БомКей Электроникс!

    Мостовые выпрямители

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип диода Технология Напряжение - Пиковое обратное (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Ток - Обратный утечка @ Vr Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип диода Технология Напряжение - Пиковое обратное (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Ток - Обратный утечка @ Vr Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    PB810-BP

    PB810-BP

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A PB-10

    Micro Commercial Co

    7,194
    PB810-BP

    Техническая документация

    - 4-Square, PB-10 Bulk Active Single Phase Standard 1 kV 8 A 1.1 V @ 4 A 10 µA @ 1000 V -55°C ~ 125°C - - Through Hole PB-10
    PB86-BP

    PB86-BP

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A PB-10

    Micro Commercial Co

    4,898
    PB86-BP

    Техническая документация

    - 4-Square, PB-10 Bulk Active Single Phase Standard 600 V 8 A 1.1 V @ 4 A 10 µA @ 600 V -55°C ~ 125°C - - Through Hole PB-10
    GBU806-K

    GBU806-K

    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBU

    Taiwan Semiconductor Corporation

    8,909
    GBU806-K

    Техническая документация

    - 4-ESIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 800 V 8 A 1.1 V @ 8 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
    GBU805-K

    GBU805-K

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU

    Taiwan Semiconductor Corporation

    3,849
    GBU805-K

    Техническая документация

    - 4-ESIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 600 V 8 A 1.1 V @ 8 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
    GBU804-K

    GBU804-K

    BRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A GBU

    Taiwan Semiconductor Corporation

    6,519
    GBU804-K

    Техническая документация

    - 4-ESIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 400 V 8 A 1.1 V @ 8 A 5 µA @ 400 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
    GBU807-K

    GBU807-K

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBU

    Taiwan Semiconductor Corporation

    3,049
    GBU807-K

    Техническая документация

    - 4-ESIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 1 kV 8 A 1.1 V @ 8 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
    GBU601H

    GBU601H

    BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A GBU

    Taiwan Semiconductor Corporation

    9,690
    GBU601H

    Техническая документация

    - 4-ESIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 50 V 6 A 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole GBU
    GBU602H

    GBU602H

    BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBU

    Taiwan Semiconductor Corporation

    5,304
    GBU602H

    Техническая документация

    - 4-ESIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 100 V 6 A 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 100 V -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole GBU
    GBU603H

    GBU603H

    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A GBU

    Taiwan Semiconductor Corporation

    3,451
    GBU603H

    Техническая документация

    - 4-ESIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 200 V 6 A 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole GBU
    G3SBA80-E3/45

    G3SBA80-E3/45

    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.3A GBU

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    7,342
    G3SBA80-E3/45

    Техническая документация

    - 4-SIP, GBU Tube Active Single Phase Standard 800 V 2.3 A 1 V @ 2 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
    GBJ6D

    GBJ6D

    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A GBJ

    GeneSiC Semiconductor

    8,357
    GBJ6D

    Техническая документация

    - 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 200 V 6 A 1.05 V @ 3 A 5 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBJ
    GBJ6B

    GBJ6B

    BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBJ

    GeneSiC Semiconductor

    9,761
    GBJ6B

    Техническая документация

    - 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 100 V 6 A 1.05 V @ 3 A 5 µA @ 100 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBJ
    GBJ6M

    GBJ6M

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBJ

    GeneSiC Semiconductor

    5,733
    GBJ6M

    Техническая документация

    - 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 1 kV 6 A 1.05 V @ 3 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBJ
    GBJ6J

    GBJ6J

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBJ

    GeneSiC Semiconductor

    5,385
    GBJ6J

    Техническая документация

    - 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 600 V 6 A 1.05 V @ 3 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBJ
    GBJ6K

    GBJ6K

    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBJ

    GeneSiC Semiconductor

    7,726
    GBJ6K

    Техническая документация

    - 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 800 V 6 A 1.05 V @ 3 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBJ
    GBJ6G

    GBJ6G

    BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A GBJ

    GeneSiC Semiconductor

    4,473
    GBJ6G

    Техническая документация

    - 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 400 V 6 A 1.05 V @ 3 A 5 µA @ 400 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBJ
    GBLA005-E3/45

    GBLA005-E3/45

    BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A GBL

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    5,189
    GBLA005-E3/45

    Техническая документация

    - 4-SIP, GBL Tube Discontinued at Digi-Key Single Phase Standard 50 V 3 A 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBL
    GBLA01-E3/45

    GBLA01-E3/45

    BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A GBL

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    2,526
    GBLA01-E3/45

    Техническая документация

    - 4-SIP, GBL Tube Discontinued at Digi-Key Single Phase Standard 100 V 3 A 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 100 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBL
    GBLA02-E3/45

    GBLA02-E3/45

    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBL

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    3,062
    GBLA02-E3/45

    Техническая документация

    - 4-SIP, GBL Tube Discontinued at Digi-Key Single Phase Standard 200 V 3 A 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBL
    GBLA04-E3/45

    GBLA04-E3/45

    BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A GBL

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    5,736
    GBLA04-E3/45

    Техническая документация

    - 4-SIP, GBL Tube Discontinued at Digi-Key Single Phase Standard 400 V 3 A 1 V @ 4 A 5 µA @ 400 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBL
    Total 6964 Record«Prev1... 179180181182183184185186...349Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.