БомКей Электроникс!

    FET, массивы MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    SQJQ960EL-T1_GE3

    SQJQ960EL-T1_GE3

    MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8

    Vishay Siliconix

    1,362
    SQJQ960EL-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® 8 x 8 Dual Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 63A (Tc) 9mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 24nC @ 10V 1950pF @ 25V 71W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual
    BSG0811NDATMA1

    BSG0811NDATMA1

    MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8

    Infineon Technologies

    6,082
    BSG0811NDATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate, 4.5V Drive 25V 19A, 41A 3mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 8.4nC @ 4.5V 1100pF @ 12V 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TISON-8
    SQ3585EV-T1_GE3

    SQ3585EV-T1_GE3

    MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP

    Vishay Siliconix

    6,894
    SQ3585EV-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 20V 3.57A (Tc), 2.5A (Tc) 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V 1.5V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V - 1.67W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 6-TSOP
    CSD86350Q5D

    CSD86350Q5D

    MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON

    Texas Instruments

    4,190
    CSD86350Q5D

    Техническая документация

    NexFET™ 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate 25V 40A 6mOhm @ 20A, 8V 2.1V @ 250µA 10.7nC @ 4.5V 1870pF @ 12.5V 13W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-LSON (5x6)
    FDS89141

    FDS89141

    MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC

    onsemi

    21,070
    FDS89141

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 100V 3.5A 62mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 7.1nC @ 10V 398pF @ 50V 1.6W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    SI7234DP-T1-GE3

    SI7234DP-T1-GE3

    MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8

    Vishay Siliconix

    10,827
    SI7234DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Dual Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 12V 60A 3.4mOhm @ 20A, 4.5V 1.5V @ 250µA 120nC @ 10V 5000pF @ 6V 46W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
    SI7956DP-T1-GE3

    SI7956DP-T1-GE3

    MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8

    Vishay Siliconix

    4,330
    SI7956DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Dual Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 150V 2.6A 105mOhm @ 4.1A, 10V 4V @ 250µA 26nC @ 10V - 1.4W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
    FDMQ86530L

    FDMQ86530L

    MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP

    onsemi

    4,411
    FDMQ86530L

    Техническая документация

    GreenBridge™ PowerTrench® 12-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel (Full Bridge) Logic Level Gate 60V 8A 17.5mOhm @ 8A, 10V 3V @ 250µA 33nC @ 10V 2295pF @ 30V 1.9W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
    CSD88584Q5DC

    CSD88584Q5DC

    MOSFET 2N-CH 40V 22VSON-CLIP

    Texas Instruments

    1,308
    CSD88584Q5DC

    Техническая документация

    NexFET™ 22-PowerTFDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 40V - 0.95mOhm @ 30A, 10V 2.3V @ 250µA 88nC @ 4.5V 12400pF @ 20V 12W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 22-VSON-CLIP (5x6)
    CSD88599Q5DC

    CSD88599Q5DC

    MOSFET 2N-CH 60V 22VSON-CLIP

    Texas Instruments

    2,955
    CSD88599Q5DC

    Техническая документация

    NexFET™ 22-PowerTFDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 60V - 2.1mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 27nC @ 4.5V 4840pF @ 30V 12W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 22-VSON-CLIP (5x6)
    NVMFD5C650NLWFT1G

    NVMFD5C650NLWFT1G

    MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN

    onsemi

    1,500
    NVMFD5C650NLWFT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 21A (Ta), 111A (Tc) 4.2mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 98µA 16nC @ 4.5V 2546pF @ 25V 3.5W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
    ALD1106SBL

    ALD1106SBL

    MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC

    Advanced Linear Devices Inc.

    1,005
    ALD1106SBL

    Техническая документация

    - 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel, Matched Pair - 10.6V - 500Ohm @ 5V 1V @ 1µA - 3pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Surface Mount 14-SOIC
    FDMS8090

    FDMS8090

    MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP

    onsemi

    1,042
    FDMS8090

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 100V 10A 13mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 27nC @ 10V 1800pF @ 50V 2.2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56
    ALD1106PBL

    ALD1106PBL

    MOSFET 4N-CH 10.6V 14PDIP

    Advanced Linear Devices Inc.

    492
    ALD1106PBL

    Техническая документация

    - 14-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel, Matched Pair - 10.6V - 500Ohm @ 5V 1V @ 1µA - 3pF @ 5V 500mW 0°C ~ 70°C (TJ) - - Through Hole 14-PDIP
    EPC2103

    EPC2103

    MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE

    EPC

    5,410
    EPC2103

    Техническая документация

    eGaN® Die Tape & Reel (TR) Active GaNFET (Gallium Nitride) 2 N-Channel (Half Bridge) - 80V 28A 5.5mOhm @ 20A, 5V 2.5V @ 7mA 6.5nC @ 5V 760pF @ 40V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Die
    NXH010P120MNF1PNG

    NXH010P120MNF1PNG

    MOSFET 2N-CH 1200V 114A

    onsemi

    4,246
    NXH010P120MNF1PNG

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 114A (Tc) 14mOhm @ 100A, 20V 4.3V @ 40mA 454nC @ 20V 4707pF @ 800V 250W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount -
    CAB016M12FM3

    CAB016M12FM3

    MOSFET 2N-CH 1200V 78A

    Wolfspeed, Inc.

    4,006
    CAB016M12FM3

    Техническая документация

    WolfPACK™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 78A 21.3mOhm @ 80A, 15V 3.6V @ 23mA 236nC @ 15V 6600pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    CCB032M12FM3

    CCB032M12FM3

    MOSFET 6N-CH 1200V 40A

    Wolfspeed, Inc.

    2,865
    CCB032M12FM3

    Техническая документация

    WolfPACK™ Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 1200V (1.2kV) 40A 42.6mOhm @ 30A, 15V 3.6V @ 11.5mA 118nC @ 15V 3400pF @ 800V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    CBB021M12FM3T

    CBB021M12FM3T

    MOSFET 4N-CH 1200V 50A

    Wolfspeed, Inc.

    4,362
    CBB021M12FM3T

    Техническая документация

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Full Bridge) - 1200V (1.2kV) 50A (Tj) 28.9mOhm @ 30A, 15V 3.9V @ 17mA 162nC @ 15V 5400pF @ 1000V - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
    NXH003P120M3F2PTHG

    NXH003P120M3F2PTHG

    MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM

    onsemi

    3,530
    NXH003P120M3F2PTHG

    Техническая документация

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 350A (Tc) 5mOhm @ 200A, 18V 4.4V @ 160mA 1195nC @ 20V 20889pF @ 800V 979W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount 36-PIM (56.7x62.8)
    Total 5737 Record«Prev1... 678910111213...287Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.