БомКей Электроникс!

    FET, массивы MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    LN60A01ES-LF-Z

    LN60A01ES-LF-Z

    MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC

    Monolithic Power Systems Inc.

    9,841
    LN60A01ES-LF-Z

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 3 N-Channel, Common Gate - 600V 80mA 190Ohm @ 10mA, 10V 1.2V @ 250µA - - 1.3W -20°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    APTMC60TLM55CT3AG

    APTMC60TLM55CT3AG

    MOSFET 4N-CH 1200V 48A SP3

    Microchip Technology

    4,627
    APTMC60TLM55CT3AG

    Техническая документация

    - SP3 Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 1200V (1.2kV) 48A (Tc) 49mOhm @ 40A, 20V 2.2V @ 2mA (Typ) 98nC @ 20V 1900pF @ 1000V 250W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    APTMC120AM20CT1AG

    APTMC120AM20CT1AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1

    Microchip Technology

    7,611
    APTMC120AM20CT1AG

    Техническая документация

    - SP1 Bulk Last Time Buy Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 143A (Tc) 17mOhm @ 100A, 20V 2.3V @ 2mA (Typ) 360nC @ 20V 5960pF @ 1000V 600W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP1
    APTMC120AM12CT3AG

    APTMC120AM12CT3AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3

    Microchip Technology

    6,175
    APTMC120AM12CT3AG

    Техническая документация

    - SP3 Bulk Last Time Buy Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 220A (Tc) 12mOhm @ 150A, 20V 2.4V @ 30mA (Typ) 483nC @ 20V 8400pF @ 1000V 925W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    APTMC120AM09CT3AG

    APTMC120AM09CT3AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3

    Microchip Technology

    6,043
    APTMC120AM09CT3AG

    Техническая документация

    - SP3 Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 295A (Tc) 9mOhm @ 200A, 20V 2.4V @ 40mA (Typ) 644nC @ 20V 11000pF @ 1000V 1250W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    APTMC170AM30CT1AG

    APTMC170AM30CT1AG

    MOSFET 2N-CH 1700V 100A SP1

    Microchip Technology

    9,689
    APTMC170AM30CT1AG

    Техническая документация

    - SP1 Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1700V (1.7kV) 100A (Tc) 30mOhm @ 100A, 20V 2.3V @ 5mA (Typ) 380nC @ 20V 6160pF @ 1000V 700W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP1
    APTMC120TAM17CTPAG

    APTMC120TAM17CTPAG

    MOSFET 6N-CH 1200V 147A SP6-P

    Microchip Technology

    4,318
    APTMC120TAM17CTPAG

    Техническая документация

    - SP6 Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 1200V (1.2kV) 147A (Tc) 17mOhm @ 100A, 20V 2.4V @ 20mA (Typ) 322nC @ 20V 5600pF @ 1000V 625W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6-P
    APTMC60TLM14CAG

    APTMC60TLM14CAG

    MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6

    Microchip Technology

    6,523
    APTMC60TLM14CAG

    Техническая документация

    - SP6 Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 1200V (1.2kV) 219A (Tc) 12mOhm @ 150A, 20V 2.4V @ 30mA (Typ) 483nC @ 20V 8400pF @ 1000V 925W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6
    APTMC120TAM12CTPAG

    APTMC120TAM12CTPAG

    MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6-P

    Microchip Technology

    9,663
    APTMC120TAM12CTPAG

    Техническая документация

    - SP6 Bulk Last Time Buy Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 1200V (1.2kV) 220A (Tc) 12mOhm @ 150A, 20V 2.4V @ 30mA (Typ) 483nC @ 20V 8400pF @ 1000V 925W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6-P
    UPA1764G-E2-AZ

    UPA1764G-E2-AZ

    MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOP

    Renesas Electronics Corporation

    2,744
    UPA1764G-E2-AZ

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 7A 35mOhm @ 3.5A, 10V - 29nC @ 10V 1300pF @ 10V 2W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    UPA2373T1P-E4-A

    UPA2373T1P-E4-A

    MOSFET 2N-CH 24V LGA

    Renesas Electronics Corporation

    6,731
    UPA2373T1P-E4-A

    Техническая документация

    - 4-XFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate, 2.5V Drive - - - - 22nC @ 4V - 1.3W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)
    EFC6611R-TF

    EFC6611R-TF

    MOSFET 2N-CH 12V 27A 6CSP

    onsemi

    7,425
    EFC6611R-TF

    Техническая документация

    - 6-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate, 2.5V Drive - - - - 100nC @ 4.5V - 2.5W 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-CSP (1.77x3.54)
    MCH6660-TL-W

    MCH6660-TL-W

    MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6MCPH

    onsemi

    6,931
    MCH6660-TL-W

    Техническая документация

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate, 1.8V Drive 20V 2A, 1.5A 136mOhm @ 1A, 4.5V 1.3V @ 1mA 1.8nC @ 4.5V 128pF @ 10V 800mW 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MCPH
    MCH6663-TL-W

    MCH6663-TL-W

    MOSFET N/P-CH 30V 1.8A SC88FL

    onsemi

    2,380
    MCH6663-TL-W

    Техническая документация

    - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate, 4V Drive 30V 1.8A, 1.5A 188mOhm @ 900mA, 10V 2.6V @ 1mA 2nC @ 10V 88pF @ 10V 800mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-88FL/MCPH6
    VEC2616-TL-H-Z

    VEC2616-TL-H-Z

    MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A SOT28

    onsemi

    5,110
    VEC2616-TL-H-Z

    Техническая документация

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate, 4V Drive 60V 3A, 2.5A 80mOhm @ 1.5A, 10V - 10nC @ 10V 505pF @ 20V 1W - - - Surface Mount SOT-28FL/VEC8
    DMN63D1LDW-13

    DMN63D1LDW-13

    MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

    Diodes Incorporated

    8,411
    DMN63D1LDW-13

    Техническая документация

    - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 250mA 2Ohm @ 500mA, 10V 2.5V @ 1mA 0.3nC @ 4.5V 30pF @ 25V 310mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-363
    VEC2315-TL-W

    VEC2315-TL-W

    MOSFET 2P-CH 60V 2.5A SOT28

    onsemi

    8,726
    VEC2315-TL-W

    Техническая документация

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate, 4V Drive 60V 2.5A 137mOhm @ 1.5A, 10V 2.6V @ 1mA 11nC @ 10V 420pF @ 20V 1W 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-28FL/VEC8
    VEC2616-TL-W

    VEC2616-TL-W

    MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A SOT28

    onsemi

    8,396
    VEC2616-TL-W

    Техническая документация

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate, 4V Drive 60V 3A, 2.5A 80mOhm @ 1.5A, 10V 2.6V @ 1mA 10nC @ 10V 505pF @ 20V 1W 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-28FL/VEC8
    VEC2616-TL-W-Z

    VEC2616-TL-W-Z

    MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A SOT28

    onsemi

    5,805
    VEC2616-TL-W-Z

    Техническая документация

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate, 4V Drive 60V 3A, 2.5A 80mOhm @ 1.5A, 10V 2.6V @ 1mA 10nC @ 10V 505pF @ 20V 1W 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-28FL/VEC8
    EPC2103ENGRT

    EPC2103ENGRT

    MOSFET 2N-CH 80V 23A DIE

    EPC

    9,834
    EPC2103ENGRT

    Техническая документация

    eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel (Half Bridge) - 80V 23A 5.5mOhm @ 20A, 5V 2.5V @ 7mA 6.5nC @ 5V 7600pF @ 40V - - - - Surface Mount Die
    Total 5737 Record«Prev1... 264265266267268269270271...287Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.