БомКей Электроникс!

    FET, массивы MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    PSMN4R2-40VSHX

    PSMN4R2-40VSHX

    MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D

    Nexperia USA Inc.

    312
    PSMN4R2-40VSHX

    Техническая документация

    - SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 40V 98A (Ta) 4.2mOhm @ 20A, 10V 3.6V @ 1mA 37nC @ 10V 2590pF @ 25V 85W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56D
    SQJQ936E-T1_GE3

    SQJQ936E-T1_GE3

    MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8

    Vishay Siliconix

    1,870
    SQJQ936E-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® 8 x 8 Dual Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 100A (Tc) 2.3mOhm @ 5A, 10V 3.5V @ 250µA 113nC @ 10V 6600pF @ 25V 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual
    NVMJD2D7N04CLTWG

    NVMJD2D7N04CLTWG

    MOSFET N-CH 40V LFPAK56

    onsemi

    3,000
    NVMJD2D7N04CLTWG

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - -
    BUK7V4R2-40HX

    BUK7V4R2-40HX

    MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D

    Nexperia USA Inc.

    5,235
    BUK7V4R2-40HX

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 40V 98A (Ta) 4.2mOhm @ 20A, 10V 3.6V @ 1mA 37nC @ 10V 2590pF @ 25V 85W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56D
    FDPC8012S

    FDPC8012S

    MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33

    onsemi

    3,000
    FDPC8012S

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate 25V 13A, 26A 7mOhm @ 12A, 4.5V 2.2V @ 250µA 8nC @ 4.5V 1075pF @ 13V 800mW, 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Powerclip-33
    SI7956DP-T1-E3

    SI7956DP-T1-E3

    MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8

    Vishay Siliconix

    2,316
    SI7956DP-T1-E3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Dual Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 150V 2.6A 105mOhm @ 4.1A, 10V 4V @ 250µA 26nC @ 10V - 1.4W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
    CSD87355Q5DT

    CSD87355Q5DT

    MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON

    Texas Instruments

    1,840
    CSD87355Q5DT

    Техническая документация

    NexFET™ 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate, 5V Drive 30V 45A - 1.9V @ 250µA 13.7nC @ 4.5V 1860pF @ 15V 2.8W -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount 8-LSON (5x6)
    CSD86350Q5DT

    CSD86350Q5DT

    MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON

    Texas Instruments

    250
    CSD86350Q5DT

    Техническая документация

    - 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 25V 40A (Ta) 5mOhm @ 25A, 5V, 1.1mOhm @ 25A, 5V 2.1V @ 250µA, 1.6V @ 250µA 10.7nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V 1870pF @ 12.5V, 4000pF @ 12.5V 13W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-LSON (5x6)
    NVMFD5C446NT1G

    NVMFD5C446NT1G

    MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN

    onsemi

    1,450
    NVMFD5C446NT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 24A (Ta), 127A (Tc) 2.9mOhm @ 30A, 10V 3.5V @ 250µA 38nC @ 10V 2450pF @ 25V 3.2W (Ta), 89W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
    NVMFD5C650NLT1G

    NVMFD5C650NLT1G

    MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN

    onsemi

    1,432
    NVMFD5C650NLT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 21A (Ta), 111A (Tc) 4.2mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 98µA 16nC @ 4.5V 2546pF @ 25V 3.5W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
    EPC2100

    EPC2100

    MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE

    EPC

    230
    EPC2100

    Техническая документация

    eGaN® Die Tape & Reel (TR) Active GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel (Half Bridge) - 30V 10A (Ta), 40A (Ta) 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
    NXH040P120MNF1PTG

    NXH040P120MNF1PTG

    MOSFET 2N-CH 1200V 30A

    onsemi

    3,945
    NXH040P120MNF1PTG

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1200V (1.2kV) 30A (Tc) 56mOhm @ 25A, 20V 4.3V @ 10mA 122.1nC @ 20V 1505pF @ 800V 74W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    NXH040F120MNF1PTG

    NXH040F120MNF1PTG

    MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM

    onsemi

    4,571
    NXH040F120MNF1PTG

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel - 1200V (1.2kV) 30A (Tc) 56mOhm @ 25A, 20V 4.3V @ 10mA 122.1nC @ 20V 1505pF @ 800V 74W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount 22-PIM (33.8x42.5)
    NXH020P120MNF1PTG

    NXH020P120MNF1PTG

    MOSFET 2N-CH 1200V 51A

    onsemi

    2,022
    NXH020P120MNF1PTG

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1200V (1.2kV) 51A (Tc) 30mOhm @ 50A, 20V 4.3V @ 20mA 213.5nC @ 20V 2420pF @ 800V 119W (Tj) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    NXH010P90MNF1PTG

    NXH010P90MNF1PTG

    MOSFET 2N-CH 900V 154A

    onsemi

    3,398
    NXH010P90MNF1PTG

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 900V 154A (Tc) 14mOhm @ 100A, 15V 4.3V @ 40mA 546.4nC @ 15V 7007pF @ 450V 328W (Tj) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    CBB032M12FM3

    CBB032M12FM3

    MOSFET 4N-CH 1200V 40A

    Wolfspeed, Inc.

    4,304
    CBB032M12FM3

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Full Bridge) - 1200V (1.2kV) 40A (Tj) 42.6mOhm @ 30A, 15V 3.6V @ 11.5mA 118nC @ 15V 3400pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    NXH020F120MNF1PTG

    NXH020F120MNF1PTG

    MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM

    onsemi

    1,924
    NXH020F120MNF1PTG

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Full Bridge) - 1200V (1.2kV) 51A (Tc) 30mOhm @ 50A, 20V 4.3V @ 20mA 213.5nC @ 20V 2420pF @ 800V 119W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount 22-PIM (33.8x42.5)
    NXH010P120MNF1PTG

    NXH010P120MNF1PTG

    MOSFET 2N-CH 1200V 114A

    onsemi

    2,426
    NXH010P120MNF1PTG

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 1200V (1.2kV) 114A (Tc) 14mOhm @ 100A, 20V 4.3V @ 40mA 454nC @ 20V 4707pF @ 800V 250W (Tj) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    CAB011M12FM3

    CAB011M12FM3

    MOSFET 2N-CH 1200V 105A

    Wolfspeed, Inc.

    2,579
    CAB011M12FM3

    Техническая документация

    WolfPACK™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 105A 14mOhm @ 100A, 15V 3.6V @ 35mA 324nC @ 15V 10300pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    FBG20N04AC

    FBG20N04AC

    MOSFET 200V 4A 4SMD

    EPC Space, LLC

    330
    FBG20N04AC

    Техническая документация

    eGaN® 4-SMD, No Lead Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) - Logic Level Gate 200V 4A (Tc) 130mOhm @ 4A, 5V 2.8V @ 1mA 3nC @ 5V 150pF @ 100V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-SMD
    Total 5737 Record«Prev1... 6061626364656667...287Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.