БомКей Электроникс!

    FET, массивы MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    ALD114904PAL

    ALD114904PAL

    MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP

    Advanced Linear Devices Inc.

    2,925
    ALD114904PAL

    Техническая документация

    EPAD® 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Matched Pair Depletion Mode 10.6V 12mA, 3mA 500Ohm @ 3.6V 360mV @ 1µA - 2.5pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
    ALD210808SCL

    ALD210808SCL

    MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

    Advanced Linear Devices Inc.

    5,370
    ALD210808SCL

    Техническая документация

    EPAD®, Zero Threshold™ 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel, Matched Pair Logic Level Gate 10.6V 80mA - 20mV @ 10µA - - 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Surface Mount 16-SOIC
    SP8J5TB

    SP8J5TB

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    8,074
    SP8J5TB

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 7A 28mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 25nC @ 5V 2600pF @ 10V 2W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SI7946DP-T1-E3

    SI7946DP-T1-E3

    MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO8

    Vishay Siliconix

    6,259
    SI7946DP-T1-E3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Dual Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 150V 2.1A 150mOhm @ 3.3A, 10V 4V @ 250µA 20nC @ 10V - 1.4W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
    SI7946DP-T1-GE3

    SI7946DP-T1-GE3

    MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO8

    Vishay Siliconix

    5,073
    SI7946DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Dual Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 150V 2.1A 150mOhm @ 3.3A, 10V 4V @ 250µA 20nC @ 10V - 1.4W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
    ALD114813SCL

    ALD114813SCL

    MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

    Advanced Linear Devices Inc.

    4,588
    ALD114813SCL

    Техническая документация

    EPAD® 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel, Matched Pair Depletion Mode 10.6V 12mA, 3mA 500Ohm @ 2.7V 1.26V @ 1µA - 2.5pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Surface Mount 16-SOIC
    ALD212900SAL

    ALD212900SAL

    MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

    Advanced Linear Devices Inc.

    5,721
    ALD212900SAL

    Техническая документация

    EPAD®, Zero Threshold™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Matched Pair Logic Level Gate 10.6V 80mA 14Ohm 20mV @ 20µA - 30pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    ALD114913PAL

    ALD114913PAL

    MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP

    Advanced Linear Devices Inc.

    4,842
    ALD114913PAL

    Техническая документация

    EPAD® 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Matched Pair Depletion Mode 10.6V 12mA, 3mA 500Ohm @ 2.7V 1.26V @ 1µA - 2.5pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
    SLA5060

    SLA5060

    MOSFET 3N/3P-CH 60V 6A 12SIP

    Sanken Electric USA Inc.

    5,047
    SLA5060

    Техническая документация

    - 12-SIP Exposed Tab Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) Logic Level Gate 60V 6A 220mOhm @ 3A, 4V - - 320pF @ 10V, 790pF @ 10V 5W 150°C (TJ) - - Through Hole 12-SIP
    ALD212902PAL

    ALD212902PAL

    MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8PDIP

    Advanced Linear Devices Inc.

    8,712
    ALD212902PAL

    Техническая документация

    EPAD®, Zero Threshold™ 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Matched Pair Logic Level Gate 10.6V 80mA - 20mV @ 10µA - - 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
    ALD212904PAL

    ALD212904PAL

    MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8PDIP

    Advanced Linear Devices Inc.

    2,419
    ALD212904PAL

    Техническая документация

    EPAD®, Zero Threshold™ 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Matched Pair Logic Level Gate 10.6V 80mA - 20mV @ 10µA - - 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
    ALD212908PAL

    ALD212908PAL

    MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8PDIP

    Advanced Linear Devices Inc.

    7,960
    ALD212908PAL

    Техническая документация

    EPAD®, Zero Threshold™ 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Matched Pair Logic Level Gate 10.6V 80mA - 20mV @ 10µA - - 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
    ALD210802SCL

    ALD210802SCL

    MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

    Advanced Linear Devices Inc.

    6,543
    ALD210802SCL

    Техническая документация

    EPAD®, Zero Threshold™ 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel, Matched Pair Logic Level Gate 10.6V 80mA - 20mV @ 10µA - - 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Surface Mount 16-SOIC
    ALD210804SCL

    ALD210804SCL

    MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

    Advanced Linear Devices Inc.

    6,836
    ALD210804SCL

    Техническая документация

    EPAD®, Zero Threshold™ 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel, Matched Pair Logic Level Gate 10.6V 80mA - 20mV @ 10µA - - 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Surface Mount 16-SOIC
    ALD210814SCL

    ALD210814SCL

    MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

    Advanced Linear Devices Inc.

    4,551
    ALD210814SCL

    Техническая документация

    EPAD®, Zero Threshold™ 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel, Matched Pair Logic Level Gate 10.6V 80mA - 20mV @ 10µA - - 500mW - - - Surface Mount 16-SOIC
    ALD110908PAL

    ALD110908PAL

    MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP

    Advanced Linear Devices Inc.

    8,249
    ALD110908PAL

    Техническая документация

    EPAD® 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Matched Pair - 10.6V 12mA, 3mA 500Ohm @ 4.8V 820mV @ 1µA - 2.5pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
    ALD110914PAL

    ALD110914PAL

    MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP

    Advanced Linear Devices Inc.

    9,592
    ALD110914PAL

    Техническая документация

    EPAD® 8-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Matched Pair - 10.6V 12mA, 3mA 500Ohm @ 5.4V 1.42V @ 1µA - 2.5pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Through Hole 8-PDIP
    ALD110802SCL

    ALD110802SCL

    MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

    Advanced Linear Devices Inc.

    5,212
    ALD110802SCL

    Техническая документация

    EPAD® 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel, Matched Pair - 10.6V - 500Ohm @ 4.2V 220mV @ 1µA - 2.5pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Surface Mount 16-SOIC
    ALD110804SCL

    ALD110804SCL

    MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

    Advanced Linear Devices Inc.

    3,286
    ALD110804SCL

    Техническая документация

    EPAD® 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel, Matched Pair - 10.6V 12mA, 3mA 500Ohm @ 4.4V 420mV @ 1µA - 2.5pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Surface Mount 16-SOIC
    ALD210808PCL

    ALD210808PCL

    MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16PDIP

    Advanced Linear Devices Inc.

    6,795
    ALD210808PCL

    Техническая документация

    EPAD®, Zero Threshold™ 16-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel, Matched Pair Logic Level Gate 10.6V 80mA - 20mV @ 10µA - - 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Through Hole 16-PDIP
    Total 5737 Record«Prev1... 220221222223224225226227...287Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.