БомКей Электроникс!

    FET, массивы MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    FDPC1012S

    FDPC1012S

    MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33

    Fairchild Semiconductor

    6,672
    FDPC1012S

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical - 25V 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc) 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V 800mW (Ta), 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Powerclip-33
    VT6K1T2CR

    VT6K1T2CR

    MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6

    Rohm Semiconductor

    5,044
    VT6K1T2CR

    Техническая документация

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 1.2V Drive 20V 100mA 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V 1V @ 100µA - 7.1pF @ 10V 120mW 150°C (TJ) - - Surface Mount VMT6
    HUFA76504DK8T

    HUFA76504DK8T

    MOSFET 2N-CH 80V 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    3,488
    HUFA76504DK8T

    Техническая документация

    UltraFET™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 80V - 200mOhm @ 2.5A, 10V 3V @ 250µA 10nC @ 10V 270pF @ 25V 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    UPA2350BT1G-E4-A

    UPA2350BT1G-E4-A

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    520,000
    UPA2350BT1G-E4-A

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    NDH8302P

    NDH8302P

    MOSFET 2P-CH 20V 2A SUPERSOT-8

    Fairchild Semiconductor

    36,000
    NDH8302P

    Техническая документация

    - 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 20V 2A (Ta) 130mOhm @ 2A, 4.5V 1V @ 250µA 11nC @ 4.5V 515pF @ 10V 800mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-8
    VN2410M

    VN2410M

    MOSFET N-CH

    Siliconix

    22,750
    VN2410M

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FDC6432SH

    FDC6432SH

    MOSFET N/P-CH 30V/12V 2.4A SSOT6

    Fairchild Semiconductor

    18,000
    FDC6432SH

    Техническая документация

    PowerTrench®, SyncFET™ SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V, 12V 2.4A, 2.5A 90mOhm @ 2.4A, 10V 3V @ 1mA 3.5nC @ 5V 270pF @ 15V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    SSF2215

    SSF2215

    MOSFET 2P-CH 20V 3A SOT23-6L

    Good-Ark Semiconductor

    5,526
    SSF2215

    Техническая документация

    - SOT-23-6 Cut Tape (CT) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel - 20V 3A (Ta) 85mOhm @ 3A, 4.5V 1V @ 250µA 8nC @ 4.5V 510pF @ 15V 1.25W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-6L
    CPH5616-TL-E

    CPH5616-TL-E

    MOSFET N-CH

    Sanyo

    2,978
    CPH5616-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    RFD20N03SM9AR4761

    RFD20N03SM9AR4761

    MOSFET N-CH 30V 20A

    Harris Corporation

    2,500
    RFD20N03SM9AR4761

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FDMS3602AS

    FDMS3602AS

    MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56

    onsemi

    3,757
    FDMS3602AS

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate 25V 15A, 26A 5.6mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 27nC @ 10V 1770pF @ 13V 2.2W, 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power56
    G300N04S2

    G300N04S2

    MOSFET 2N-CH 40V 5.5A 8SOP

    Goford Semiconductor

    4,000
    G300N04S2

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 40V 5.5A (Tc) 30mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 250µA 10nC @ 10V 522pF @ 20V 1.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    PJX8872B_R1_00001

    PJX8872B_R1_00001

    MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT563

    Panjit International Inc.

    2,950
    PJX8872B_R1_00001

    Техническая документация

    - SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 200mA (Ta) 3Ohm @ 600mA, 10V 2.5V @ 250µA 0.82nC @ 4.5V 34pF @ 25V 300mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-563
    UPA2352T1P-E4-A

    UPA2352T1P-E4-A

    MOSFET 2N-CH 24V 4A LGA

    Renesas Electronics Corporation

    310,000
    UPA2352T1P-E4-A

    Техническая документация

    - 4-XFLGA Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate, 2.5V Drive 24V 4A (Ta) 43mOhm @ 2A, 4.5V 1.5V @ 1mA 5.7nC @ 4V 330pF @ 10V 750mW (Ta) 150°C - - Surface Mount 4-EFLIP-LGA (1.4x1.4)
    FDW2509NZ

    FDW2509NZ

    MOSFET 2N-CH 20V 7.1A 8TSSOP

    Fairchild Semiconductor

    100,000
    FDW2509NZ

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain - 20V 7.1A (Ta) 20mOhm @ 7.1A, 4.5V 1.5V @ 250µA 19nC @ 4.5V 1263pF @ 10V 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    IRF810

    IRF810

    MOSFET N-CH 500V 8A

    Harris Corporation

    93,400
    IRF810

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    NTLGD3502NT1G

    NTLGD3502NT1G

    MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN

    onsemi

    7,754
    NTLGD3502NT1G

    Техническая документация

    - 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.3A, 3.6A 60mOhm @ 4.3A, 4.5V 2V @ 250µA 4nC @ 4.5V 480pF @ 10V 1.74W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-DFN (3x3)
    MTD3N25E1

    MTD3N25E1

    MOSFET N-CH 250V 3A

    onsemi

    13,650
    MTD3N25E1

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    FDMA1028NZ

    FDMA1028NZ

    MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET

    Fairchild Semiconductor

    10,778
    FDMA1028NZ

    Техническая документация

    PowerTrench® 6-VDFN Exposed Pad Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 3.7A 68mOhm @ 3.7A, 4.5V 1.5V @ 250µA 6nC @ 4.5V 340pF @ 10V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
    FDMS8025AS

    FDMS8025AS

    MOSFET N-CH

    Fairchild Semiconductor

    9,000
    FDMS8025AS

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
    Total 5737 Record«Prev1... 96979899100101102103...287Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.