация

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 2300V (2.3kV) 150A 10.5mOhm @ 160A, 15V 4V @ 76mA 590nC @ 15V 24400pF @ 1.5kV 510W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    CCB016M12GM3

    CCB016M12GM3

    MOSFET 6N-CH 1200V 50A MODULE

    Wolfspeed, Inc.

    1,095
    CCB016M12GM3

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel - 1200V (1.2kV) 50A (Tj) 20.8mOhm @ 50A, 15V 3.9V @ 23mA 236nC @ 15V 6700pF @ 1000V 10mW -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    CAB006M12GM3T

    CAB006M12GM3T

    MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE

    Wolfspeed, Inc.

    3,267
    CAB006M12GM3T

    Техническая документация

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 200A (Tj) 6.9mOhm @ 200A, 15V 3.6V @ 69mA 708nC @ 15V 20400pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    CCB016M12GM3T

    CCB016M12GM3T

    MOSFET 6N-CH 1200V 50A MODULE

    Wolfspeed, Inc.

    2,224
    CCB016M12GM3T

    Техническая документация

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel - 1200V (1.2kV) 50A (Tj) 20.8mOhm @ 50A, 15V 3.9V @ 23mA 236nC @ 15V 6700pF @ 1000V 10mW -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    CAB006A12GM3T

    CAB006A12GM3T

    MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE

    Wolfspeed, Inc.

    1,205
    CAB006A12GM3T

    Техническая документация

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 200A (Tj) 6.9mOhm @ 200A, 15V 3.6V @ 69mA 708nC @ 15V 20400pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    FBG30N04CSH

    FBG30N04CSH

    MOSFET 2N-CH 300V 4A 4SMD

    EPC Space, LLC

    2,977
    FBG30N04CSH

    Техническая документация

    eGaN® 4-SMD, No Lead Bulk Active GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel - 300V 4A (Tc) 404mOhm @ 4A, 5V 2.8V @ 600µA 2.6nC @ 5V 450pF @ 150V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-SMD
    CAB5R0A23GM4

    CAB5R0A23GM4

    MOSFET 2N-CH 2300V 150A

    Wolfspeed, Inc.

    3,549
    CAB5R0A23GM4

    Техническая документация

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 2300V (2.3kV) 150A 7mOhm @ 240A, 15V 4V @ 114mA 880nC @ 15V 36600pF @ 1.5kV 710W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    NTK3142PT1H-ON

    NTK3142PT1H-ON

    MOSFET P-CH

    onsemi

    100,800
    NTK3142PT1H-ON

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    NTK3142PT1H

    NTK3142PT1H

    MOSFET P-CH

    Sanyo

    20,000
    NTK3142PT1H

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    3LN04SS-TL-H-SY

    3LN04SS-TL-H-SY

    MOSFET N-CH

    Sanyo

    2,968,000
    3LN04SS-TL-H-SY

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    EFC4601-M-TR

    EFC4601-M-TR

    MOSFET N-CH

    Sanyo

    2,700,000
    EFC4601-M-TR

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    EFC4601-M-TR-ON

    EFC4601-M-TR-ON

    MOSFET N-CH

    onsemi

    1,895,000
    EFC4601-M-TR-ON

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    SCH2822-TL-E

    SCH2822-TL-E

    PCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES

    onsemi

    170,000
    SCH2822-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    2SB808F-SPA-ON

    2SB808F-SPA-ON

    MOSFET N-CH

    onsemi

    35,003
    2SB808F-SPA-ON

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    2SB808F-SPA

    2SB808F-SPA

    MOSFET N-CH

    Sanyo

    21,994
    2SB808F-SPA

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FDS6900AS-G

    FDS6900AS-G

    MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC

    onsemi

    3,346
    FDS6900AS-G

    Техническая документация

    PowerTrench®, SyncFET™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 6.9A, 8.2A 27mOhm @ 6.9A, 10V 3V @ 250µA, 3V @ 1mA 15nC @ 10V 600pF @ 15V 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    5HP01M-TL-EX

    5HP01M-TL-EX

    MOSFET P-CH 50V 0.07A MCP3

    onsemi

    6,000
    5HP01M-TL-EX

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    Total 5737 Record«Prev1... 8182838485868788...287Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.