БомКей Электроникс!

    FET, массивы MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    SP8K3FD5TB1

    SP8K3FD5TB1

    MOSFET 2N-CH 30V 8SOP

    Rohm Semiconductor

    8,440
    SP8K3FD5TB1

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - -
    SP8K3TB1

    SP8K3TB1

    MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    9,042
    SP8K3TB1

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 4V Drive 30V 7A (Ta) 24mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 11.8nC @ 5V 600pF @ 10V 2W (Ta) 150°C - - Surface Mount 8-SOP
    BSC150N03LD

    BSC150N03LD

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON

    Infineon Technologies

    9,890
    BSC150N03LD

    Техническая документация

    OptiMOS™ 3 8-PowerVDFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 8A 15mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 6.4nC @ 10V 1100pF @ 15V 26W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-4
    DF11MR12W1M1PB11BPSA1

    DF11MR12W1M1PB11BPSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V 50A AG-EASY1B

    Infineon Technologies

    4,323
    DF11MR12W1M1PB11BPSA1

    Техническая документация

    EasyPACK™ Module Tray Obsolete Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 50A (Tj) 22.5mOhm @ 50A, 15V 5.55V @ 20mA 124nC @ 15V 3680pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-EASY1B-2
    IRF7313TRPBF-1

    IRF7313TRPBF-1

    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

    Infineon Technologies

    5,947
    IRF7313TRPBF-1

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 6.5A (Ta) 29mOhm @ 5.8A, 10V 1V @ 250µA 33nC @ 10V 650pF @ 25V 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    MSCMC120AM02CT6LIAG

    MSCMC120AM02CT6LIAG

    MOSFET 2N-CH 1200V 742A SP6C LI

    Microchip Technology

    6,766
    MSCMC120AM02CT6LIAG

    Техническая документация

    - Module Tube Last Time Buy Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 742A (Tc) 2.85mOhm @ 600A, 20V 4V @ 180mA 1932nC @ 20V 33500pF @ 1000V 3200W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP6C LI
    MSCMC120AM04CT6LIAG

    MSCMC120AM04CT6LIAG

    MOSFET 2N-CH 1200V 388A SP6C LI

    Microchip Technology

    5,991
    MSCMC120AM04CT6LIAG

    Техническая документация

    - Module Tube Last Time Buy Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 388A (Tc) 5.7mOhm @ 300A, 20V 4V @ 90mA 966nC @ 20V 16700pF @ 1000V 1754W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP6C LI
    MSCMC120AM03CT6LIAG

    MSCMC120AM03CT6LIAG

    MOSFET 2N-CH 1200V 631A SP6C LI

    Microchip Technology

    7,657
    MSCMC120AM03CT6LIAG

    Техническая документация

    - Module Tube Last Time Buy Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 631A (Tc) 3.4mOhm @ 500A, 20V 4V @ 150mA 1610nC @ 20V 27900pF @ 1000V 2778W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP6C LI
    MSCMC90AM12C3AG

    MSCMC90AM12C3AG

    MOSFET 900V 110A SP3F

    Microchip Technology

    2,313
    MSCMC90AM12C3AG

    Техническая документация

    - Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) - - 900V 110A (Tc) - - - - - - - - Chassis Mount SP3F
    MSCMC120AM07CT6LIAG

    MSCMC120AM07CT6LIAG

    MOSFET 2N-CH 1200V 264A SP6C LI

    Microchip Technology

    2,593
    MSCMC120AM07CT6LIAG

    Техническая документация

    - Module Tube Last Time Buy Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 264A (Tc) 8.7mOhm @ 240A, 20V 4V @ 60mA 690nC @ 20V 11400pF @ 1000V 1350W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount SP6C LI
    MSCMC170AM08CT6LIAG

    MSCMC170AM08CT6LIAG

    MOSFET 2N-CH 1700V 280A SP6C LI

    Microchip Technology

    4,025
    MSCMC170AM08CT6LIAG

    Техническая документация

    - Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1700V (1.7kV) 280A (Tc) 11.7mOhm @ 300A, 20V 4V @ 108mA 1128nC @ 20V 22000pF @ 1000V 1780W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6C LI
    IRF9910TRPBF-1

    IRF9910TRPBF-1

    MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SOIC

    Infineon Technologies

    2,349
    IRF9910TRPBF-1

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 20V 10A (Ta), 12A (Ta) 13.4mOhm @ 10A, 10V, 9.3mOhm @ 12A, 10V 2.55V @ 250µA 11nC @ 4.5V, 23nC @ 4.5V 900pF @ 10V, 1860pF @ 10V 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    NTMFD5875NLT1G

    NTMFD5875NLT1G

    MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN

    onsemi

    5,672
    NTMFD5875NLT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 7A (Ta), 22A (Tc) 33mOhm @ 7.5A, 10V 3V @ 250µA 5.9nC @ 4.5V 540pF @ 25V 3.2W (Ta), 32W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
    AO4914

    AO4914

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    3,310
    AO4914

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual), Schottky - 30V 8A (Ta) 20.5mOhm @ 8A, 10V 2.4V @ 250µA 18nC @ 10V 865pF @ 15V 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FF6MR12KM1PHOSA1

    FF6MR12KM1PHOSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V 250A AG-62MM

    Infineon Technologies

    5,538
    FF6MR12KM1PHOSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ Module Tray Obsolete Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 250A (Tc) 5.81mOhm @ 250A, 15V 5.15V @ 80mA 496nC @ 15V 14700pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-62MM
    FF3MR12KM1PHOSA1

    FF3MR12KM1PHOSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V 375A AG-62MM

    Infineon Technologies

    7,759
    FF3MR12KM1PHOSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ Module Tray Obsolete Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 375A (Tc) 2.83mOhm @ 375A, 15V 5.15V @ 168mA 1000nC @ 15V 29800pF @ 25V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-62MM
    FF3MR12KM1HOSA1

    FF3MR12KM1HOSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V 375A AG-62MM

    Infineon Technologies

    4,181
    FF3MR12KM1HOSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ Module Tray Obsolete Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 375A (Tc) 2.83mOhm @ 375A, 15V 5.15V @ 168mA 1000nC @ 15V 29800pF @ 25V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-62MM
    FF2MR12KM1PHOSA1

    FF2MR12KM1PHOSA1

    MOSFET 2N-CH 1200V 500A AG-62MM

    Infineon Technologies

    3,630
    FF2MR12KM1PHOSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ Module Tray Obsolete Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 500A (Tc) 2.13mOhm @ 500A, 15V 5.15V @ 224mA 1340nC @ 15V 39700pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount AG-62MM
    HUFA76407DK8TF085P

    HUFA76407DK8TF085P

    MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SOIC

    onsemi

    3,605
    HUFA76407DK8TF085P

    Техническая документация

    UltraFET™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 3.8A (Ta) 90mOhm @ 3.8A, 10V 3V @ 250µA - 330pF @ 25V 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    PMDPB95XNE2115

    PMDPB95XNE2115

    MOSFET 2N-CH 30V 2.7A 6HUSON

    NXP USA Inc.

    5,135
    PMDPB95XNE2115

    Техническая документация

    - 6-UDFN Exposed Pad Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 30V 2.7A (Ta) 99mOhm @ 2.8A, 4.5V 1.25V @ 250µA 4.5nC @ 4.5V 258pF @ 15V 510mW (Ta), 8.33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-HUSON (2x2)
    Total 5737 Record«Prev1... 277278279280281282283284...287Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.